一种晶圆厚度的测量方法技术

本发明专利技术涉及一种晶圆厚度的测量方法。所述方法包括步骤S1：提供晶圆，并在所述晶圆上形成胶带，以保护所述晶圆；步骤S2：在所述晶圆的边缘形成凹槽；步骤S3：测量所述凹槽的深度H1；步骤S4：对所述晶圆进行研磨打薄，以降低所述晶圆的厚度；步骤S5：再次测量所述凹槽的深度H2；步骤S6：根据所述步骤S3中所述深度H1和所述步骤S5中的所述深度H2计算所述晶圆研磨去除的量。本发明专利技术的优点在于：1、提高了研磨厚度量测精准度。2、为后续其他工艺提供了准确的数据和晶圆。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体领域，具体地，本专利技术涉及一种晶圆厚度的测量方法。
技术介绍
对于高容量的半导体存储装置需求的日益增加，这些半导体存储装置的集成密度受到人们的关注，为了增加半导体存储装置的集成密度，现有技术中采用了许多不同的方法，例如通过减小晶片尺寸和/或改变内结构单元而在单一晶片上形成多个存储单元，对于通过改变单元结构增加集成密度的方法来说，已经进行尝试沟通过改变有源区的平面布置或改变单元布局来减小单元面积。在电子消费领域，多功能设备越来越受到消费者的喜爱，相比于功能简单的设备，多功能设备制作过程将更加复杂，比如需要在电路版上集成多个不同功能的芯片，因而出现了3D集成电路(integrated circuit，IC)技术。其中，微电子机械系统(MEMS)在体积、功耗、重量以及价格方面具有十分明显的优势，至今已经开发出多种不同的传感器，例如压力传感器、加速度传感器、惯性传感器以及其他的传感器。在MEMS领域中，有一部分产品存在Grinding(减薄)后刻蚀晶圆的工艺流程，因此减薄的晶圆厚度控制对刻蚀有特别大的影响。目前晶圆厚度的测量方法，如图1a-1d所示，首先要在晶圆101形成有图案的一面贴上胶带102，例如蓝膜(blue tape)并置于钢制的圆环上，该过程称为晶圆粘片(wafer mount)，如图1a-1b所示，然后对所述晶圆进行研磨打薄，如图1c所示，在打薄之后测量所述晶圆研磨去除的量，但是在该过程中，由于挤压胶带的厚度会随即变形，如图1d所示。因此对于研磨厚度量测带来了影响，正犹豫使用带着胶带的量测方式存在较大的误差，对MEMS产品带来困扰。因此需要对目前所述MEMS晶圆的厚度测量方法作进一步的改进，以便消除上述问题。
技术实现思路
在
技术实现思路
部分中引入了一系列简化形式的概念，这将在具体实施方式部分中进一步详细说明。本专利技术的
技术实现思路
部分并不意味着要试图限定出所要求保护的技术方案的关键特征和必要技术特征，更不意味着试图确定所要求保护的技术方案的保护范围。本专利技术为了解决现有技术中存在的问题，提供了一种晶圆厚度的测量方法，包括：步骤S1：提供晶圆，并在所述晶圆上形成胶带，以保护所述晶圆；步骤S2：在所述晶圆的边缘形成凹槽；步骤S3：测量所述凹槽的深度H1；步骤S4：对所述晶圆进行研磨打薄，以降低所述晶圆的厚度；步骤S5：再次测量所述凹槽的深度H2；步骤S6：根据所述步骤S3中所述深度H1和所述步骤S5中的所述深度H2计算所述晶圆研磨去除的量。可选地，在所述步骤S1中，在形成所述胶带之前，还进一步包括对所述晶圆进行预清洗的步骤。可选地，在所述步骤S2中，对所述晶圆的边缘进行半切割，以形成所述凹槽。可选地，在所述步骤S2中，所述凹槽的深度H1为400-450um。可选地，在所述步骤S4中，在所述研磨打薄之后还进一步包括对所述晶圆的厚度进行测量的步骤。可选地，在所述步骤S4和所述步骤S5之间，还进一步包括去除所述胶带的步骤。可选地，在所述步骤S5中，所述凹槽的深度H2为15-35um。可选地，在所述步骤S2中，所述凹槽的开口为4-6um。可选地，在所述步骤S1中，所述晶圆的厚度为700-750um。为了解决现有技术中存在由于胶带受到挤压变形不可控，导致研磨厚度量测不精准，对后续的刻蚀工艺带来了工艺难题的问题，本专利技术提供了一种新的晶圆研磨量测量方法，在所述方法中在将所述晶圆的边缘形成凹槽，并测量所述凹槽的深度，然后对所述晶圆进行研磨并再次测量所述凹槽的深度，根据前后两次测量的凹槽的深度计算所述晶圆研磨量，避免了
胶带厚度变化带来的量测精准问题。本专利技术的优点在于：1、提高了研磨厚度量测精准度。2、为后续其他工艺提供了准确的数据和晶圆。附图说明本专利技术的下列附图在此作为本专利技术的一部分用于理解本专利技术。附图中示出了本专利技术的实施例及其描述，用来解释本专利技术的装置及原理。在附图中，图1a-1d为现有技术中测量晶圆研磨量的过程示意图；图2a-2e为本专利技术一具体实施方式中所述测量晶圆研磨量的过程示意图；图3为本专利技术一具体实施方式中测量晶圆研磨量的工艺流程图。具体实施方式在下文的描述中，给出了大量具体的细节以便提供对本专利技术更为彻底的理解。然而，对于本领域技术人员而言显而易见的是，本专利技术可以无需一个或多个这些细节而得以实施。在其他的例子中，为了避免与本专利技术发生混淆，对于本领域公知的一些技术特征未进行描述。应当理解的是，本专利技术能够以不同形式实施，而不应当解释为局限于这里提出的实施例。相反地，提供这些实施例将使公开彻底和完全，并且将本专利技术的范围完全地传递给本领域技术人员。在附图中，为了清楚，层和区的尺寸以及相对尺寸可能被夸大。自始至终相同附图标记表示相同的元件。应当明白，当元件或层被称为“在...上”、“与...相邻”、“连接到”或“耦合到”其它元件或层时，其可以直接地在其它元件或层上、与之相邻、连接或耦合到其它元件或层，或者可以存在居间的元件或层。相反，当元件被称为“直接在...上”、“与...直接相邻”、“直接连接到”或“直接耦合到”其它元件或层时，则不存在居间的元件或层。应当明白，尽管可使用术语第一、第二、第三等描述各种元件、部件、区、层和/或部分，这些元件、部件、区、层和/或部分不应当被这些术语限制。这些术语仅仅用来区分一个元件、部件、区、层或部分与另一个元件、部件、区、层或部分。因此，在不脱离本专利技术教导之下，下面讨论的第一元件、部件、区、层或部分可表示为第二元件、
部件、区、层或部分。空间关系术语例如“在...下”、“在...下面”、“下面的”、“在...之下”、“在...之上”、“上面的”等，在这里可为了方便描述而被使用从而描述图中所示的一个元件或特征与其它元件或特征的关系。应当明白，除了图中所示的取向以外，空间关系术语意图还包括使用和操作中的器件的不同取向。例如，如果附图中的器件翻转，然后，描述为“在其它元件下面”或“在其之下”或“在其下”元件或特征将取向为在其它元件或特征“上”。因此，示例性术语“在...下面”和“在...下”可包括上和下两个取向。器件可以另外地取向(旋转90度或其它取向)并且在此使用的空间描述语相应地被解释。在此使用的术语的目的仅在于描述具体实施例并且不作为本专利技术的限制。在此使用时，单数形式的“一”、“一个”和“所述/该”也意图包括复数形式，除非上下文清楚指出另外的方式。还应明白术语“组成”和/或“包括”，当在该说明书中使用时，确定所述特征、整数、步骤、操作、元件和/或部件的存在，但不排除一个或更多其它的特征、整数、步骤、操作、元件、部件和/或组的存在或添加。在此使用时，术语“和/或”包括相关所列项目的任何及所有组合。为了彻底理解本专利技术，将在下列的描述中提出详细的步骤以及详细的结构，以便阐释本专利技术的技术方案。本专利技术的较佳实施例详细描述如下，然而除了这些详细描述外，本专利技术还可以具有其他实施方式。实施例1为了解决现有技术中存在的问题，本专利技术提供了一种MEMS器件的制备方法，下面结合附图2a-2e对所述方法做进一步的说明。首先，执行步骤201，提供晶圆201，并在所述晶圆上形成胶带202，以保护所述晶圆。具体地，如图2a所示，其中所述晶圆201可以选用硅、多本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种晶圆厚度的测量方法，包括：步骤S1：提供晶圆，并在所述晶圆上形成胶带，以保护所述晶圆；步骤S2：在所述晶圆的边缘形成凹槽；步骤S3：测量所述凹槽的深度H1；步骤S4：对所述晶圆进行研磨打薄，以降低所述晶圆的厚度；步骤S5：再次测量所述凹槽的深度H2；步骤S6：根据所述步骤S3中所述深度H1和所述步骤S5中的所述深度H2计算所述晶圆研磨去除的量。

【技术特征摘要】
1.一种晶圆厚度的测量方法，包括：步骤S1：提供晶圆，并在所述晶圆上形成胶带，以保护所述晶圆；步骤S2：在所述晶圆的边缘形成凹槽；步骤S3：测量所述凹槽的深度H1；步骤S4：对所述晶圆进行研磨打薄，以降低所述晶圆的厚度；步骤S5：再次测量所述凹槽的深度H2；步骤S6：根据所述步骤S3中所述深度H1和所述步骤S5中的所述深度H2计算所述晶圆研磨去除的量。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述步骤S1中，在形成所述胶带之前，还进一步包括对所述晶圆进行预清洗的步骤。3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述步骤S2中，对所述晶圆的边缘进行半切割，以形成所述凹槽。4.根据权利要求...

【专利技术属性】
技术研发人员：郑超，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31