【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种新型C-Mount单发射腔半导体激光器,主要应用于半导体激光器泵浦,夜视照明,激光测距等领域。
技术介绍
C-Mount半导体激光器是工业标准的半导体激光器封装结构,其特点是在热沉上镀上薄膜金属焊料,直接焊接半导体芯片,然后金丝键合到负极引线。现有的C-Mount半导体激光器多为单引线结构的半导体激光器,热沉为正极,飘带为负极,这样产生的问题就是半导体激光器只能实现特定的功用,每当对半导体激光器提出新的使用要求后都得进行重新设计和改变,所以亟待专利技术一种新的半导体激光器结构来解决上述产生的问题。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种新型C-Mount单发射腔半导体激光器,其结构简单,易于制造,性能稳定可靠,能满足对C-Mount封装半导体激光器的不同功用的需求。本专利技术的技术方案是这样实现的:一种新型C-Mount单发射腔半导体激光器,其特征在于:主体顶面两侧为凸起的左侧凸台和右侧凸台,左侧凸台与左侧电极之间以及右侧凸台与右侧电极之间均留有实现绝缘的缝隙,主体中间平面上焊接有陶瓷衬底,陶瓷衬底表面覆盖金属层,金属层分为左侧金属层、中心金属层和右侧金属层三部分,每部分的金属层之间相互绝缘,中心金属层的方框区域覆有一层金锡焊料,焊料区中心位置焊接有半导体芯片,左侧电极与左侧金属层金丝键合,左侧金属层与金属层金丝键合,本体中心位置的半导体芯片上表面与右侧金属层金丝键合,右侧电极与右侧金属层金丝键合。所述的左侧电极在与左侧金属层金丝键合的基础上与左侧凸台金丝键合。所述的右侧电极在右侧金属层金丝键合的基础上与右侧凸台金丝键合。所述的主体中心位 ...
【技术保护点】
一种新型C‑Mount单发射腔半导体激光器,其特征在于:主体顶面两侧为凸起的左侧凸台和右侧凸台,左侧凸台与左侧电极之间以及右侧凸台与右侧电极之间均留有实现绝缘的缝隙,主体中间平面上焊接有陶瓷衬底,陶瓷衬底表面覆盖金属层,金属层分为左侧金属层、中心金属层和右侧金属层三部分,每部分的金属层之间相互绝缘,中心金属层的方框区域覆有一层金锡焊料,焊料区中心位置焊接有半导体芯片,左侧电极与左侧金属层金丝键合,左侧金属层与金属层金丝键合,本体中心位置的半导体芯片上表面与右侧金属层金丝键合,右侧电极与右侧金属层金丝键合。
【技术特征摘要】
1.一种新型C-Mount单发射腔半导体激光器,其特征在于:主体顶面两侧为凸起的左侧凸台和右侧凸台,左侧凸台与左侧电极之间以及右侧凸台与右侧电极之间均留有实现绝缘的缝隙,主体中间平面上焊接有陶瓷衬底,陶瓷衬底表面覆盖金属层,金属层分为左侧金属层、中心金属层和右侧金属层三部分,每部分的金属层之间相互绝缘,中心金属层的方框区域覆有一层金锡焊料,焊料区中心位置焊接有半导体芯片,左侧电极与左侧金属层金丝键合,左侧金属层与金属层金丝键合,本体中心位置的半导体芯片上表面与右侧金属层金丝键合,右侧电极与右侧金属层金丝键合。2....
【专利技术属性】
技术研发人员:王宪涛,王斌,王勇,赵梓涵,陈振杰,
申请(专利权)人:长春长理光学精密机械有限公司,
类型:发明
国别省市:吉林;22
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