真空灭弧室的屏蔽筒的固定结构及真空灭弧室制造技术

技术编号:14136903 阅读:116 留言:0更新日期:2016-12-10 09:21
本实用新型专利技术公开一种真空灭弧室的屏蔽筒的固定结构,所述真空灭弧室包括瓷壳;该固定结构包括:设置于所述屏蔽筒外壁面的呈圆台状的并与该屏蔽筒同心的对中定位台;设置于所述瓷壳内壁面的与该瓷壳同心的并与所述对中定位台适配的对中定位口;其中,所述对中定位台与所述对中定位口同心。它能提高真空灭弧室的屏蔽筒与该真空灭弧室的瓷壳之间同轴度,进而均压电场,提升产品绝缘水平。本实用新型专利技术还公开一种真空灭弧室,包括上述结构的真空灭弧室的屏蔽筒的固定结构。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及电真空器件,具体涉及真空灭弧室的屏蔽筒的固定结构及真空灭弧室
技术介绍
真空灭弧室中所用屏蔽筒,影响其管内电场分布、绝缘水平等关键技术参数。现有的屏蔽筒固定方式,由于其与瓷壳配合存在问题,不能保证两者的同轴度要求,已经不能满足其均压电场,提升产品绝缘能力的设计要求,甚至出现屏蔽筒偏移导致瓷壳击穿,产品报废的现象。目前、真空灭弧室所用的屏蔽筒,由于其与瓷壳固定方式不合理,造成屏蔽筒与瓷壳的同轴度偏差过大,影响真空灭弧室内部电场的均匀分布,进一步影响产品的绝缘水平,存在质量隐患。为此,期望寻求一种技术方案,以至少减轻上述问题。
技术实现思路
一方面,本技术要解决的技术问题是,提供一种真空灭弧室的屏蔽筒的固定结构,其能保证真空灭弧室的屏蔽筒与该真空灭弧室的瓷壳之间的同轴度。另一方面,本技术要解决的技术问题是,提供一种真空灭弧室,该真空灭弧室的屏蔽筒与该真空灭弧室的瓷壳之间的同轴度满足内部均压电场、提升耐压水平的要求。为解决一方面的技术问题,本技术采用如下技术方案。一种真空灭弧室的屏蔽筒的固定结构,所述真空灭弧室包括瓷壳;该固定结构包括:设置于所述屏蔽筒外壁面的呈圆台状的与该屏蔽筒同心的对中定位台;以及设置于所述瓷壳内壁面的与该瓷壳同心的与所述对中定位台适配的对中定位口;其中,所述对中定位台与所述对中定位口同心。还包括固定于所述瓷壳与所述屏蔽筒之间的中间封接环。所述中间封接环呈L型,其一边与所述屏蔽筒的外壁面固定,其另一边与所述对中定位口的沿所述瓷壳径向延伸的面固定。所述对中定位台由所述屏蔽筒的侧壁缩径形成。所述对中定位台与所述对中定位口的同轴度<φ0.5mm。为解决另一方面的技术问题,本技术采用如下技术方案。一种真空灭弧室,包括上述结构的真空灭弧室的屏蔽筒的固定结构。本技术具有下述有益技术效果。本技术的瓷壳的对中定位口与屏蔽筒的对中定位台采用面接触,能保证屏蔽筒与瓷壳配合的同轴度,以满足设计要求(同轴度<φ0.5mm),进而均压电场,提升产品绝缘水平。并且采用中间封接环把屏蔽筒与瓷壳固定封接在一起的方法,能提高屏蔽筒与瓷壳配合的同轴度的稳定性。附图说明图1示意性示出本技术的结构图。具体实施方式为能详细说明本技术的技术特征及功效,并可依照本说明书的内容来实现,下面结合附图对本技术的实施方式进一步说明。图1示例性示出本技术众多实施例中的一种真空灭弧室的屏蔽筒的固定结构的实施例。该真空灭弧室的屏蔽筒的固定结构,真空灭弧室包括瓷壳1。该固定结构包括对中定位口11及对中定位台21。对中定位台21设置于屏蔽筒2外壁面,其呈圆台状,其与屏蔽筒2同心。本实施例中,对中定位台21由屏蔽筒2的侧壁缩径形成。对中定位口11设置于瓷壳1内壁面,其与瓷壳1同心,并且其与对中定位台21适配。当屏蔽筒2封接于瓷壳1内时,对中定位台21与对中定位口11同心,从而保证屏蔽筒2与瓷壳1的同轴要求。在一些实施例中,还包括固定于瓷壳1与屏蔽筒2之间的中间封接环3,以提高屏蔽筒与瓷壳配合的同轴度的稳定性。在一些实施例中,中间封接环3呈L型,其一边与屏蔽筒2的外壁面固定,其另一边与对中定位口11的沿瓷壳1径向延伸的面固定。例如,本实施例采用焊接固定,从而形成焊接层4、5。为满足产品实际要求,对中定位台21与对中定位口11的同轴度<φ0.5mm较佳。本技术还描述一种真空灭弧室,包括上述结构的真空灭弧室的屏蔽筒的固定结构。需要说明的是,上述具体实施方式中所描述的各个具体技术特征,在不矛盾的情况下,可以通过任何适合的方式进行组合。为了避免不必要的重复,本技术对各种可能的组合方式不再进行描述。上面参照实施例对本技术进行了详细描述,是说明性的而不是限制性的,在不脱离本技术总体构思下的变化和修改,均在本技术的保护范围之内。本文档来自技高网...
真空灭弧室的屏蔽筒的固定结构及真空灭弧室

【技术保护点】
一种真空灭弧室的屏蔽筒的固定结构,所述真空灭弧室包括瓷壳;其特征在于,该固定结构包括:设置于所述屏蔽筒外壁面的呈圆台状的与该屏蔽筒同心的对中定位台;以及设置于所述瓷壳内壁面的与该瓷壳同心的与所述对中定位台适配的对中定位口;其中,所述对中定位台与所述对中定位口同心。

【技术特征摘要】
1.一种真空灭弧室的屏蔽筒的固定结构,所述真空灭弧室包括瓷壳;其特征在于,该固定结构包括:设置于所述屏蔽筒外壁面的呈圆台状的与该屏蔽筒同心的对中定位台;以及设置于所述瓷壳内壁面的与该瓷壳同心的与所述对中定位台适配的对中定位口;其中,所述对中定位台与所述对中定位口同心。2.根据权利要求1所述的真空灭弧室的屏蔽筒的固定结构,其特征在于,还包括固定于所述瓷壳与所述屏蔽筒之间的中间封接环。3.根据权利要求2所述的真空灭弧室的屏蔽筒的固定结构,其特征在...

【专利技术属性】
技术研发人员:陈进冉隆科肖红王强
申请(专利权)人:成都凯赛尔电子有限公司
类型:新型
国别省市:四川;51

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