【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于回旋加速器设计技术,具体涉及一种230MeV超导回旋加速器防止引出区有害共振的机械结构。
技术介绍
根据回旋加速器的等时性原理,有 B 0 ( r ) = B c e n t e r γ ( r ) = B c e n t e r c 2 c 2 - ( ω 0 r ) 2 - - - ( 1 ) ]]>式中, ...
【技术保护点】
一种230MeV超导回旋加速器防止引出区有害共振的机械结构,其特征在于:磁极呈双层结构,下层为磁极根部,上层为与磁极根部同材质的导磁材料垫补板,所述的导磁材料垫补板固定在下层磁极根部的表面,上层导磁材料垫补板的凸出侧轮廓与下层磁极根部的凸出侧轮廓相比具有更大的反折角。
【技术特征摘要】
2016.07.29 CN 20161061392141.一种230MeV超导回旋加速器防止引出区有害共振的机械结构,其特征在于:磁极呈双层结构,下层为磁极根部,上层为与磁极根部同材质的导磁材料垫补板,所述的导磁材料垫补板固定在下层磁极根部的表面,上层导磁材料垫补板的凸出侧轮廓与下层磁极根部的凸出侧轮廓相比具有更大的反折角。2.如权利要求1所述的230MeV超导回旋加速器防止引出区有害共振的机械结构,其特征在于:所述的导磁材料垫补板的厚度小于所述磁极根部的...
【专利技术属性】
技术研发人员:崔涛,王川,李明,尹蒙,张天爵,吕银龙,
申请(专利权)人:中国原子能科学研究院,
类型:发明
国别省市:北京;11
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