一种高导热的功率器件封装结构和制作方法技术
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种高导热的功率器件封装结构和制作方法，属于封装
技术介绍
功率半导体器件在现代社会中被广泛应用，已从传统的工业控制、通信、计算机、消费电子、汽车等领域迈向新能源、轨道交通、智能电网、变频家电等诸多产业。传统的功率半导体封装技术是采用铅或无铅合金把器件的一个端面贴合在热沉衬底上，另外的端面与铝线楔或金线键合在一起。大功率和高击穿电压的功率器件如射频功放管、高压MOS开关管、激光器等也越来越多的采用非硅材料，如氮化镓、碳化硅、砷化镓等。功率器件封装具有高可靠性和高散热的要求，非硅衬底功率器件一般采用金锡焊片贴合到热沉衬底上，金锡焊层热导率为57W/m*K，一般厚度大于20微米，导热性能较差，且焊层中锡在功率器件工作高温环境中易老化变脆导致可靠性失效。
技术实现思路
为了解决上述技术问题，本专利技术提供了一种高导热的功率器件封装结构和制作方法。为了达到上述目的，本专利技术所采用的技术方案是：一种高导热的功率器件封装结构，功率器件通过金硅或金锗共晶层连接到热沉上，功率器件的衬底为非硅和非锗衬底。金硅或金锗共晶层厚度为0.5 um -5um。一种高导热的功率器件封装结构的制作方法，包括以下步骤：步骤1，功率器件背金和热沉镀层处理；功率器件背金的过程为：S11）在功率器件的衬底背面沉积金层；S12）在金层上沉积硅层/锗层；S13）在硅层/锗层上沉积金层；热沉镀层的过程为：S21）在热沉上镀阻挡层；S22）在阻挡层上面沉积金层；步骤2，将经过背金处理的功率器件以及镀层处理的热层，进行金硅或金锗共晶焊。硅层/锗层采用溅射或等离子加强化学气相淀积方式...
【技术保护点】
一种高导热的功率器件封装结构，其特征在于：功率器件通过金硅或金锗共晶层连接到热沉上，功率器件的衬底为非硅和非锗衬底。
【技术特征摘要】
1.一种高导热的功率器件封装结构，其特征在于：功率器件通过金硅或金锗共晶层连接到热沉上，功率器件的衬底为非硅和非锗衬底。2.根据权利要求1所述的一种高导热的功率器件封装结构，其特征在于：金硅或金锗共晶层厚度为0.5 um -5um。3.基于权利要求1所述的一种高导热的功率器件封装结构的制作方法，其特征在于：包括以下步骤：步骤1，功率器件背金和热沉镀层处理；功率器件背金的过程为：S11）在功率器件的衬底背面沉积金层；S12）在金层...
【专利技术属性】
技术研发人员：李琳松，张耀辉，
申请(专利权)人：昆山华太电子技术有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32
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