描述了一种OLED器件。将封装结构沉积在OLED结构上方，所述封装结构具有夹在阻挡层之间的有机缓冲层和设置于所述有机缓冲层上的界面层。在一个实例中，所述OLED器件包括：第一阻挡层，所述第一阻挡层设置在基板的一区域上，所述区域上设置有OLED结构；氟化缓冲层，所述氟化缓冲层包含含氟聚合物材料，所述氟化缓冲层设置在所述第一阻挡层上；界面层，所述界面层包含所述聚合物材料，所述界面层在所述氟化缓冲层上；以及第二阻挡层，所述第二阻挡层设置在所述界面层上。
【技术实现步骤摘要】
本公开案的实施方式一般涉及一种用于封装有机发光二极管(OLED)的装置。
技术介绍
OLED用于制造电视机屏、计算机监控器、移动手机、用于显示信息的其他手持设备等。如与液晶显示器(LCD)相比，OLED显示器响应时间更快、视角更大、对比度更高、重量更轻、功率较低且具有对柔性基板的顺应性，因此近来在显示器应用中已深受关注。OLED结构可具有的寿命有限，这表征为电致发光效率降低和驱动电压增加。OLED结构的劣化的主要原因在于因湿气或氧气入侵而形成了不发光的暗点。出于这个原因，OLED结构通常是由夹在阻挡层之间的缓冲层进行封装。缓冲层被用来填充第一阻挡层中的任何空隙或缺损，使得第二阻挡层具有实质上均匀的表面以用于沉积。然而，用于形成缓冲层的一些材料在所述阻挡层与第二阻挡层接触的界面处非期望地产生气泡。界面处形成的气泡可不利地损害膜堆叠粘附力，由此最终导致器件性能差和器件故障。因此，需要一种用于封装OLED结构的改进的装置。
技术实现思路
提供了用于OLED结构的封装结构，所述封装结构包括形成于夹在阻挡层之间的缓冲层上的界面层。所述缓冲层是用含氟等离子体形成的，其中所述界面层设置在所述缓冲层上以消除在形成所述阻挡层和所述界面层时的气泡形成。随后，在界面层上方沉积第二阻挡层。另外，为了确保良好粘附，可任选地在所述缓冲层与所述第一阻挡层之间形成缓冲粘附层。在一实施方式中，一种OLED器件包括：第一阻挡层，所述第一阻挡层 设置在基板的一区域上，所述区域上设置有OLED结构；氟化缓冲层，所述氟化缓冲层包含含氟聚合物材料，所述氟化缓冲层设置在所述第一阻挡层上；界面层，所述界面层包含所述聚合物材料，所述界面层在所述氟化缓冲层上；以及第二阻挡层，所述第二阻挡层设置在所述界面层上。在另一实施方式中，一种OLED器件包括：第一阻挡层，所述第一阻挡层设置在基板的一区域上，所述区域上设置有OLED结构；氟化等离子体聚合的六甲基二硅氧烷pp-HMDSO:F材料，所述氟化等离子体聚合的六甲基二硅氧烷pp-HMDSO:F材料形成在所述阻挡层上；以及等离子体聚合的六甲基二硅氧烷pp-HMDSO材料，所述等离子体聚合的六甲基二硅氧烷pp-HMDSO材料形成在所述氟化等离子体聚合的六甲基二硅氧烷pp-HMDSO:F材料上。附图说明因此，为了详细理解本公开案的上述特征结构的方式，上文简要概述的本公开案的更具体的描述可以参照实施方式进行，一些实施方式图示在附图中。然而，应当注意，附图仅图示本公开案的典型实施方式，且因此不应被视为本公开案的范围的限制，因为本公开案可允许其他等效的实施方式。图1是可用来执行本文中描述的方法的PECVD装置腔室的示意横截面图。图2是根据本公开案的一个实施方式的用于形成OLED器件的方法的流程图。图3A至图3E示出OLED器件在图2的方法的不同阶段期间的示意横截面图。为了促进理解，已尽可能使用相同元件符号指定各图所共有的相同元件。应预见到，一个实施方式的要素和特征可有利地并入其他实施方式，而无需进一步叙述。具体实施方式描述了用于形成OLED器件的方法。封装结构沉积在OLED结构上方，所述封装结构具有夹在阻挡层之间的缓冲层和设置在所述缓冲层上的界面层。 缓冲层是用含氟等离子体形成的，而形成在所述缓冲层上的界面层避免了可能在从含氟等离子体沉积缓冲层期间产生的气泡形成。随后，在界面层上方沉积第二阻挡层。在一个实例中，可以在与形成缓冲层相同的腔室中形成界面层。可将界面层配置为具有渐稀(例如，降低)的减小氟浓度的氟浓度梯度聚合物层或在界面层中未形成氟浓度的无氟聚合物层。图1是可用来执行本文中描述的操作的等离子体增强化学气相沉积(PECVD)装置的示意横截面图。所述装置包括处理腔室100，在处理腔室100中可将一或多个膜沉积到基板120上。处理腔室100一般包括壁102、底部104和喷淋头106，以用这些结构限定工艺容积。基板支撑件118设置在所述工艺容积内。工艺容积通过狭缝阀开口108接取，使得可将基板120移送进出处理腔室100。基板支撑件118耦接至致动器116以升高和降低基板支撑件118。升降杆122可移动地穿过基板支撑件118设置，以向和从基板接收表面移动基板120。基板支撑件118还包括用于将基板支撑件118维持在期望温度的加热和/或冷却元件124。基板支撑件118还包括RF回程带126，以在基板支撑件118的周缘处提供RF回程路径。喷淋头106通过紧固机构150耦接至背板112。喷淋头106通过一或多个紧固机构150耦接至背板112，以帮助防止喷淋头106下垂和/或控制喷淋头106的直度/曲度。气源132耦接至背板112，以便通过喷淋头106中的气体通路来向位于喷淋头106与基板120之间的处理区域提供气体。蒸汽输送系统(VDS)151可用来在通向或不通向远程等离子体功率源130的情况下来向处理腔室100供应气体。由于常规使用的液体输送系统有时会向处理腔室100供应未经充分蒸发的液体前驱物，因此液体前驱物的这种不完全的蒸发可导致当在基板120上形成膜层时产生不期望的气泡。因此，在向处理腔室100供应基于聚合物/液体的前驱物时，通过利用蒸汽输送系统151，可在进入处理腔室100之前更彻底地蒸发基于聚合物/液体的前驱物，由此更大地降低在沉积工艺期间气泡形成的可能性。真空泵110耦接至处理腔室100以将工艺容积维持在期望压力下。RF源128通过匹配网络190耦接至背板112和/或喷淋头106，以向喷淋头106提供 RF电流。RF电流在喷淋头106与基板支撑件118之间形成电场，使得可从位于喷淋头106与基板支撑件118之间的气体产生等离子体。远程等离子体源130(如电感耦合远程等离子体源130)耦接在气源132(穿过蒸汽输送系统151)与背板112之间。在基板处理步骤之间，可向远程等离子体源130提供清洁气体，使得产生远程等离子体。来自远程等离子体的基团可提供至处理腔室100，以便清洁腔室部件。清洁气体可进一步通过提供至喷淋头106的RF源128激发。喷淋头106另外通过喷淋头悬挂件134耦接至背板112。在一个实施方式中，喷淋头悬挂件134是柔性金属裙部。喷淋头悬挂件134可具有唇缘136，喷淋头106可置于唇缘136上。背板112可置于与腔室壁102耦接的突出部分114的上表面上以密封处理腔室100。图2是根据本公开案的各种实施方式用于在OLED器件上方形成封装结构的方法200的流程图。图3A至图3E示出OLED器件在图2的方法200的不同阶段期间的示意横截面图。方法200在工艺202处通过将基板300引入处理腔室(如处理腔室100)中开始，所述基板上设置有预成型OLED结构304。基板300可具有接触层302设置在基板上，并且OLED结构304设置在接触层302上，如图3A所示。在工艺204处，将掩模309在基板300上方对准，使得OLED结构304通过未受掩模309保护的开口307而暴露，如图3A所示。掩模309安置成使接触层302与OLED结构304相邻的部分305被掩模309覆盖，使得任何后续沉积的材料都不沉积在部分305上。接触层302的部分305是用于OLED器件的电触点，因此不可本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种OLED器件，其特征在于，所述OLED器件包括：第一阻挡层，所述第一阻挡层设置在基板的一区域上，所述区域上设置有OLED结构；氟化缓冲层，所述氟化缓冲层包含含氟聚合物材料，所述氟化缓冲层设置在所述第一阻挡层上；界面层，所述界面层包含所述聚合物材料，所述界面层在所述氟化缓冲层上；以及第二阻挡层，所述第二阻挡层设置在所述界面层上。
【技术特征摘要】
2014.07.03 US 62/020,955;2014.07.24 US 14/339,7051.一种OLED器件，其特征在于，所述OLED器件包括：第一阻挡层，所述第一阻挡层设置在基板的一区域上，所述区域上设置有OLED结构；氟化缓冲层，所述氟化缓冲层包含含氟聚合物材料，所述氟化缓冲层设置在所述第一阻挡层上；界面层，所述界面层包含所述聚合物材料，所述界面层在所述氟化缓冲层上；以及第二阻挡层，所述第二阻挡层设置在所述界面层上。2.根据权利要求1所述的器件，其特征在于，所述氟化缓冲层包含氟化等离子体聚合的六甲基二硅氧烷pp-HMDSO:F。3.根据权利要求1所述的器件，其特征在于，所述界面层是无氟六甲基二硅氧烷pp-HMDSO层，或具有变化的氟浓度的梯度六甲基二硅氧烷pp-HMDSO层。4.根据权利要求1所述的器件，其特征在于，所述第一阻挡层是电介质层，所述电介质层由氮化硅、氮氧化硅、二氧化硅、氧化铝、或氮化铝制成。5.根据权利要求1所述的器件，其特征在于，所述第二阻挡层是电介质层，所述电介质层由氮化硅、氮氧化硅、或二氧化硅制成。6.根据权利要求1所述的器件，其特征在于，所述氟化缓冲层具有的氟浓度小于10％的原子百分率。7.根据权利要求1所述的器件，其特征在于，所述器件进一步包括：缓冲粘附层，所述缓冲粘附层形成在所述第一阻挡层与所述氟化缓冲层之间。8.根据权利要求7所述的器件，其特征在于，所述缓冲粘附层是氮氧化硅层或氮化硅层。9.根据权利要求1所述的器件，其特征在于，所述器件进一步包括：应力减少层，所述应力减少层形成在所述界面层与所述第二阻挡层之间。10.根据权利要求9...
【专利技术属性】
技术研发人员：陈志坚，崔寿永，
申请(专利权)人：应用材料公司，
类型：新型
国别省市：美国;US
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