整流桥芯片制造技术

技术编号:14089178 阅读:53 留言:0更新日期:2016-12-02 12:38
整流桥芯片。涉及电子技术领域,尤其涉及对芯片化整流桥的改进。提供了一种散热性能好、芯片体积小、可靠性高的整流桥芯片。所述封装体置于所述基板的正面,所述基板的反面焊接在所述PCB板上;所述PCB板从上到下依次分为绝缘层一、电路板层、绝缘层二、散热板层和绝缘层三,所述基板的反面与所述散热板层接触,所述电路板层用于连接PCB板的其他器件。所述整流桥电路包括二极管芯片一A~二极管芯片四A,所述基板分为相互绝缘的区域一A~区域四A;所述区域一A上设二极管一A焊接位和二极管二A焊接位,所述区域二A上设二极管三A焊接位;本实用新型专利技术提升了散热性能,保证了电路连通性和工作的稳定性。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及电子
,尤其涉及对芯片化整流桥的改进。
技术介绍
目前,芯片化整流桥为了一般采用全封装模式,即除引脚外,其余部分用塑封包裹从而达到绝缘的目的,但是这类芯片在实际应用过程中由于塑封包裹,散热性能差,导致芯片温度升高,从而影响芯片性能,进而影响稳定性。为了提升散热性能,芯片内铜基板尺寸必须做的相对较大,才能将芯片散发的热量均布,从而达到降低芯片工作温度,提升芯片性能的目的。但是,增加了生产成本,不利于规模化生产。国家知识产权局2014-06-18公开了一项专利技术专利申请(申请号:2014100662098,名称:一种芯片散热方式)具体公开了一种芯片散热方式,包括芯片主体、高分子封装材料层和至少两片热双金属片组件,在芯片发热的时候散热表面积增大,当芯片不发热的时候,散热表面积增小,减少了散热表面的灰尘堆积,提高了封装结构的散热效率,但是,结构复杂,不利于大规模生产。
技术实现思路
本技术针对以上问题,提供了一种散热性能好、芯片体积小、可靠性高的整流桥芯片。本技术的技术方案是:包括封装体和伸出封装体的引脚一~引脚四,所述封装体内部设有焊接在基板上的整流桥电路;所述封装体置于所述基板的正面,所述基板的反面焊接在所述PCB板上;所述PCB板从上到下依次分为绝缘层一、电路板层、绝缘层二、散热板层和绝缘层三,所述基板的反面与所述散热板层接触,所述电路板层用于连接PCB板的其他器件。所述整流桥电路包括二极管芯片一A~二极管芯片四A,所述基板分为相互绝缘的区域一A~区域四A;所述区域一A上设二极管一A焊接位和二极管二A焊接位,所述区域二A上设二极管三A焊接位,所述区域四A上设二极管四A焊接位;所述区域一A上还设有伸出封装体的引脚一A,所述区域二A上还设有伸出封装体的引脚二A,所述区域三A上还设有伸出封装体的引脚三A,所述区域四A上还设有伸出封装体的引脚四A;所述二极管芯片一A负极向下焊接在所述二极管一A焊接位上,所述二极管芯片二A负极向下焊接在所述二极管二A焊接位上,所述二极管芯片三A负极向下焊接在所述二极管三A焊接位上,所述二极管芯片四A负极向下焊接在所述二极管四A焊接位上;所述二极管芯片一A的正极通过跳线与所述区域二A相连,所述二极管芯片二A的正极通过跳线与所述区域四A相连,所述二极管芯片三A的正极、二极管芯片四A的正极分别通过跳线与所述区域三A连接;所述引脚一A为正极输出引脚,所书引脚二A为交流输入引脚一,所述引脚三A为负极输出引脚,所述引脚四A为交流输入引脚二。所述整流桥电路包括二极管芯片一B~二极管芯片四B,所述基板分为相互绝缘的区域一B~区域四B;所述区域一B上设二极管三B焊接位,所述区域三B上设和二极管一B焊接位和二极管二B焊接位,所述区域四B上设二极管四B焊接位;所述区域一B上还设有伸出封装体的引脚一B,所述区域二B上还设有伸出封装体的引脚二B,所述区域三B上还设有伸出封装体的引脚三B,所述区域四B上还设有伸出封装体的引脚四B;所述二极管芯片一B负极向下焊接在所述二极管一B焊接位上,所述二极管芯片二B负极向下焊接在所述二极管二B焊接位上,所述二极管芯片三B负极向下焊接在所述二极管三B焊接位上,所述二极管芯片四B负极向下焊接在所述二极管四B焊接位上;所述二极管芯片一B的正极通过跳线与所述区域四B相连,所述二极管芯片二B的正极通过跳线与所述区域一B相连,所述二极管芯片三B的正极、二极管芯片四B的正极分别通过跳线与所述区域二B连接;所述引脚一B为交流输入引脚一,所述引脚二B为负极输出引脚,所述引脚三B为正极输出引脚,所述引脚四B为交流输入引脚二。所述整流桥电路包括二极管芯片一C~二极管芯片四C,所述基板分为相互绝缘的区域一C~区域四C;所述区域二C上设二极管一C焊接位和二极管二C焊接位,所述区域三C上设和二极管三C焊接位,所述区域四C上设二极管四C焊接位;所述区域一C上还设有伸出封装体的引脚一C,所述区域二C上还设有伸出封装体的引脚二C,所述区域三C上还设有伸出封装体的引脚三C,所述区域四C上还设有伸出封装体的引脚四C;所述二极管芯片一C负极向下焊接在所述二极管一C焊接位上,所述二极管芯片二C负极向下焊接在所述二极管二C焊接位上,所述二极管芯片三C负极向下焊接在所述二极管三C焊接位上,所述二极管芯片四C负极向下焊接在所述二极管四C焊接位上;所述二极管芯片一C的正极通过跳线与所述区域四C相连,所述二极管芯片二C的正极通过跳线与所述区域三C相连,所述二极管芯片三C的正极、二极管芯片四C的正极分别通过跳线与所述区域一C连接;所述引脚一C为负极输出引脚,所述引脚二C为正极输出引脚,所述引脚三C为交流输入引脚一,所述引脚四C为交流输入引脚二。所述引脚上设有断差面,所述断差面上开有凹槽。其特征在于所述跳线为桥状。本技术在传统PCB板上增加散热板层,利用散热板层与基板的直接接触,将二极管芯片工作时所产生的热量经由基板传递至散热板层,从而降低了基板以及二极管芯片工作时的温度,提高了芯片的稳定性。散热板层采用绝缘材料制成,不会对芯片的性能造成影响,在散热板层和电路板层中间设有绝缘层,进一步保障了芯片工作时不会受到散热板层的影响。提升了芯片的稳定性及安全性。芯片采用半封装形式(基板的一面封装,另一面露出),在保证散热性能的前提下,使得基板与二极管芯片之间的相对位置不会发生改变,保证了芯片工作的稳定性。在基板与引脚之间设断差面,使得引脚、基板与PCB板完全贴合,保证电路的连通性,同时也提升了散热性能。在断差面上设有凹槽,使得芯片在封装过程中封装所用的热塑性材料不会流至引脚的反面(即需要与PCB板接触的一面)从而保证电路连通性和工作的稳定性。附图说明图1是本技术结构示意图,图2是本技术实施例一基板结构示意图,图3是本技术实施例一芯片连接结构示意图,图4是本技术实施例二基板结构示意图,图5是本技术实施例二芯片连接结构示意图,图6本技术实施例三基板结构示意图,图7是本技术实施例三芯片连接结构示意图图8是本技术跳线结构示意图,图9是图8的俯视图,图10是本技术PCB板结构示意图,图11是本技术使用状态示意图,图12是本技术的电气原理图;图中1是封装体,2是基板,21A是区域一A,22A是区域二A,23A是区域三A,24A是区域四A,21B是区域一B,22B是区域二B,23B是区域三B,24A是区域四B,21C是区域一C,22C是区域二C,23C是区域三C,24C是区域四C,31A是二极管芯片一A焊接位,32A是二极管芯片二A焊接位,33A是二极管芯片三A焊接位,34A是二极管芯片四A焊接位,31B是二极管芯片一B焊接位,32B是二极管芯片二B焊接位,33B是二极管芯片三B焊接位,34B是二极管芯片四A焊接位,31C是二极管芯片一C焊接位,32C是二极管芯片二C焊接位,33A是二极管芯片三C焊接位,34C是二极管芯片四C焊接位,41是正极输出引脚,42是负极输出引脚,43是交流输入引脚一,44是交流输入引脚二,41A是引脚一A,42A是引脚二A,43A是引脚三A,44A是引脚四A,41B是引脚一B,42B是引脚二B,43B是引脚三B,44B是引脚四B,4本文档来自技高网...
整流桥芯片

【技术保护点】
整流桥芯片,焊接在PCB板上,包括封装体和伸出封装体的引脚一~引脚四,其特征在于,所述封装体内部设有焊接在基板上的整流桥电路;所述封装体置于所述基板的正面,所述基板的反面焊接在所述PCB板上;所述PCB板从上到下依次分为绝缘层一、电路板层、绝缘层二、散热板层和绝缘层三,所述基板的反面与所述散热板层接触,所述电路板层用于连接PCB板的其他器件。

【技术特征摘要】
1.整流桥芯片,焊接在PCB板上,包括封装体和伸出封装体的引脚一~引脚四,其特征在于,所述封装体内部设有焊接在基板上的整流桥电路;所述封装体置于所述基板的正面,所述基板的反面焊接在所述PCB板上;所述PCB板从上到下依次分为绝缘层一、电路板层、绝缘层二、散热板层和绝缘层三,所述基板的反面与所述散热板层接触,所述电路板层用于连接PCB板的其他器件。2.根据权利要求1所述的整流桥芯片,其特征在于,所述整流桥电路包括二极管芯片一A~二极管芯片四A,所述基板分为相互绝缘的区域一A~区域四A;所述区域一A上设二极管一A焊接位和二极管二A焊接位,所述区域二A上设二极管三A焊接位,所述区域四A上设二极管四A焊接位;所述区域一A上还设有伸出封装体的引脚一A,所述区域二A上还设有伸出封装体的引脚二A,所述区域三A上还设有伸出封装体的引脚三A,所述区域四A上还设有伸出封装体的引脚四A;所述二极管芯片一A负极向下焊接在所述二极管一A焊接位上,所述二极管芯片二A负极向下焊接在所述二极管二A焊接位上,所述二极管芯片三A负极向下焊接在所述二极管三A焊接位上,所述二极管芯片四A负极向下焊接在所述二极管四A焊接位上;所述二极管芯片一A的正极通过跳线与所述区域二A相连,所述二极管芯片二A的正极通过跳线与所述区域四A相连,所述二极管芯片三A的正极、二极管芯片四A的正极分别通过跳线与所述区域三A连接;所述引脚一A为正极输出引脚,所书引脚二A为交流输入引脚一,所述引脚三A为负极输出引脚,所述引脚四A为交流输入引脚二。3.根据权利要求1所述的整流桥芯片,其特征在于,所述整流桥电路包括二极管芯片一B~二极管芯片四B,所述基板分为相互绝缘的区域一B~区域四B;所述区域一B上设二极管三B焊接位,所述区域三B上设和二极管一B焊接位和二极管二B焊接位,所述区域四B上设二极管四B焊接位;所述区域一B上还设有伸出封装体的引脚一B,所述区域二B上还设有伸出封装体的引脚二B,所述区域三B上还设有伸出封装体的引脚三B...

【专利技术属性】
技术研发人员:范永胜赵俊王陆委王毅
申请(专利权)人:扬州扬杰电子科技股份有限公司
类型:新型
国别省市:江苏;32

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