【技术实现步骤摘要】
本技术涉及发光二极管
,具体为一种氮化镓系发光二极管结构。
技术介绍
在现有的氮化镓系LED 中,通常采用蓝宝石作为衬底。然而,由于蓝宝石与III 族氮化物之间的晶格失配以及III 族氮化物的极化特性,使得在活性层及整个LED 结构中存在很强的极化场,从而减弱了对载流子的限制作用,降低了器件的发光效率。由于p型AlGaN电子阻挡层的生长温度较高,而p型掺杂剂( 比如Mg) 在高温下的扩散系数增加很快,因此在p型AlGaN电子阻挡层高温生长的过程中,p型掺杂剂将不可避免地向位于其下的InGaN/GaN多量子阱有源区中扩散,这将对发光二极管产生严重的影响。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种氮化镓系发光二极管结构,以解决上述
技术介绍
中提出的问题。为实现上述目的,本技术提供如下技术方案:一种氮化镓系发光二极管结构,包括管壳,连接于管壳底端的陶瓷管座,设置于管壳内的晶片和两根引线;两根引线的上部穿过陶瓷管座伸入到管壳内且两根引线的顶端与均与晶片电连接;所述的晶片包括有从下至上依次设置的碳化硅衬底、氮化镓缓冲层、n型氮化镓接触层、氮化镓活性发光层、低温p型氮化镓层、高温p型氮化镓接触层和电子阻挡层。优选的,所述的氮化镓活性发光层的上表面上且位于低温p型氮化镓层的侧方设置有n型电极层。优选的,所述的电子阻挡层的上表面上设置有p型电极层。优选的,所述低温p型氮化镓层的厚度为5 ~ 300 纳米。所述的低温p型氮化镓层的生长温度为600℃~ 900℃;所述的n型氮化镓接触层的添加剂为硅烷。与现有技术相比,本技术的有益效果是:采用电子阻挡层加强对载流子的限制,与低温p型 ...
【技术保护点】
一种氮化镓系发光二极管结构,其特征在于:包括管壳(1),连接于管壳(1)底端的陶瓷管座(2),设置于管壳(1)内的晶片(4)和两根引线(3);两根引线(3)的上部穿过陶瓷管座(2)伸入到管壳(1)内且两根引线(3)的顶端与均与晶片(4)电连接;所述的晶片(4)包括有从下至上依次设置的碳化硅衬底(5)、氮化镓缓冲层(6)、n型氮化镓接触层(7)、氮化镓活性发光层(8)、低温p型氮化镓层(9)、高温p型氮化镓接触层(10)和电子阻挡层(11)。
【技术特征摘要】
1.一种氮化镓系发光二极管结构,其特征在于:包括管壳(1),连接于管壳(1)底端的陶瓷管座(2),设置于管壳(1)内的晶片(4)和两根引线(3);两根引线(3)的上部穿过陶瓷管座(2)伸入到管壳(1)内且两根引线(3)的顶端与均与晶片(4)电连接;所述的晶片(4)包括有从下至上依次设置的碳化硅衬底(5)、氮化镓缓冲层(6)、n型氮化镓接触层(7)、氮化镓活性发光层(8)、低温p型氮化镓层(9)、高温p型氮化镓接触层(10)和...
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