透过性评价方法技术

一种透过性评价方法，其是评价重金属离子相对于试验片的透过性的透过性评价方法，其具备在含有重金属离子的第1液与含有水及有机溶剂的第2液介由试验片而隔开的状态下，在设置于上述第1液侧的阳极与设置于上述第2液侧的阴极之间施加电压并测定在上述阳极与上述阴极之间流过的电流值的工序，上述试验片含有在半导体制造中使用的绝缘材料，上述第1液的重金属离子浓度为0.5mg/kg以上。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及重金属离子的透过性评价方法。详细而言，本专利技术涉及能够简便且迅速地评价重金属离子相对于含有在半导体制造中使用的绝缘材料的试验片的透过性的透过性评价方法。
技术介绍
近年来，随着智能手机、平板PC等的高功能化·高速化，它们中使用的半导体封装要求进一步的小型化、高容量化、高速化、薄型化。因此，在半导体封装中使用的晶片中，布线的微细化进一步发展，此外，在封装组装时也成为芯片进一步变薄的倾向。在这样的潮流中，近年来，特别是在DRAM及NAND型闪存器的领域，由于极微量的铜离子等重金属离子而产生动作不良情况的问题开始显现。一直以来已知，如果重金属离子与硅晶体相接，则在晶体内扩散，到达电路面，结果是产生动作不良情况。因此，为了防止附着于硅晶片上的重金属离子扩散至电路面，通常对硅晶片进行用于捕捉重金属离子的吸杂(gettering)处理。作为吸杂处理，例如主要使用在晶片内部设置吸杂层的方法(内吸杂，以下称为“IG”)、及在晶片背面设置吸杂层的方法(外吸杂，以下称为“EG”)。然而，通过近年的薄芯片化，能够形成于内部的吸杂层的厚度变小，其效果变得不能说是充分的。此外，就EG而言，由于在晶片背面形成微小的裂缝，所以芯片的抗折强度降低。因此，特别是就处理困难的极薄晶片而言，产生难以进行过度的吸杂处理的问题。在这样的状况中，近年来研究了对芯片-基板间或芯片-芯片间的粘接中使用的管芯焊接膜赋予吸杂功能的方案(例如，参照下述专利文献1、2)然而，在判断通过这样的材料来赋予吸杂功能时，必须在使用形成有布线层的基板、或形成有电路的晶片实际制作封装后进行评价。该情况下，存在需要巨额的费用、长期的时间、装置等问题。在这样的情况下，研究了用于判断半导体用材料是否具有吸杂能力的新的评价方法。例如，在下述专利文献3中，公开了将硅晶片的一个面以重金属污染，通过加热将重金属扩散，在经污染的上述一个面上贴附作为评价对象的膜，在模拟软熔条件下热处理后，测定硅晶片的另一面(非污染面)的重金属离子的量的方法。此外，在下述专利文献4中，公开了在硅晶片的一个面上贴附作为评价对象的膜，将膜表面以重金属污染后，在模拟软熔条件下进行热处理，测定硅晶片的另一面(没有贴附膜的面)的重金属离子的量的方法。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2011-213878号公报专利文献2：日本特开2012-241157号公报专利文献3：日本特开2012-216621号公报专利文献4：日本特开2012-216622号公报
技术实现思路
专利技术所要解决的问题认为任一方法作为直接确认评价对象优先吸杂重金属的能力、或评价对象抑制重金属的透过的能力的方法均优异。然而，任一方法均在对硅晶片中的重金属进行定量时使用危险性极高的氢氟酸，此外，需要洁净度高的环境。进而，由于得到评价的作业繁杂，所以虽然作为暂时的评价方法是有效的，但是作为例如制品出厂时的制品检查等日常的评价方法不合适。此外，在上述专利文献2中，基于作为评价对象的膜的重金属离子吸附量来评价。然而，该情况下，虽然作为评价方法是简便的，但是例如作为被污染的基板中的重金属离子透过性的评价方法不合适，此外，没有考虑形成络合物而产生的重金属络合物在膜中的移动现象等的影响。本专利技术是鉴于这样的实情而进行的，目的是提供能够简便且迅速地评价重金属离子相对于含有在半导体制造中使用的绝缘材料的试验片的透过性的透过性评价方法。用于解决问题的方法本专利技术人反复进行了深入研究，结果发现，作为评价重金属离子相对于含有在半导体制造中使用的绝缘材料的试验片的透过性的透过性评价方法，通过在含有重金属离子的第1液与含有水及有机溶剂的第2液介由试验片而隔开的状态下，在设置于上述第1液侧的阳极与设置于上述第2液侧的阴极之间施加电压的特定的评价方法，可解决上述课题。本专利技术的第1实施方式所述的透过性评价方法为评价重金属离子相对于试验片的透过性的透过性评价方法，其具备以下工序：在含有重金属离子的第1液与含有水及有机溶剂的第2液介由试验片而隔开的状态下，在设置于上述第1液侧的阳极与设置于上述第2液侧的阴极之间施加电压并测定在上述阳极与上述阴极之间流过的电流值，上述试验片含有在半导体制造中使用的绝缘材料，上述第1液的铜离子浓度为0.5mg/kg(＝ppm)以上。本专利技术的第2实施方式所述的透过性评价方法为评价重金属离子相对于试验片的透过性的透过性评价方法，其具备以下工序：在含有重金属离子的第1液与含有水及有机溶剂的第2液介由试验片而隔开的状态下，在设置于上述第1液侧的阳极与设置于上述第2液侧的阴极之间施加电压后，测定上述第2液的重金属离子浓度，上述试验片含有在半导体制造中使用的绝缘材料，上述第1液的铜离子浓度为0.5mg/kg(＝ppm)以上。根据本专利技术所述的透过性评价方法，能够简便且迅速地评价重金属离子相对于含有在半导体制造中使用的绝缘材料的试验片的透过性。根据本专利技术所述的透过性评价方法，即使不使用特殊的装置也能够简便且以短时间评价重金属离子的透过性。此外，本专利技术所述的透过性评价方法可以适用于制品检查等日常的评价。进而，根据本专利技术所述的透过性评价方法，可以同时评价相对于重金属离子的吸杂性、及重金属离子的透过性。上述第2液优选含有N-甲基-2-吡咯烷酮作为上述有机溶剂。上述第2液的N-甲基-2-吡咯烷酮的含量优选为20质量％以上且60质量％以下。上述第2液的导电率优选在23℃下为1μS以上。上述第1液也可以含有铜离子作为上述重金属离子。上述第1液的铜离子浓度优选为50000mg/kg以下。上述在半导体制造中使用的绝缘材料也可以为半导体用粘接带。专利技术效果根据本专利技术，能够提供可以简便且迅速地评价重金属离子相对于含有在半导体制造中使用的绝缘材料的试验片的透过性的透过性评价方法。根据本专利技术所述的透过性评价方法，即使不使用特殊的装置也能够简便且以短时间评价重金属离子的透过性。此外，本专利技术所述的透过性评价方法可以适用于制品检查等日常的评价。进而，根据本专利技术所述的透过性评价方法，可以同时评价相对于重金属离子的吸杂性、及重金属离子的透过性。附图说明图1是表示重金属离子的透过性的评价中使用的电解槽的一个例子的示意图。图2是表示重金属离子的透过性的评价中使用的测定装置的一个例子的示意图。图3是表示重金属离子的透过性的评价中使用的测定装置的一个例子的示意图。图4是表示实施例1的电流值的测定结果的图。图5是表示实施例5的铜离子浓度的测定结果的图。具体实施方式以下，根据需要一边参照附图，一边对用于实施本专利技术的方式进行详细说明。但是，本专利技术并不限定于以下的实施方式。本实施方式所述的透过性评价方法(以下，根据情况，简称为“评价方法”)为评价重金属离子相对于含有在半导体制造中使用的绝缘材料(半导体用绝缘材料)的试验片的透过性的透过性评价方法。本实施方式所述的评价方法在A液(第1液)与B液(第2液)介由试验片而隔开的状态下，在设置于A液侧的阳极与设置于B液侧的阴极之间施加电压。A液含有重金属离子。B液含有水及有机溶剂。A液的重金属离子浓度为0.5mg/kg以上。本实施方式所述的评价方法具备以下工序：(I)在A液与B液介由试验片而隔开的状态下，在设置于A液侧的阳极与设置于B液侧的阴极之间施加电本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种透过性评价方法，其是评价重金属离子相对于试验片的透过性的透过性评价方法，其具备以下工序：在含有重金属离子的第1液与含有水及有机溶剂的第2液介由试验片而隔开的状态下，在设置于所述第1液侧的阳极与设置于所述第2液侧的阴极之间施加电压并测定在所述阳极与所述阴极之间流过的电流值的工序，所述试验片含有在半导体制造中使用的绝缘材料，所述第1液的重金属离子浓度为0.5mg/kg以上。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种透过性评价方法，其是评价重金属离子相对于试验片的透过性的透过性评价方法，其具备以下工序：在含有重金属离子的第1液与含有水及有机溶剂的第2液介由试验片而隔开的状态下，在设置于所述第1液侧的阳极与设置于所述第2液侧的阴极之间施加电压并测定在所述阳极与所述阴极之间流过的电流值的工序，所述试验片含有在半导体制造中使用的绝缘材料，所述第1液的重金属离子浓度为0.5mg/kg以上。2.一种透过性评价方法，其是评价重金属离子相对于试验片的透过性的透过性评价方法，其具备以下工序：在含有重金属离子的第1液与含有水及有机溶剂的第2液介由试验片而隔开的状态下，在设置于所述第1液侧的阳极与设置于所述第2液侧的阴极之间施加电压后，测定所述第2液的重金属离子浓度的工序，所述试验片含有...

【专利技术属性】
技术研发人员：铃村浩二，山本和弘，村桥智子，
申请(专利权)人：日立化成株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP