等离子体处置系统技术方案

在等离子体处置系统中，对导电性溶液的灌注层的温度进行探测的温度探测部固定于处置部且位于在第一电极部和第二电极部浸在了所述灌注层中的状态下浸在所述灌注层中的位置。在所述等离子体处置系统中，控制部基于所述温度探测部的探测结果来对由温度调整单元进行的温度的调整和所述导电性溶液的供给量及吸引量进行控制，从而调整所述灌注层中的所述导电性溶液的温度，使得成为所述灌注层的所述温度在目标的温度范围的状态。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种等离子体处置系统，该等离子体处置系统使高频电流在设置于处置部的第一电极部与第二电极部之间经过导电性溶液的灌注层地流动，由此使灌注层中产生等离子体，并使用所产生的等离子体来对处置对象进行处置。
技术介绍
在专利文献1中公开了一种具备在探头的处置部设置有第一电极部(有源电极)和第二电极部(回流电极)的处置器具的等离子体处置系统。在该等离子体处置系统中，第一电极部以相对于第二电极部的相对位置不发生变化的状态设置。另外，在处置器具中设置有套管，探头以处置部朝向前端方向突出的状态穿过该套管。在套管与探头之间形成有供给路径，在套管的前端形成有供给路径的喷出口。另外，在探头的内部形成有吸引路径，在处置部的前端面形成有吸引路径的吸引口。在处置中，经过供给路径供给导电性溶液(生理盐水)，经过吸引路径吸引所供给的导电性溶液。由此，在处置中，在处置对象与处置部之间形成从供给路径的喷出口朝向吸引路径的吸引口的导电性溶液的灌注层。通过在第一电极部和第二电极部浸在了灌注层中的状态下向第一电极部和第二电极部传递高频能量(高频电力)，从而高频电流在第一电极部与第二电极部之间的灌注层中流过。当使第一电极部与第二电极部之间的电压变大时，高频电流在导电性溶液的灌注层中流过，由此在第一电极部与第二电极部之间的灌注层中形成蒸汽层。然后，在蒸汽层中发生分解，在导电性溶液的灌注层中产生等离子体。在处置中，生物体组织等处置对象通过所产生的等离子体而消融(ablated)。将这种处置称为低温消融处置(low-temperature ablation treatment)，例如在扁桃体(tonsil)的切除中使用。此外，向第一电极部和第二电极部传递的高频能量的控制等由等离子体处置控制单元来进行。专利文献1：日本特开2011-45756号公报
技术实现思路
专利技术要解决的问题如所述专利文献1那样，在通过使高频电流在导电性溶液的灌注层中流过来使灌注层中产生等离子体并使用等离子体使处置对象消融的处置中，等离子体的产生状态根据灌注层中的导电性溶液的温度而发生变化。在所述专利文献1中，由于高频电流而灌注层中的导电性溶液的温度上升，但在从喷出口喷出之前，不调整导电性溶液的温度。因此，存在灌注层中导电性溶液没有成为适于处置的温度的情况。在该情况下，在灌注层中没有适当地产生等离子体，导致等离子体处置(低温消融处置)的处置性能下降。本专利技术是鉴于上述课题而完成的，其目的在于提供一种在两个电极部(第一电极部和第二电极部)所浸泡的灌注层中将导电性溶液调整为适于处置的温度的等离子体处置系统。用于解决问题的方案为了达成所述目的，本专利技术的某一方式的等离子体处置系统具备：供给路径，该供给路径上形成有用于喷出导电性溶液的喷出口，该供给路径向所述喷出口供给所述导电性溶液；吸引路径，该吸引路径上形成有用于吸引所述导电性溶液的吸引口，该吸引路径通过吸引所述导电性溶液来形成从所述喷出口朝向所述吸引口的所述导电性溶液的灌注层；处置部，其具备第一电极部和以相对于所述第一电极部的相对位置不发生变化的状态设置的第二电极部，通过向浸在了所述灌注层中的状态的所述第一电极部和所述第二电极部传递高频能量来使所述灌注层中产生等离子体，从而对处置对象进行处置；温度调整单元，其在从所述喷出口喷出之前调整所述导电性溶液的温度；温度探测部，其固定于所述处置部且位于在所述第一电极部和所述第二电极部浸在了所述灌注层中的状态下浸在所述灌注层中的位置，在浸在了所述灌注层中的状态下探测所述灌注层的温度；以及控制部，其基于所述温度探测部的探测结果来对由所述温度调整单元进行的所述导电性溶液的所述温度的调整进行控制，使得成为所述灌注层的所述温度在目标的温度范围的状态，并且对经过所述供给路径被供给的所述导电性溶液的供给量和经过所述吸引路径被吸引的所述导电性溶液的吸引量进行控制。专利技术的效果根据本专利技术，能够提供一种在两个电极部所浸泡的灌注层中将导电性溶液调整为适于处置的温度的等离子体处置系统。附图说明图1是表示第一实施方式所涉及的等离子体处置系统的概要图。图2是概要性地表示第一实施方式所涉及的套管的前端部和探头的处置部的结构的立体图。图3是表示第一实施方式所涉及的处置部附近的处置时的状态的概要图。图4是表示第一实施方式所涉及的等离子体处置控制单元的处置中的处理的流程图。图5是表示对图4的灌注层的灌注液体量进行调整的处理的流程图。图6是表示对图4的灌注层的温度进行调整的处理的流程图。图7是表示某一变形例所涉及的等离子体处置系统的概要图。具体实施方式(第一实施方式)参照图1至图6来说明本专利技术的第一实施方式。图1是表示本实施方式所涉及的等离子体处置系统1的图。关于该等离子体处置系统1，在产生等离子体并通过该等离子体使作为处置对象的生物体组织消融的处置中被使用。通过利用等离子体将生物体组织切除，使得对切除组织周边造成的热损伤变得较小，能够实现侵入性低的处置。例如，在耳鼻喉科领域中，在扁桃体组织的切除手术等中使用等离子体处置系统1。另外，例如既可以在整形外科领域中在切除滑膜、切除软骨等时使用该等离子体处置系统1，也可以在所有的剖腹手术中切除脏器(特别是肝脏)等时使用该等离子体处置系统1。如图1所示，等离子体处置系统1具备处置器具(等离子体处置器具)2。该处置器具2具有长轴C。在此，将与长轴C平行的两个方向中的一个方向作为前端方向(图1的箭头C1的方向)，将与前端方向相反的方向作为基端方向(图1的箭头C2)的方向。等离子体处置系统1具备能量生成器等能量源单元3、脚踏开关等能量操作输入部5。另外，在等离子体处置系统1中设置有供给源(送液源)6和吸引源7。而且，在等离子体处置系统1中设置有调温加热器等温度调整单元8。供给源6具备生理盐水袋等液体袋11和供给泵(送液泵)12。在液体袋11中填充有生理盐水等导电性溶液。在供给源6上连接有供给路径(送液路径)13的一端。在处置器具2的外部，例如通过外置的供给管(未图示)等形成供给路径13。通过使供给泵12工作，液体袋11中填充的导电性溶液(液体)经过供给路径13被供给(送液)。吸引源7具备排液罐16和吸引泵17。在吸引源7上连接有吸引路径18的一端。在处置器具2的外部，例如通过外置的吸引管(未图示)等形成吸引路径18。通过使吸引泵17工作，排液等吸引物经过吸引路径18被吸引，并被回收到排液罐16中。处置器具(等离子体处置器具)2具备供手术操作者保持的保持壳体(保持部)21、与保持壳体21的前端方向侧连结的套管22、以及穿过套管22的探头23。探头23和套管22从前端方向侧插入到保持壳体21的内部。在探头23的前端部形成有处置部25。处置部25从套管22的前端朝向前端方向突出。在保持壳体21上可装卸地连接有线缆26的一端。线缆26的另一端与能量源单元3连接。图2是表示套管22的前端部和探头23的处置部25的结构的图。如图2所示，处置部25从套管22朝向前端方向突出，暴露到外部。处置部25具备形成探头23的前端的前端面27和形成处置部25的外周的外周面28。如图1所示，在保持壳体21上形成有供给端口(送液端口)31。供给路径13从供给端口31插入到保持壳体21的内部。而且，在本实施方式中，供给本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种等离子体处置系统，具备：供给路径，该供给路径上形成有用于喷出导电性溶液的喷出口，该供给路径向所述喷出口供给所述导电性溶液；吸引路径，该吸引路径上形成有用于吸引所述导电性溶液的吸引口，该吸引路径通过吸引所述导电性溶液来形成从所述喷出口朝向所述吸引口的所述导电性溶液的灌注层；处置部，其具备第一电极部和以相对于所述第一电极部的相对位置不发生变化的状态设置的第二电极部，通过向浸在了所述灌注层中的状态下的所述第一电极部和所述第二电极部传递高频能量来使所述灌注层中产生等离子体，从而对处置对象进行处置；温度调整单元，其在从所述喷出口喷出之前调整所述导电性溶液的温度；温度探测部，其固定于所述处置部且位于在所述第一电极部和所述第二电极部浸在了所述灌注层中的状态下浸在所述灌注层中的位置，在浸在了所述灌注层中的状态下探测所述灌注层的温度；以及控制部，其基于所述温度探测部的探测结果来对由所述温度调整单元进行的所述导电性溶液的所述温度的调整进行控制，使得成为所述灌注层的所述温度在目标的温度范围的状态，并且对经过所述供给路径被供给的所述导电性溶液的供给量和经过所述吸引路径被吸引的所述导电性溶液的吸引量进行控制。...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2014.04.11 JP 2014-0822881.一种等离子体处置系统，具备：供给路径，该供给路径上形成有用于喷出导电性溶液的喷出口，该供给路径向所述喷出口供给所述导电性溶液；吸引路径，该吸引路径上形成有用于吸引所述导电性溶液的吸引口，该吸引路径通过吸引所述导电性溶液来形成从所述喷出口朝向所述吸引口的所述导电性溶液的灌注层；处置部，其具备第一电极部和以相对于所述第一电极部的相对位置不发生变化的状态设置的第二电极部，通过向浸在了所述灌注层中的状态下的所述第一电极部和所述第二电极部传递高频能量来使所述灌注层中产生等离子体，从而对处置对象进行处置；温度调整单元，其在从所述喷出口喷出之前调整所述导电性溶液的温度；温度探测部，其固定于所述处置部且位于在所述第一电极部和所述第二电极部浸在了所述灌注层中的状态下浸在所述灌注层中的位置，在浸在了所述灌注层中的状态下探测所述灌注层的温度；以及控制部，其基于所述温度探测部的探测结果来对由所述温度调整单元进行的所述导电性溶液的所述温度的调整进行控制，使得成为所述灌注层的所述温度在目标的温度范围的状态，并且对经过所述供给路径被供给的所述导电性溶液的供给量和经过所述吸引路径被吸引的所述导电性溶液的吸引量进行控制。2.根据权利要求1所述的等离子体处置系统，其特征在于，还具备目标设定部，该目标设定部设定成为所述灌注层的目标的所述温度范围。3.根据权利要求2所述的等离子体处置系统，其特征在于，还具备高频能量源，该高频能量源能够输出向所述第一电极部和所述第二电极部传递的所述高频能量，所述目标设定部基于有无从所述高频能量源输出所述高频能量或者所述高频能量的输出状态来设定成为所述目标的所述温度范围。4.根据权利要求2所述的等离子体处置系统，其特征在于，还具备：供给量探测部，其对经过所述供给路径被供给的所述导电性溶液的所述供给量进行探测；吸引量探测部，其对已从所述喷出口喷出的所述导电性溶液的经过所述吸引路径的所述吸引量进行探测；以及运算处理部，其基于所述供给量探测部的探测结果和所述吸引量探测部的探测结果，来计算所述灌注层中的所述导电性溶液的灌注液体量，其中，所述目标设定部基于计算出的所述灌注液体量来设定成为所述目标的所述温度范围。5.根据权利要求4所述的等离子体处置系统，其特征在于，所述控制部基于计算出的所述灌注液体量来调整经过所述供给路径的所述供给量或者经过所述吸引路径的所述吸引量。...

【专利技术属性】
技术研发人员：石川学，木村修一，渡边宏一郎，
申请(专利权)人：奥林巴斯株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP