晶片的加工方法技术

提供晶片的加工方法，抑制晶片在搬送时破损并容易地校正激光光线的照射位置。晶片的加工方法具有保护带粘接步骤(ST1)、切削槽形成步骤(ST4)和分割步骤(ST5)。保护带粘接步骤中，将因外部刺激而硬化的保护带粘接在晶片的功能层的正面上。切削槽形成步骤中，通过切削刀具从晶片的基板的背面侧沿着分割预定线进行切削，形成残留出不到达功能层的残存部的切削槽。在实施了切削槽形成步骤之后，在分割步骤(ST5)中，沿着切削槽照射对于基板具有吸收性的波长的激光光线，对残存部进行分割而将晶片分割成器件芯片。在切削槽形成步骤(ST4)中，在晶片的外周剩余区域内形成非加工部，该非加工部不形成切削槽。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及晶片的加工方法。
技术介绍
关于形成有IC或LSI等器件的半导体晶片，将通过功能层形成半导体器件的制造方法实用化，该功能层是为了提高处理能力而在基板的正面上层叠的由SiOF、BSG(SiOB)等无机物类的膜和作为聚酰亚胺类、聚对二甲苯类等聚合物膜的有机物类的膜构成的低介电常数绝缘体被膜(Low-k膜)。由于该膜具有容易因切削刀具所进行的切削而从基板剥离的较脆的性质，所以实施如下的加工方法：通过激光光线对膜进行切槽(grooving)而去除，并在其间定位切削刀具而分割基板(专利文献1)。但是，在该加工方法中，由于超过切削刀具的宽度而去除功能层，因此存在如下的课题：需要多次的激光扫描且较长地花费加工时间，根据去除功能层后所形成的槽的形状，刀具会发生不均匀磨损，并且为了防止由激光加工产生的碎屑的附着需要覆盖保护膜，并且由于在功能层的正面上形成有包含SiO2、SiN等的钝化膜，所以存在当照射激光时透过钝化膜而到达功能层的内部而损伤器件的担心。因此，本专利技术的申请人提出了下述的能够解决以上课题的加工方法：通过切削刀具从晶片的背面形成具有规定的量的切削残留部的槽，并利用激光或者等离子体蚀刻越过槽去除功能层。专利文献1：日本特开2005-64231号公报但是，在通过切削刀具从晶片的背面形成具有规定的量的切削残留部的槽并利用激光或者等离子体蚀刻来越过槽去除功能层的加工方法中，在通过切削刀具对晶片(基板)的厚度的大部分进行了切削之后，将晶片搬入到激光加工装置对晶片进行分割，因此仍留有晶片在搬送时发生破损的担心。并且，还存在如下的课题：虽然对切削槽的槽底照射激光光线，但是即使对槽底进行拍摄也很难看到激光光线的照射痕迹，即使照射位置产生了偏移也很难发现位置偏移，很难对激光光线的照射位置进行
校正。
技术实现思路
本专利技术是鉴于上述情况而完成的，其技术课题在于提供晶片的加工方法，能够抑制晶片在搬送时发生破损，并能够容易地对激光光线的照射位置进行校正。根据本专利技术，提供一种晶片的加工方法，该晶片在层叠于基板的正面上的功能层中形成有呈格子状形成的多条分割预定线、以及分别形成在由该分割预定线划分出的多个区域中的器件，并且该晶片具有形成有多个器件的器件区域、以及围绕该器件区域的外周剩余区域，该晶片的加工方法具有如下的步骤：保护带粘接步骤，在功能层的正面上粘接因外部刺激而硬化的保护带；切削槽形成步骤，在实施了该保护带粘接步骤之后，通过切削刀具从基板的背面侧沿着分割预定线进行切削，形成残留出不到达功能层的残存部的切削槽；以及分割步骤，在实施了该切削槽形成步骤之后，沿着该切削槽照射对于基板具有吸收性的波长的激光光线，对该残存部进行分割而将晶片分割成多个器件芯片，在该切削槽形成步骤中，在外周剩余区域残存出不形成切削槽的非加工部。优选晶片的加工方法的该分割步骤中，对包含该非加工部在内的与分割预定线对应的区域照射激光光线而在该非加工部的正面形成激光加工槽，该分割步骤还具有：偏移量检测步骤，通过拍摄构件对形成于该非加工部的该激光加工槽进行拍摄，检测希望的激光光线照射位置与该激光加工槽的位置的偏移量作为加工位置校正信息；以及位置校正步骤，在实施了该偏移量检测步骤之后，根据该加工位置校正信息对激光光线的照射位置进行校正。根据本专利技术的晶片的加工方法，起到如下的效果：由于在切削槽形成步骤中在晶片的外周剩余区域形成非加工部，所以成为在晶片的外周具有加强部的状态，因此能够抑制晶片在搬送时破损。进而，由于也对非加工部照射激光光线，从而起到如下的效果：由于能够利用作为平坦的表面的非加工部明确地确认激光光线的照射位置，所以能够容易地对激光光线的照射位置进行校正。附图说明图1是示出实施方式的晶片的加工方法的加工对象的晶片的立体图。图2是加工对象的晶片的主要部分的剖视图。图3的(a)、(b)是示出保护带粘接步骤的概要的立体图。图4是示出将保护带粘接步骤后的晶片保持在切削装置的卡盘工作台上的状态的立体图。图5的(a)、(b)是示出高度记录步骤的概要的侧视图。图6的(a)、(b)是示出厚度记录步骤的概要的侧视图。图7的(a)、(b)是示出切削槽形成步骤的概要的剖视图。图8的(a)、(b)是图7的(a)、(b)所示的晶片的放大剖视图。图9是示出将切削槽形成步骤后的晶片保持在激光加工装置的卡盘工作台上的状态的立体图。图10是示出分割步骤的概要的剖视图。图11的(a)、(b)是示出分割步骤的概要的晶片的主要部分放大剖视图。图12是示出分割步骤的激光加工槽形成途中的晶片等的立体图。图13是示出分割步骤的激光加工槽形成途中的晶片等的又一立体图。图14是示出激光加工装置的拍摄构件对图9中的XIV部进行拍摄而得到的图像的一例的图。图15是示出激光加工装置的拍摄构件对图12和图13中的XV部进行拍摄而得到的图像的一例的图。图16是示出实施方式的晶片的加工方法的流程的一例的图。标号说明14：切削刀具；22：拍摄构件；B：基板；Ba：正面；Bb：背面；CR：切削槽；D：器件；DT：器件芯片；DA：偏移量(加工位置校正信息)；DR：器件区域；GR：外周剩余区域；TG：保护带；FL：功能层；L：激光光线；LR：激光加工槽；S1、S2：分割预定线；SL：基准线(希望的激光光线照射位置)；W：晶片；UC：非加工部；UP：残存部；ST1：保护带粘接步骤；ST4：切削槽形成步骤；ST5：分割步骤；ST53：偏移量检测步骤；ST54：位置校正步骤。具体实施方式一边参照附图一边对用于实施本专利技术的方式(实施方式)进行详细地说明。本发
明不限于以下的实施方式中所记载的内容。并且，以下所记载的结构要素中包含本领域技术人员能够容易想到的要素或实质上相同的要素。此外，以下所记载的结构可以适当组合。并且，在不脱离本专利技术的主旨的范围内可以进行各种结构的省略、取代或者变更。【实施方式】根据图1到图16对实施方式的晶片的加工方法进行说明。图1是示出实施方式的晶片的加工方法的加工对象的晶片的立体图，图2是实施方式的晶片的加工方法的加工对象的晶片的主要部分的剖视图，图3的(a)是示出实施方式的晶片的加工方法的保护带粘接步骤的保护带粘接前的晶片等的立体图，图3的(b)是示出实施方式的晶片的加工方法的保护带粘接步骤的保护带粘接后的晶片的立体图，图4是示出实施方式的晶片的加工方法的将保护带粘接步骤后的晶片保持在切削装置的卡盘工作台上的状态的立体图，图5的(a)是示出实施方式的晶片的加工方法的高度记录步骤前的概要的侧视图，图5的(b)是示出实施方式的晶片的加工方法的高度记录步骤后的概要的侧视图，图6的(a)是示出实施方式的晶片的加工方法的厚度记录步骤前的概要的侧视图，图6的(b)是示出实施方式的晶片的加工方法的厚度记录步骤后的概要的侧视图，图7的(a)是示出实施方式的晶片的加工方法的切削槽形成步骤的切削槽形成开始时的剖视图，图7的(b)是示出实施方式的晶片的加工方法的切削槽形成步骤的切削槽形成终止时的剖视图，图8的(a)是沿着图7的(a)中的VIIIA-VIIIA线的剖视图，图8的(b)是沿着图7的(b)中的VIIIB-VIIIB线的剖视图，图9是示出实施方式的晶片的加工方法的将切削槽形成步骤后的晶片本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种晶片的加工方法，该晶片在层叠于基板的正面上的功能层中形成有呈格子状形成的多条分割预定线、以及分别形成在由该分割预定线划分出的多个区域中的器件，并且该晶片具有形成有多个器件的器件区域、以及围绕该器件区域的外周剩余区域，该晶片的加工方法具有如下的步骤：保护带粘接步骤，在功能层的正面上粘接因外部刺激而硬化的保护带；切削槽形成步骤，在实施了该保护带粘接步骤之后，通过切削刀具从基板的背面侧沿着分割预定线进行切削，形成残留出不到达功能层的残存部的切削槽；以及分割步骤，在实施了该切削槽形成步骤之后，沿着该切削槽照射对于基板具有吸收性的波长的激光光线，对该残存部进行分割而将晶片分割成多个器件芯片，在该切削槽形成步骤中，在外周剩余区域残存出不形成切削槽的非加工部。

【技术特征摘要】
2015.05.19 JP 2015-1015991.一种晶片的加工方法，该晶片在层叠于基板的正面上的功能层中形成有呈格子状形成的多条分割预定线、以及分别形成在由该分割预定线划分出的多个区域中的器件，并且该晶片具有形成有多个器件的器件区域、以及围绕该器件区域的外周剩余区域，该晶片的加工方法具有如下的步骤：保护带粘接步骤，在功能层的正面上粘接因外部刺激而硬化的保护带；切削槽形成步骤，在实施了该保护带粘接步骤之后，通过切削刀具从基板的背面侧沿着分割预定线进行切削，形成残留出不到达功能层的残存部的切削槽；以及分割步骤，在实施了该切削槽形成...

【专利技术属性】
技术研发人员：小川雄辉，长冈健辅，小幡翼，伴祐人，
申请(专利权)人：株式会社迪思科，
类型：发明
国别省市：日本;JP