【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】相关申请的交叉参考本专利申请涉及同一日期提交的题为“Cross-Coupled Thyristor SRAM Circuits and Methods of Operation”的美国专利申请No.14/590,834,二者都要求于2014年9月25日提交的美国临时专利申请No.62/055,582的优先权,其连同本申请中引用的全部其他参考文献一起并入本文中。
本专利技术涉及具有存储器功能的集成电路器件,具体而言,涉及静态随机存取存储器(SRAM)器件。
技术介绍
从1950年代末专利技术集成电路以来,电路设计一直在不断发展,特别是对于集成器件,与开发半导体技术是一致的。早期的技术是双极技术,与后来的集成电路技术相比,其占用了半导体衬底表面上的大量空间,并需要大量的电流而由此产生高功耗。稍后的场效应技术,特别是MOS(金属氧化物半导体)技术,使用晶体管,与它们的双极型对手相比小得多,具有较低电流,因而具有低功耗。CMOS(互补MOS)技术更进一步降低了集成电路中的电流和功耗。目前几乎所有大规模集成电路已经转向了互补金属氧化物半导体(CMOS)技术。用于半导体存储器的双极技术已经研究多年了。但这项研究通常集中在单个存储器单元,并已在得到存储器单元可以是阵列的一部分的结论后停止。双极存储器单元阵列的进一步研究和开发已受阻于CMOS存储器单元比任何双极存储器单元占用空间少和消耗更少的功率,且任何双极存储器单元阵列都一定不如CMOS阵列的长期信念。近年来的进展依赖于半导体加工技术的不断尺寸收缩,从而为了更大的电路密度和更高的运行速度而缩小了存储器单元的尺寸。以CM ...
【技术保护点】
一种第一半导体结构,用于由第一类型双极型晶体管和相反类型双极型晶体管构成的交叉耦合对,所述第一半导体结构包括:第一导电类型半导体衬底,所述第一导电类型半导体衬底具有上表面;绝缘区,所述绝缘区延伸到所述衬底中,以围绕所述衬底的上表面的第一部分;与第一导电类型相反导电类型的埋层,所述埋层布置在所述衬底中且位于所述上表面的第一部分下方,所述埋层和所述绝缘区共同提供与所述衬底的剩余部分电隔离的半导体材料桶;第一导电类型的连接区,所述第一导电类型的连接区从所述衬底的上表面延伸到所述埋层,以提供与所述埋层的电连接;相反导电类型的浅阱区,所述相反导电类型的浅阱区在所述上表面的第二部分上方从所述上表面延伸到所述衬底中,所述第二部分小于所述第一部分,所述浅阱区不延伸到所述埋层;第一导电类型区,所述第一导电类型区与所述上表面相邻,并在所述上表面的所述第一部分之外延伸到所述桶中,并且不与所述埋层接触,以提供与所述桶的电连接;场效应晶体管栅极,所述场效应晶体管栅极布置在所述浅阱区上方;与所述场效应晶体管栅极的第一侧相邻布置的第一导电类型区;与所述场效应晶体管栅极的第二侧相邻布置的相反导电类型区;并且其中:所述 ...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2014.09.25 US 62/055,5821.一种第一半导体结构,用于由第一类型双极型晶体管和相反类型双极型晶体管构成的交叉耦合对,所述第一半导体结构包括:第一导电类型半导体衬底,所述第一导电类型半导体衬底具有上表面;绝缘区,所述绝缘区延伸到所述衬底中,以围绕所述衬底的上表面的第一部分;与第一导电类型相反导电类型的埋层,所述埋层布置在所述衬底中且位于所述上表面的第一部分下方,所述埋层和所述绝缘区共同提供与所述衬底的剩余部分电隔离的半导体材料桶;第一导电类型的连接区,所述第一导电类型的连接区从所述衬底的上表面延伸到所述埋层,以提供与所述埋层的电连接;相反导电类型的浅阱区,所述相反导电类型的浅阱区在所述上表面的第二部分上方从所述上表面延伸到所述衬底中,所述第二部分小于所述第一部分,所述浅阱区不延伸到所述埋层;第一导电类型区,所述第一导电类型区与所述上表面相邻,并在所述上表面的所述第一部分之外延伸到所述桶中,并且不与所述埋层接触,以提供与所述桶的电连接;场效应晶体管栅极,所述场效应晶体管栅极布置在所述浅阱区上方;与所述场效应晶体管栅极的第一侧相邻布置的第一导电类型区;与所述场效应晶体管栅极的第二侧相邻布置的相反导电类型区;并且其中:所述埋层提供所述第一类型双极型晶体管的发射极;所述第一导电类型桶提供所述第一类型双极型晶体管的基极;所述浅阱提供所述第一类型双极型晶体管的集电极和所述相反类型双极型晶体管的基极;并且与所述场效应晶体管栅极电极的一侧相邻布置的所述第一导电类型区提供所述相反类型双极型晶体管的发射极区。2.根据权利要求1所述的半导体结构,进一步包括:与所述第一半导体结构相邻布置的、根据权利要求1的第二半导体结构;在所述第一半导体结构的阱区与所述第二半导体结构的浅阱区之间的第一电连接;以及在所述第二半导体结构的阱区与所述第一半导体结构的浅阱区之间的第二电连接。3.根据权利要求2所述的半导体结构,其中:所述第二半导体结构相对于所述第一半导体结构旋转180度;并且所述第一电连接和所述第二电连接是直接线路。4.根据权利要求3所述的半导体结构,其中,第一电势源耦合到所述埋层,并且第二电势源耦合到与所述场效应晶体管栅极的第一侧相邻布置的所述第一导电类型区。5.根据权利要求4所述的半导体结构,其中,所述半导体结构提供SRAM单元。6.根据权利要求5所述的半导体结构,进一步包括位于所述桶之外的场效应晶体管。7.根据权利要求6所述的半导体结构,其中,所述场效应晶体管包括相反导电类型的源极区和漏极区。8.根据权利要求7所述的半导体结构,其中,所述相反导电类型的源极区和漏极区中的一个电连接到所述浅阱区。9.根据权利要求8所述的半导体结构,其中:位线电连接到所述相反导电类型的源极区和漏极区中的另一个;并且字线电连接到所述场效应晶体管的栅极。10.根据权利要求5所述的半导体结构,进一步包括位于所述桶之外的另外的双极型晶体管。11.根据权利要求10所述的半导体结构,其中,所述另外的双极型晶体管包括连接到所述浅阱的发射极。12.根据权利要求11所述的半导体结构,其中:位线电连接到所述另外的双极型晶体管的集电极;并且字线电连接到所述另外的双极型晶体管的基极。13.根据权利要求1所述的半导体...
【专利技术属性】
技术研发人员:H·栾,B·贝特曼,V·阿克赛尔拉德,C·程,C·谢瓦利尔,
申请(专利权)人:克劳帕斯科技有限公司,
类型:发明
国别省市:美国;US
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