本发明专利技术提供一种等离子体蚀刻装置,其能够对被加工物的一部分选择性进行加工。等离子体蚀刻装置(2)包括:真空腔(4);能够旋转的静电卡盘台(34),其在真空腔内保持被加工物(11);喷嘴(50),其对被保持于静电卡盘台上的被加工物的一部分供给等离子体蚀刻气体(C);喷嘴摆动单元(86),其使喷嘴在静电卡盘台的对应于中心(A)的区域与对应于外周的区域之间以描绘水平圆弧状的轨迹(B)的方式进行摆动;以及控制单元(48、88),它们分别控制静电卡盘台的旋转量和喷嘴的位置,在与保持于静电卡盘台上的被加工物的任意的一部分对应的区域定位喷嘴。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及能够对板状的被加工物进行加工的等离子体蚀刻装置。
技术介绍
在由移动电话和个人计算机代表的电子设备中,具有电子回路的器件芯片是必需的构成要素。如下制造器件芯片,例如利用多条分割预定线(分割线)划分由硅等的半导体材料构成的晶片的表面,在各区域形成电子回路,然后沿该分割线分割晶片而成。近些年来,以器件芯片的小型化、轻量化等为目的,将形成电子回路后的晶片通过磨削等的方法加工得较薄的机会增多。然而,如果通过磨削将晶片变薄,则该磨削导致的变形(磨削变形)会残存于被磨削面,器件芯片的抗折强度会降低。于是,在对晶片进行磨削后,通过等离子体蚀刻等的方法去除磨削变形(例如,参照专利文献1)。现有技术文献专利文献专利文献1:日本特开2000-353676号公报用于上述磨削变形的去除的等离子体蚀刻装置通常具有在内部配置彼此平行的一对平板状电极的真空腔。例如,在电极间配置了晶片的状态下对真空腔内减压,在供给作为原料的气体的同时对电极施加高频电压,从而产生等离子体而能够对晶片进行加工。然而,在该等离子体蚀刻装置中,所产生的等离子体作用于晶片的整个表面上,因此这种状态下无法对晶片的一部分选择性加工。因此,例如在仅对残存磨削变形的部分选择加工等的情况下,就必须形成用于保护其他部分的掩模。
技术实现思路
本专利技术就是鉴于上述问题而完成的,其目的在于提供一种能够对被加工物的一部分选择性进行加工的等离子体蚀刻装置。本专利技术提供一种等离子体蚀刻装置,其特征在于,具有:真空腔;能够旋转的静电卡盘台,其在该真空腔内保持被加工物;喷嘴,其向保持于该静电卡盘台上的该被加工物的一部分供给等离子体蚀刻气体;喷嘴摆动单元,其使该喷嘴在该静电卡盘台的对应于中心的区域与对应于外周的区域之间以描绘水平圆弧状的轨迹的方式进行摆动;以及控制单元,其分别控制该静电卡盘台的旋转量和该喷嘴的位置,在与保持于该静电卡盘台上的该被加工物的任意的一部分对应的区域定位该喷嘴。本专利技术优选向所述真空腔内供给内部气体。此外,本专利技术优选所述喷嘴具有:喷出所述等离子体蚀刻气体的喷出口;以及形成于该喷出口的周围而排出该等离子体蚀刻气体的排出口。此外,本专利技术优选所述喷嘴喷出基团化或离子化的所述等离子体蚀刻气体。专利技术的效果本专利技术的等离子体蚀刻装置具有:喷嘴,其向保持于静电卡盘台上的被加工物的一部分供给等离子体蚀刻气体;喷嘴摆动单元,其使喷嘴在静电卡盘台的对应于中心的区域与对应于外周的区域之间以描绘水平圆弧状的轨迹的方式进行摆动;以及控制单元,其分别控制静电卡盘台的旋转量和喷嘴的位置,在与保持于静电卡盘台上的被加工物的任意的一部分对应的区域定位喷嘴,因此能够向被加工物的任意的一部分供给等离子体蚀刻气体。即,本专利技术可提供一种能够对被加工物的一部分选择性进行加工的等离子体蚀刻装置。附图说明图1是示意性表示等离子体蚀刻装置的结构例的图。图2是示意性表示等离子体蚀刻装置的结构例的分解立体图。图3的(A)是示意性表示对喷嘴组件的位置进行控制的状况的俯视图,图3的(B)是示意性表示对静电卡盘台的旋转量进行控制的状况的俯视图。图4是示意性表示利用从喷嘴组件供给的等离子体对被加工物进行加工的状况的局部剖面侧视图。标号说明2:等离子体蚀刻装置,4:真空腔,6:主体,6a:侧壁,6b:开口部,6c:底壁,8:盖,10:闸门,12:开闭组件,14:配管,16:排气泵,18:台座,18a:吸引路,18b:冷却流路,20:保持部,22:轴部,24:支承组件,26:固定部件,28:旋转部件,30:径向轴承,32:唇封,34:静电卡盘台,36:主体,36a:吸引路,38:电极,40:直流电源,42:吸引泵,44:循环组件,46:旋转驱动组件,48:控制组件(控制单元),50:喷嘴组件(喷嘴),52:第1喷嘴,52a:喷出口,54a、54b、54c、58a、58b、58c:阀,56a、56b、56c:流量控制器,60a:第1气体供给源,60b:第2气体供给源,60c:第3气体供给源,62:电极,64:高频电源,66:第2喷嘴,66a:排出口,68:排气组件,70:排气泵,72:支承组件,74:固定部件,76:旋转部件,78:径向轴承,80:唇封,82:滑轮部件,84:带,86:旋转驱动组件(喷嘴摆动单元),88:控制组件(控制单元),90:配管,11:被加工物,A:中心,B:轨迹,C:等离子体(等离子体蚀刻气体),D:内部气体。具体实施方式参照附图,对本专利技术的实施方式进行说明。图1是示意性表示本实施方式的等离子体蚀刻装置的结构例的图,图2是示意性表示等离子体蚀刻装置的结构例的分解立体图。另外,为了便于说明,图2中省略了构成要素的一部分。如图1和图2所示,本实施方式的等离子体蚀刻装置2具有形成处理空间的真空腔4。真空腔4由箱状的主体6和封闭主体6的上部的盖8构成。在主体6的侧壁6a的一部分形成有用于搬入搬出板状的被加工物11(参照图4)的开口部6b。被加工物11代表的是由硅等的半导体材料构成的圆盘状的晶片。该被加工物11的表面例如被排列为格子状的分割预定线(分割线)划分为多个区域,在各区域形成有被称作IC、LSI等的电子回路。另外,在本实施方式中,将由硅等的半导体材料构成的圆盘状的晶片作为被加工物11,然而关于被加工物11的材质、形状等不做限制。例如,还可以将由陶瓷、树脂、金属等的材料构成的基板用作被加工物11。在侧壁6a的外侧配置有关闭开口部6b的闸门10。在闸门10的下方设置有由汽缸等构成的开闭组件12,闸门10利用该开闭组件12而上下移动。如果利用开闭组
件12使闸门10向下方移动,使开口部6b露出,则能够通过开口部6b将被加工物11搬入处理空间或将被加工物11从处理空间中搬出。在主体6的底壁6c通过配管14等而连接排气泵16。在对被加工物11进行加工时,利用开闭组件12使闸门10向上方移动而关闭开口部6b,此后,通过排气泵16对处理空间进行排气、减压。在处理空间内配置有用于支承被加工物11的台座18。台座18由圆盘状的保持部20、以及从保持部20的下表面中央向下方延伸的柱状的轴部22构成。在底壁6c的中央部设置有以能够旋转的方式支承台座18的轴部22的支承组件24。支承组件24包括固定于底壁6c的中央部的圆筒状的固定部件26。在固定部件26的内侧配置有固定于轴部22的圆筒状的旋转部件28。旋转部件28通过径向轴承30而与固定部件26连结。在径向轴承28的处理空间侧设置有环状的唇封32。作为唇封32,例如可使用圣戈班(Saint-Goban)公司的Omniseal(注册商标)等。通过该唇封32,能够在维持处理空间的气密性的同时使台座18进行旋转。在保持部20的上表面设置有圆盘状的静电卡盘台34。静电卡盘台34具有由绝缘材料形成的主体36和嵌入于主体36的多个电极38,通过在电极38间发生的静电气吸附、保持被加工物11。各电极38与例如能够产生5kV左右的高电压的直流电源40连接。此外,在静电卡盘台34的主体36形成有用于吸引被加工物11的吸引路36a。该吸引路36a通过形成于台座18的内部的吸引路18a等而与吸引泵42连接。在通过静电卡盘台34保持被加工物11时,首先,在静电卡盘台34的上表面本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种等离子体蚀刻装置,其特征在于,具有:真空腔;能够旋转的静电卡盘台,其在该真空腔的内部保持被加工物;喷嘴,其向保持于该静电卡盘台上的该被加工物的一部分供给等离子体蚀刻气体;喷嘴摆动单元,其使该喷嘴在该静电卡盘台的对应于中心的区域与对应于外周的区域之间以描绘水平的圆弧状轨迹的方式进行摆动;以及控制单元,其分别控制该静电卡盘台的旋转量和该喷嘴的位置,在与保持于该静电卡盘台上的该被加工物的任意一部分对应的区域定位该喷嘴。
【技术特征摘要】
2015.05.20 JP 2015-1029211.一种等离子体蚀刻装置,其特征在于,具有:真空腔;能够旋转的静电卡盘台,其在该真空腔的内部保持被加工物;喷嘴,其向保持于该静电卡盘台上的该被加工物的一部分供给等离子体蚀刻气体;喷嘴摆动单元,其使该喷嘴在该静电卡盘台的对应于中心的区域与对应于外周的区域之间以描绘水平的圆弧状轨迹的方式进行摆动;以及控制单元,其分别控制该静电卡盘台的旋转量和该...
【专利技术属性】
技术研发人员:渡边义雄,S·米兰,高桥宏行,关刚史,
申请(专利权)人:株式会社迪思科,
类型:发明
国别省市:日本;JP
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