一种高导热的功率器件封装制造技术
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种高导热的功率器件封装，属于功率器件封装
技术介绍
随着微波电路向大功率，高集成化，组装化，小型化发展，对基片衬底，底板和外壳等封装材料提出了越来越苛刻的要求，由于传统的电子封装材料已不能满足现代封装技术的发展要求，从而对具有良好的导热性和与集成电路芯片相匹配的新材料和新工艺提出了迫切的需求。而新材料的开发与运用需要花费大量的开发资金和长期的开发周期。
技术实现思路
为了解决上述技术问题，本专利技术提供了一种高导热的功率器件封装。为了达到上述目的，本专利技术所采用的技术方案是：一种高导热的功率器件封装，包括高导热法兰，所述高导热法兰上从下往上依次镀有第一阻挡层、若干缓冲层以及第二阻挡层，所述第二阻挡层上焊接有芯片。第一阻挡层和第二阻挡层均为镍钴层。第一阻挡层和第二阻挡层的厚度为0.5~10 um。缓冲层为软性材料构成的缓冲层。缓冲层的厚度为0.05~10 um。芯片采用共晶焊方式焊接。镀层包裹导热法兰表面。镀层覆盖部分导热法兰表面，该部分导热法兰表面用以焊接芯片。本专利技术所达到的有益效果：本专利技术基于现有的成熟法兰材料，对镀层工艺的合理优化，引入缓冲层概念，既保留的法兰高导热的优点，又有效地解决了应力匹配难点。附图说明图1为本专利技术的剖视图。具体实施方式下面结合附图对本专利技术作进一步描述。以下实施例仅用于更加清楚地说明本专利技术的技术方案，而不能以此来限制本专利技术的保护范围。如图1所示，一种高导热的功率器件封装，包括高导热法兰1，高导热法兰1采用现有的铜法兰，当然也可采用其他高导热材料制成的法兰，高导热法兰1上从下往上依次...
【技术保护点】
一种高导热的功率器件封装，其特征在于：包括高导热法兰，所述高导热法兰上从下往上依次镀有第一阻挡层、若干缓冲层以及第二阻挡层，所述第二阻挡层上焊接有芯片。
【技术特征摘要】
1.一种高导热的功率器件封装，其特征在于：包括高导热法兰，所述高导热法兰上从下往上依次镀有第一阻挡层、若干缓冲层以及第二阻挡层，所述第二阻挡层上焊接有芯片。2.根据权利要求1所述的一种高导热的功率器件封装，其特征在于：第一阻挡层和第二阻挡层均为镍钴层。3.根据权利要求1或2所述的一种高导热的功率器件封装，其特征在于：第一阻挡层和第二阻挡层的厚度为0.5~10 um。4.根据权利要求1所述的一种高导热的功率器件封装，其特征在...
【专利技术属性】
技术研发人员：李琳松，张耀辉，
申请(专利权)人：昆山华太电子技术有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32
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