【技术实现步骤摘要】
本技术涉及半导体技术,特别是涉及一种外延炉的偏心盖环。
技术介绍
外延晶片,通常是采用CVD(化学气相沉积)的方法来生长。随着半导体技术的进步,产业应用对外延晶片的参数指标要求越来越高,成本要求越来越低,增大晶片尺寸成为行业发展的当务之急。例如,目前市场上主流的碳化硅晶片尺寸为3英寸和4英寸,而随着大功率电子器件对碳化硅晶体和外延材料提出更高的要求和需求,6英寸的晶片将在未来1~2年内逐步进入市场并成为主流。目前国际上的商业外延炉,如德国Aixtron公司的2400或2800系列碳化硅外延炉,是将衬底置于小盘基座上,小盘采用行星式排布,围绕大盘中心公转的同时进行自旋转,能够得到较好的均匀性分布。用外延炉进行6英寸晶片的生产时,需要进行工艺的调试,这往往需要耗费大量的6英寸碳化硅衬底,而6英寸碳化硅衬底的价格远高于小尺寸的衬底,耗费了大量的成本费用同时造成了资源的浪费。
技术实现思路
本技术提供了一种外延炉的偏心盖环,其克服了现有技术所存在的不足之处。本技术解决其技术问题所采用的技术方案是:一种外延炉的偏心盖环,该偏心盖环设置于外延炉的小盘上并具有环状结构,其环状结构的内圆和外圆偏心设置且分别具有一缺口,两缺口叠合形成一开口,内圆区域形成用于容纳外延晶片的空间。优选的,所述外圆圆心与所述小盘的旋转中心重合。优选的,所述偏心盖环的外圆圆径为6英寸,内圆圆径为4英寸。优选的,所述内圆圆心相对于外圆圆心偏移24mm。优选的,所述偏心盖环由碳化硅制成。优选的,所述内圆于与所述缺口相对的一侧具有一直线段,该直线段的长度长于所述开口的长度。相较于现有技术,本技术具有以下有益效 ...
【技术保护点】
一种外延炉的偏心盖环,其特征在于:该偏心盖环设置于外延炉的小盘上并具有环状结构,其环状结构的内圆和外圆偏心设置且分别具有一缺口,两缺口叠合形成一开口,内圆区域形成用于容纳外延晶片的空间。
【技术特征摘要】
1.一种外延炉的偏心盖环,其特征在于:该偏心盖环设置于外延炉的小盘上并具有环状结构,其环状结构的内圆和外圆偏心设置且分别具有一缺口,两缺口叠合形成一开口,内圆区域形成用于容纳外延晶片的空间。2.根据权利要求1所述的外延炉的偏心盖环,其特征在于:所述外圆圆心与所述小盘的旋转中心重合。3.根据权利要求1所述的外延炉的偏心盖环,其特征在于:所述偏心盖环...
【专利技术属性】
技术研发人员:罗金云,冯淦,赵建辉,
申请(专利权)人:瀚天天成电子科技厦门有限公司,
类型:新型
国别省市:福建;35
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