半导体光罩雾化检测控制方法及系统技术方案

本发明专利技术提供一种半导体光罩雾化检测控制方法，包括：识别未使用的半导体光罩的类型，并获取所识别光罩的闲置时间；根据所述光罩的类型，判断所述光罩的闲置时间是否大于预设的安全时间；若所述光罩的闲置时间大于所述预设的安全时间，则发出用于提示用户对所述光罩进行质量检验的提示消息，并中断派工作业。本发明专利技术还提供一种半导体光罩雾化检测控制系统，包括识别单元、判断单元及提示单元。本发明专利技术能够降低返工率，并提高产品的生产良率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体检测及控制
，尤其涉及半导体光罩雾化检测控制方法及系统。
技术介绍
光罩又称为光掩模版、掩膜版，英文名称MASK或PHOTOMASK。通常在光罩的基板上面镀上一层金属铬和感光胶，成为一种感光材料，把已设计好的电路图形通过电子激光设备曝光在感光胶上,被曝光的区域会被显影出来，在金属铬上形成电路图形，成为类似曝光后的底片的光掩模版，然后应用于对集成电路进行投影定位，通过集成电路光刻机对所投影的电路进行光蚀刻。而苏打材质光罩因为材质问题容易发雾，且随保存时间会逐渐恶化，所以需要加强对其品质监控。双扩散金属-氧化物-半导体(Double-diffused MOSFET，DMOS)光罩因为芯片单元较少，一旦出现版缺陷对良率影响很大或导致大批量返工，所以需要加强对版缺陷监控。半导体工艺原材料光罩雾化检测及控制，因为苏打材质光罩材质问题容易发雾，且随保存时间会逐渐恶化，若不对其进行监控，则存在以下几方面缺陷：原材料苏打材质光罩放置久了发雾而没有得到及时的监控,投入生产会严重影响质量；不能智能识别这类型光罩材质多久没有生产；返工率高。
技术实现思路
针对现有技术的缺陷，本专利技术提供一种半导体光罩雾化检测控制方法及系统，能够追溯光罩的闲置时间，对所述光罩进行监控，降低返工率，并进一步提高了产品的生产良率。第一方面，本专利技术提供了一种半导体光罩雾化检测控制方法，所述方法包括：识别未使用的半导体光罩的类型，并获取所识别的半导体光罩的闲置时间；根据所述半导体光罩的类型，判断所述半导体光罩的闲置时间是否大于预设的安全时间；若所述半导体光罩的闲置时间大于所述预设的安全时间，则发出用于提示用户对所述半导体光罩进行质量检验的提示消息，并中断派工作业。优选地，所述半导体光罩的类型包括苏打光罩类型、石英光罩类型和双扩散金属-氧化物-半导体DMOS光罩类型。优选地，所述识别未使用的半导体光罩的类型，包括：根据所述半导体光罩的光罩原材料类型标识或产品标识，判断所述半导体光罩的类型为苏打光罩类型或DMOS光罩类型。优选地，所述根据所述半导体光罩的类型，判断所述半导体光罩的闲置时间是否大于预设的安全时间，包括：若所述半导体光罩的类型为苏打光罩类型，则判断所述苏打光罩的闲置时间是否大于第一预设安全时间；若所述半导体光罩的类型为DMOS光罩类型，则判断所述DMOS光罩的闲置时间是否大于第二预设安全时间。优选地，所述若所述半导体光罩的闲置时间大于所述预设的安全时间，则发出用于提示用户对所述半导体光罩进行质量检验的提示消息，包括：若苏打光罩的闲置时间大于第一预设安全时间，则发出用于提示用户对所述苏打光罩进行雾化检验的提示消息；若DMOS光罩的闲置时间大于第二预设安全时间，则发出用于提示用户对所述DMOS光罩进行版缺陷检验的提示消息。优选地，所述若所述半导体光罩的闲置时间大于所述预设的安全
时间，则发出用于提示用户对所述半导体光罩进行质量检验的提示消息，并中断派工作业的步骤之后，还包括：若所述半导体光罩通过所述质量检验，则释放所述半导体光罩。第二方面，本专利技术提供了一种半导体光罩雾化检测控制系统，所述系统包括：识别单元，用于识别未使用的半导体光罩的类型，并获取所识别的半导体光罩的闲置时间；判断单元，用于根据所述半导体光罩的类型，判断所述半导体光罩的闲置时间是否大于预设的安全时间；提示单元，用于当所述半导体光罩的闲置时间大于所述预设的安全时间时，发出用于提示用户对所述半导体光罩进行质量检验的提示消息，并中断派工作业。优选地，所述半导体光罩的类型包括苏打光罩类型、石英光罩类型和双扩散金属-氧化物-半导体DMOS光罩类型。优选地，所述识别单元，具体用于：根据所述半导体光罩的光罩原材料类型标识或产品标识，判断所述半导体光罩的类型为苏打光罩类型或DMOS光罩类型。优选地，所述判断单元，具体用于：若所述半导体光罩的类型为苏打光罩类型，则判断所述苏打光罩的闲置时间是否大于第一预设安全时间；若所述半导体光罩的类型为DMOS光罩类型，则判断所述DMOS光罩的闲置时间是否大于第二预设安全时间。由上述技术方案可知，通过本专利技术提供的半导体光罩雾化检测控制方法及系统，能够追溯光罩的闲置时间，实现对所述光罩的识别并暂停生产，通知用户对光罩先行验证再批量生产，使得返工率低，并进一步提高了产品的生产良率。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些图获得其他的附图。图1是本专利技术一实施例提供的半导体光罩雾化检测控制方法的流程示意图；图2是本专利技术另一实施例提供的半导体光罩雾化检测控制系统的结构示意图；图3是本专利技术另一实施例提供的光罩原材料类型标识示意图；图4是本专利技术另一实施例提供的光罩参数表的界面示意图；图5是本专利技术另一实施例提供的派工作业页面的示意图；图6是本专利技术另一实施例提供的提示用户界面示意图；图7是本专利技术另一实施例提供的光罩检验状况示意图；图8是本专利技术另一实施例提供的系统作业的界面示意图；图9是本专利技术另一实施例提供的通过雾化检验后系统作业示意图。具体实施方式下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。如图1所示，为本专利技术一实施例提供的半导体光罩雾化检测控制方法的流程示意图，该方法包括如下步骤：S1：识别未使用的半导体光罩的类型，并获取所识别的半导体光罩的闲置时间；S2：根据所述半导体光罩的类型，判断所述半导体光罩的闲置时
间是否大于预设的安全时间；S3：若所述半导体光罩的闲置时间大于所述预设的安全时间，则发出用于提示用户对所述半导体光罩进行质量检验的提示消息，并中断派工作业。本实施例中，半导体光罩的类型包括苏打光罩类型、石英光罩类型和双扩散金属-氧化物-半导体DMOS光罩类型。本实施例中，步骤S1中所述的识别未使用的半导体光罩的类型，具体包括：根据所述半导体光罩的光罩原材料类型标识或产品标识，判断所述半导体光罩的类型为苏打光罩类型或DMOS光罩类型。本实施例中，步骤S2，具体包括：若所述半导体光罩的类型为苏打光罩类型，则判断所述苏打光罩的闲置时间是否大于第一预设安全时间；若所述半导体光罩的类型为DMOS光罩类型，则判断所述DMOS光罩的闲置时间是否大于第二预设安全时间。本实施例中，步骤S3，具体包括：若苏打光罩的闲置时间大于第一预设安全时间，则发出用于提示用户对所述苏打光罩进行雾化检验的提示消息；若DMOS光罩的闲置时间大于第二预设安全时间，则发出用于提示用户对所述DMOS光罩进行版缺陷检验的提示消息。本实施例中，步骤S3后，还包括如下步骤：若所述半导体光罩通过所述质量检验，则释放所述半导体光罩。本实施例提供了一种半导体光罩雾化检测控制方法，能够追溯光罩的闲置时间，实现对所述光罩的识别并暂停生产，通知用户对光罩先行验证再批量生本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体光罩雾化检测控制方法，其特征在于，所述方法包括：识别未使用的半导体光罩的类型，并获取所识别的半导体光罩的闲置时间；根据所述半导体光罩的类型，判断所述半导体光罩的闲置时间是否大于预设的安全时间；若所述半导体光罩的闲置时间大于所述预设的安全时间，则发出用于提示用户对所述半导体光罩进行质量检验的提示消息，并中断派工作业。

【技术特征摘要】
1.一种半导体光罩雾化检测控制方法，其特征在于，所述方法包括：识别未使用的半导体光罩的类型，并获取所识别的半导体光罩的闲置时间；根据所述半导体光罩的类型，判断所述半导体光罩的闲置时间是否大于预设的安全时间；若所述半导体光罩的闲置时间大于所述预设的安全时间，则发出用于提示用户对所述半导体光罩进行质量检验的提示消息，并中断派工作业。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述半导体光罩的类型包括苏打光罩类型、石英光罩类型和双扩散金属-氧化物-半导体DMOS光罩类型。3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述识别未使用的半导体光罩的类型，包括：根据所述半导体光罩的光罩原材料类型标识或产品标识，判断所述半导体光罩的类型为苏打光罩类型或DMOS光罩类型。4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述根据所述半导体光罩的类型，判断所述半导体光罩的闲置时间是否大于预设的安全时间，包括：若所述半导体光罩的类型为苏打光罩类型，则判断所述苏打光罩的闲置时间是否大于第一预设安全时间；若所述半导体光罩的类型为DMOS光罩类型，则判断所述DMOS光罩的闲置时间是否大于第二预设安全时间。5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述若所述半导体光罩的闲置时间大于所述预设的安全时间，则发出用于提示用户对所述半导体光罩进行质量检验的提示消息，包括：若苏打光罩的闲置时间大于第一预设安全时间，则发出用于提示用户对所述苏打光罩进行雾化检验的提示消息；若DMOS光罩的闲置时间大于第二预...

【专利技术属性】
技术研发人员：詹祥宇，
申请(专利权)人：北大方正集团有限公司，深圳方正微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11