量子点膜、其制作方法及显示器件技术

本发明专利技术提供了一种量子点膜、其制作方法及显示器件。该量子点膜的制作方法包括：步骤S1，在透光基板的第一表面上形成亲水区域和疏水区域；步骤S2，将具有多个镂空部的表面改性掩模板设置于第一表面上，并使表面改性掩模板中的镂空部对应亲水区域或疏水区域设置，表面改性掩模板具有第一改性表面和第二改性表面，且第一改性表面和第二改性表面分别具有亲水性和疏水性；步骤S3，第一改性表面为疏水性表面，使疏水性的量子点墨水通过镂空部进入疏水区域中，或第一改性表面为亲水性表面，使亲水性的量子点墨水通过镂空部进入亲水区域中；步骤S4，将亲水区域或疏水区域中的量子点墨水干燥。上述制作方法降低了量子点膜的制作成本。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及光学
，具体而言，涉及一种量子点膜、其制作方法及显示器件。
技术介绍
随着科学技术的不断发展，人们对显示器画质的要求不断提升，QLED(量子点发光二极管)显示以其高的色彩纯度、色饱和度和广色域被认为是未来最具代表性的显示技术。目前QLED器件主要利用溶液法制程来制作，如喷墨打印、丝网印刷、旋涂、狭缝涂布等，由于显示的像素非常小，目前子像素的涂布一般利用喷墨打印工艺来进行选择性涂布，即在有像素隔离结构构筑的RGB子像素凹槽内，利用喷嘴依次打印R、G、B量子点墨水。由于目前蓝光QLED器件的效率较低，直接利用量子点构筑RGB显示的QLED器件还有一定难度，而传统的LED与OLED的蓝光发展较为成熟，因此可以利用量子点的RG光致结合LED或者OLED电致蓝光来实现RGB显示的方式，短期内可以较快实现。另一方面，利用黄光工艺制作的像素隔离结构工艺复杂、造价昂贵，而精密的喷墨打印设备投入同样高昂，为新技术的推广增加了难度。
技术实现思路
本专利技术的主要目的在于提供一种量子点膜、其制作方法及显示器件，以解决现有技术中利用黄光工艺制作的像素隔离结构工艺复杂且造价昂贵的问题。为了实现上述目的，根据本专利技术的一个方面，提供了一种量子点膜的制作方法，包括以下步骤：步骤S1，在透光基板的第一表面上形成亲水区域和疏水区域；步骤S2，将具有多个镂空部的表面改性掩模板设置于第一表面上，并使表面改性掩模板中的镂空部对应亲水区域或疏水区域设置，表面改性掩模板具有改性表面，改性表面包括第一改性表面和第二改性表面，第一改性表面围绕镂空部，第一改性表面之外的改性表面为第二改性表面，第一改性表面和第二改性表面不同且分别选自亲水性表面和疏水性表面中的一种，且第一改性表面位于表面改性掩模板的远离第一表面的一侧；步骤S3，第一改性表面为疏水性表面，使疏水性的量子点墨水通过镂空部进入疏水区域中，或第一改性表面为亲水性表面，使亲水性的量子点墨水通过镂空部进入亲水区域中；步骤S4，将亲水区域或疏水区域中的量子点墨水干燥。进一步地，步骤S1包括：步骤S11，在透光基板的表面设置包括第一反应原料的原料；步骤S12，遮盖位于第一区域的第一反应原料，并对位于第二区域的第一反应原料进行紫外光照射，第一反应原料在第二区域形成第二遮盖区域；步骤S13，去除第一区域的第一反应原料，在第一区域和第二遮盖区域上设置第二反应原料；步骤S14，遮盖位于第二遮盖区域的第二反应原料，并对位于第一区域的第二反应原料进行紫外光照射，第二反应原料在第一区域形成第一遮盖区域，然后去除第二遮盖区域上的第二反应原料，其中，第一反应原料和第二反应原料分别选自亲水性反应物和疏水性反应物中的一种，且二者的亲疏水性能相反，第一遮盖区域和第二遮盖区域对应形成亲水区域和疏水区域。进一步地，制作方法还包括制备表面改性掩模板的过程：步骤S01，将掩模板浸入具有疏水性材料的溶液中，以使疏水性材料固定于掩模板的表面，优选疏水性材料为含氟的硅烷偶联剂；步骤S02，将固定有疏水性材料的掩模板与溶液分离，并对掩模板进行干燥处理；步骤S03，将第一光罩设置于掩模板上，第一光罩由多个第一遮挡部以及连接各第一遮挡部的第一透光部组成，第一遮挡部与镂空部一一对应，且一一对应的各第一遮挡部的面积大于各镂空部的面积，通过第一光罩对掩模板进行紫外线臭氧光解氧化，以使掩模板的对应第一透光部的表面形成具有亲水性的第二改性表面，掩模板的其余表面构成具有疏水性的第一改性表面；或将第二光罩设置于掩模板上，第二光罩由多个第二透光部以及连接各第二透光部的第二遮挡部组成，且第二透光部与镂空部一一对应，且一一对应的各第二透光部的面积大于各镂空部的面积，对掩模板进行紫外线臭氧光解氧化，以使掩模板的对应第二透光部的表面形成具有亲水性的第一改性表面，掩模板的其余表面构成具有疏水性的第二改性表面。进一步地，步骤S3采用喷涂工艺或喷墨打印工艺以使量子点墨水通过镂空部进入亲水区域或疏水区域中。进一步地，喷涂工艺为超声喷涂。进一步地，在第一表面上形成多个亲水区域和多个疏水区域，且各亲水区域和各疏水区域交替排列。进一步地，亲水性的量子点墨水包括亲水性量子点，且亲水性量子点为表面配体含亲水基团的量子点；疏水性的量子点墨水包括疏水性量子点，且疏水性量子点为表面配体含疏水基团的量子点。进一步地，量子点墨水中的量子点为红色量子点和/或绿色量子点。根据本专利技术的另一方面，提供了一种量子点膜，量子点膜由上述的制作方法制作而成。根据本专利技术的另一方面，还提供了一种显示器件，显示器件包括电致发光器件以及设置于电致发光器件出光侧的量子点膜，量子点膜为上述的量子点膜。应用本专利技术的技术方案，提供了一种量子点膜的制作方法，由于该制作方法通过在透光基板的第一表面上形成亲水区域和疏水区域，并将表面改性掩模板设置于透光基板的第一表面上，使镂空部对应亲水区域或疏水区域设置，从而不仅能够通过表面改性掩模板使不同的量子点墨水进入到不同的像素区域中，还能够通过透光基板上的亲水区域和疏水区域在透光基板的表面形成多个被分隔开的子像素区域，使亲水性量子点墨水进入亲水区域，疏水区域作为隔离结构，或使疏水性的量子点墨水进入疏水区域，亲水区域作为隔离结构，从而有效地防止了不同子像素区域间的量子点墨水混色，进而也有效地解决了不同子像素区域内量子点墨水混色而降低色彩精准性的问题；并且，相比在透明基板上设置像素隔离结构的制作方法，本申请的上述制作方法不仅能够同样地使墨水注入所需的子像素区域，同时还降低了量子点膜的制作成本。除了上面所描述的目的、特征和优点之外，本专利技术还有其它的目的、特征和优点。下面将参照图，对本专利技术作进一步详细的说明。附图说明构成本专利技术的一部分的说明书附图用来提供对本专利技术的进一步理解，本专利技术的示意性实施例及其说明用于解释本专利技术，并不构成对本专利技术的不当限定。在附图中：图1示出了本专利技术实施方式所提供的电致发光器件的制作方法的流程示意图；以及图2示出了本专利技术实施方式所提供的一种表面改性掩模板的俯视结构示意图。其中，上述附图包括以下附图标记：10、镂空部；20、改性表面；210、第一改性表面；220、第二改性表面。具体实施方式需要说明的是，在不冲突的情况下，本专利技术中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。下面将参考附图并结合实施例来详细说明本专利技术。为了使本
的人员更好地理解本专利技术方案，下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分的实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都应当属于本专利技术保护的范围。需要说明的是，本专利技术的说明书和权利要求书及上述附图中的术语“第一”、“第二”等是用于区别类似的对象，而不必用于描述特定的顺序或先后次序。应该理解这样使用的数据在适当情况下可以互换，以便这里描述的本专利技术的实施例。此外，术语“包括”和“具有”以及他们的任何变形，意图在于覆盖不排他的包含，例如，包含了一系列步骤或单元的过程、方法、系统、产品或设备不必限于清楚地列出的那些步骤或单元，而是可包括没有清楚地列出的或对于这些过程、方法、产品或设备固有的其它步骤本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种量子点膜的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤S1，在透光基板的第一表面上形成亲水区域和疏水区域；步骤S2，将具有多个镂空部的表面改性掩模板设置于所述第一表面上，并使所述表面改性掩模板中的镂空部对应所述亲水区域或所述疏水区域设置，所述表面改性掩模板具有改性表面，所述改性表面包括第一改性表面和第二改性表面，所述第一改性表面围绕所述镂空部，所述第一改性表面之外的所述改性表面为所述第二改性表面，所述第一改性表面和所述第二改性表面不同且分别选自亲水性表面和疏水性表面中的一种，且所述第一改性表面位于所述表面改性掩模板的远离所述第一表面的一侧；步骤S3，所述第一改性表面为疏水性表面，使疏水性的量子点墨水通过所述镂空部进入所述疏水区域中，或所述第一改性表面为亲水性表面，使亲水性的量子点墨水通过所述镂空部进入所述亲水区域中；步骤S4，将所述亲水区域或所述疏水区域中的所述量子点墨水干燥。

【技术特征摘要】
1.一种量子点膜的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤S1，在透光基板的第一表面上形成亲水区域和疏水区域；步骤S2，将具有多个镂空部的表面改性掩模板设置于所述第一表面上，并使所述表面改性掩模板中的镂空部对应所述亲水区域或所述疏水区域设置，所述表面改性掩模板具有改性表面，所述改性表面包括第一改性表面和第二改性表面，所述第一改性表面围绕所述镂空部，所述第一改性表面之外的所述改性表面为所述第二改性表面，所述第一改性表面和所述第二改性表面不同且分别选自亲水性表面和疏水性表面中的一种，且所述第一改性表面位于所述表面改性掩模板的远离所述第一表面的一侧；步骤S3，所述第一改性表面为疏水性表面，使疏水性的量子点墨水通过所述镂空部进入所述疏水区域中，或所述第一改性表面为亲水性表面，使亲水性的量子点墨水通过所述镂空部进入所述亲水区域中；步骤S4，将所述亲水区域或所述疏水区域中的所述量子点墨水干燥。2.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述步骤S1包括：步骤S11，在所述透光基板的表面设置包括第一反应原料的原料；步骤S12，遮盖位于第一区域的所述第一反应原料，并对位于第二区域的第一反应原料进行紫外光照射，所述第一反应原料在所述第二区域形成第二遮盖区域；步骤S13，去除所述第一区域的所述第一反应原料，在所述第一区域和第二遮盖区域上设置第二反应原料；步骤S14，遮盖位于第二遮盖区域的所述第二反应原料，并对位于第一区域的第二反应原料进行紫外光照射，所述第二反应原料在所述第一区域形成第一遮盖区域，然后去除所述第二遮盖区域上的所述第二反应原料，其中，所述第一反应原料和第二反应原料分别选自亲水性反应物和疏水性反应物中的一种，且二者的亲疏水性能相反，所述第一遮盖区域和所述第二遮盖区域对应形成所述亲水区域和所述疏水区域。3.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述制作方法还包括制备所述表面改性掩模板的过程：步骤S01，将掩模板浸入具有疏水性材料的溶液中，以使所述疏水性材料固定于所述掩模板的表面，优选所述疏水性材料为含氟的硅烷偶联剂；步骤S02，将固定有所述疏水性材料的所述掩...

【专利技术属性】
技术研发人员：顾辛艳，甄常刮，
申请(专利权)人：纳晶科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江;33