一种纯正弦波逆变器制造技术

本发明专利技术公开了一种纯正弦波逆变器，包括第一纯正弦波发生器、第二纯正弦波发生器、第一放大触发电路、第二放大触发电路、反相器和升压变压器，第一放大触发电路包括第一电阻、第一电容、第一三极管、第二电容和第一MOS管，第二放大触发电路包括第四电阻、第二三极管和第二MOS管，第一电阻的一端与第一纯正弦波发生器连接，另一端与第一三极管的基极和第一电容连接，第一三极管的发射极通过第二电容与第一MOS管的栅极连接，第一MOS管的漏极与升压变压器的原边的一端连接，第一MOS管和第二MOS管采用轮流式工作，升压变压器的副边输出纯正弦波的工频交流电。实施本发明专利技术，具有以下有益效果：电路结构简单、性能可靠、失真较少。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及逆变器领域，特别涉及一种纯正弦波逆变器。
技术介绍
随着国家对太阳能应用相关政策的出台，一种由直流电变为工频的纯正弦波离网或并网太阳能光伏发电技术正在兴起，因为太阳能光伏发电是直流电，对于一些感性电器，需要纯正弦波的逆变器把直流电变为工频的纯正弦波交流电，才保证感性电器的正常工作。而传统技术的逆变器的电路结构比较复杂、性能不可靠、存在较多的失真。
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题在于，针对现有技术的上述电路结构比较复杂、性能不可靠、存在较多的失真的缺陷，提供一种电路结构简单、性能可靠、失真较少的纯正弦波逆变器。本专利技术解决其技术问题所采用的技术方案是：构造一种纯正弦波逆变器，包括第一纯正弦波发生器、第二纯正弦波发生器、第一放大触发电路、第二放大触发电路、反相器和升压变压器，所述第一放大触发电路包括第一电阻、第一电容、第一三极管、第二电容和第一MOS管，所述第二放大触发电路包括第四电阻、第二三极管和第二MOS管，所述第一电阻的一端与所述第一纯正弦波发生器连接，所述第一电阻的另一端分别与所述第一三极管的基极和第一电容连接，所述第一三极管的发射极通过所述第二电容与所述第一MOS管的栅极连接，所述第一MOS管的漏极与所述升压变压器的原边的一端连接，所述反相器的输入端与所述第二纯正弦波发生器连接，所述反相器的输出端通过所述第四电阻与所述第二三极管的基极连接，所述第二三极管的集电极连接直流电源，所述第二三极管的发射极与所述第二MOS管的栅极连接，所述第二MOS管的漏极与所述升压变压器的原边的另一端连接，所述第一MOS管和第二MOS管采用轮流式工作，所述升压变压器的副边输出纯正弦波的工频交流电。在本专利技术所述的纯正弦波逆变器中，所述第一放大触发电路还包括第二电阻，所述第一三极管的集电极通过所述第二电阻连接所述直流电源。在本专利技术所述的纯正弦波逆变器中，所述第一放大触发电路还包括第三电阻，所述第一三极管的发射极通过所述第三电阻接地。在本专利技术所述的纯正弦波逆变器中，所述第二放大触发电路还包括第五电阻，所述第二三极管的发射极通过所述第五电阻接地。在本专利技术所述的纯正弦波逆变器中，所述升压变压器为中心抽头式升压变压器，所述升压变压器的中心抽头连接所述直流电源。在本专利技术所述的纯正弦波逆变器中，所述第一MOS管和第二MOS管均为N沟道MOS管。在本专利技术所述的纯正弦波逆变器中，所述反相器为CMOS反相器或TTL反相器。实施本专利技术的纯正弦波逆变器，具有以下有益效果：由于使用第一纯正弦波发生器、第二纯正弦波发生器、第一放大触发电路、第二放大触发电路、反相器和升压变压器，第一放大触发电路包括第一电阻、第一电容、第一三极管、第二电容和第一MOS管，第二放大触发电路包括第四电阻、第二三极管和第二MOS管，采用第一三极管和第二三极管可以进行驱动，第一MOS管和第二MOS管采用轮流式工作，其中一个工作时，另一个停止，升压变压器的副边输出纯正弦波的工频交流电，所以其电路结构简单、性能可靠、失真较少。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为本专利技术纯正弦波逆变器一个实施例中的结构示意图。具体实施方式下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。在本专利技术纯正弦波逆变器实施例中，该纯正弦波逆变器的结构示意图如图1所示。图1中，该纯正弦波逆变器包括第一纯正弦波发生器IC1、第二纯正弦波发生器IC2、第一放大触发电路、第二放大触发电路、反相器C3和升压变压器B，第一放大触发电路包括第一电阻R1、第一电容C1、第一三极管T1、第二电容C2和第一MOS管VT1，第二放大触发电路包括第四电阻R4、第二三极管T2和第二MOS管VT2，第一电阻R1用于限流，第一电阻R1的一端与第一纯正弦波发生器IC1连接，第一电阻R1的另一端分别与第一三极管T1的基极和第一电容C1连接，第一电容C1还连接信号输入端，第二电容C2为耦合电容，第一三极管T1的发射极通过第二电容C2与第一MOS管VT1的栅极连接，第一MOS管VT1的漏极与升压变压器B的原边的一端连接，第一MOS管VT1的源极接地。本实施例中，反相器IC3的输入端与第二纯正弦波发生器IC2连接，第四电阻R4用于限流，反相器IC3的输出端通过第四电阻R4与第二三极管T2的基极连接，第二三极管T2的集电极连接直流电源VCC，第二三极管T2的发射极与第二MOS管VT2的栅极连接，第二MOS管VT2的漏极与升压变压器B的原边的另一端连接，第二MOS管VT2的源极接地，第一MOS管VT1和第二MOS管VT2采用轮流式工作，升压变压器B的副边输出纯正弦波的工频交流电。值得一提的是，本实施例中，第一MOS管T1和第二MOS管T2均为N沟道MOS管。当然，在本实施例的一些情况下，第一MOS管T1和第二MOS管T2也可以为P沟道MOS管，但这时电路结构要做调整。本实施例中，反相器IC3选用CMOS反相器或TTL反相器。本实施例中，第一纯正弦波发生器IC1和第二纯正弦波发生器IC2均输出纯正的工频正弦波交流电信号，第一三极管T1驱动第一MOS管VT1，第二三极管T2驱动第二MOS管VT2，由于第二纯正弦波发生器IC2的输出端连接有反相器IC3，所以第一纯正弦波发生器IC1和第二纯正弦波发生器IC2的数值相同，相位相反，这样就能保证第一MOS端VT1和第二MOS管VT2在同一时刻一个停止而另一个工作。本实施例中，该升压变压器B为中心抽头式升压变压器，升压变压器B的中心抽头连接直流电源VCC。由于第一MOS管VT1和第二MOS管VT2输入的波形相反，致使升压变压器B的原边的中心抽头所输入的直流电轮流的流向，升压变压器B的原边的两端在第一MOS管VT1和第二MOS管VT2轮流工作的模式下，升压变压器B的副边输出一个纯正弦波的工频交流电，只要升压变压器B的线圈选择适当，升压变压器B的副边就能输出工频的220V交流电。本专利技术的纯正弦波逆变器能将直流电转变为工频的纯正弦波交流电，其电路结构简单、性能可靠、失真较少。本实施例中，第一放大触发电路还包括第二电阻R2，第二电阻R2用于限流，第一三极管T1的集电极通过第二电阻R2连接直流电源VCC。该第一放大触发电路还包括第三电阻R3，第一三极管T1的发射极通过第三电阻R3接地。本实施例中，第二放大触发电路还包括第五电阻R5，第二三极管T2的发射极通过第五电阻R5接地。总之，在本实施例中，该纯正弦波逆变器采用第一纯正弦波发生器IC1和第二纯正弦波发生器IC2，第一纯正弦波发生器IC1和第二纯正弦波发生器IC2件将参数数值相同、但方向相反的纯正弦波信号输送给第一放大触发电路和第二放大触发电路，第一放大触发电路和第二放大触发电路在同一时间内，其中一个MOS管工本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种纯正弦波逆变器，其特征在于，包括第一纯正弦波发生器、第二纯正弦波发生器、第一放大触发电路、第二放大触发电路、反相器和升压变压器，所述第一放大触发电路包括第一电阻、第一电容、第一三极管、第二电容和第一MOS管，所述第二放大触发电路包括第四电阻、第二三极管和第二MOS管，所述第一电阻的一端与所述第一纯正弦波发生器连接，所述第一电阻的另一端分别与所述第一三极管的基极和第一电容连接，所述第一三极管的发射极通过所述第二电容与所述第一MOS管的栅极连接，所述第一MOS管的漏极与所述升压变压器的原边的一端连接，所述反相器的输入端与所述第二纯正弦波发生器连接，所述反相器的输出端通过所述第四电阻与所述第二三极管的基极连接，所述第二三极管的集电极连接直流电源，所述第二三极管的发射极与所述第二MOS管的栅极连接，所述第二MOS管的漏极与所述升压变压器的原边的另一端连接，所述第一MOS管和第二MOS管采用轮流式工作，所述升压变压器的副边输出纯正弦波的工频交流电。

【技术特征摘要】
1.一种纯正弦波逆变器，其特征在于，包括第一纯正弦波发生器、第二纯正弦波发生器、第一放大触发电路、第二放大触发电路、反相器和升压变压器，所述第一放大触发电路包括第一电阻、第一电容、第一三极管、第二电容和第一MOS管，所述第二放大触发电路包括第四电阻、第二三极管和第二MOS管，所述第一电阻的一端与所述第一纯正弦波发生器连接，所述第一电阻的另一端分别与所述第一三极管的基极和第一电容连接，所述第一三极管的发射极通过所述第二电容与所述第一MOS管的栅极连接，所述第一MOS管的漏极与所述升压变压器的原边的一端连接，所述反相器的输入端与所述第二纯正弦波发生器连接，所述反相器的输出端通过所述第四电阻与所述第二三极管的基极连接，所述第二三极管的集电极连接直流电源，所述第二三极管的发射极与所述第二MOS管的栅极连接，所述第二MOS管的漏极与所述升压变压器的原边的另一端连接，所述第一MOS管和第二MOS管采用轮...

【专利技术属性】
技术研发人员：朱海东，
申请(专利权)人：苏州迈力电器有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32