【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
技术介绍
数据存储装置(DSD)常常用于将数据记录到存储介质上或从存储介质复制数据。一些DSD包括多种类型的存储介质。例如,在固态混合硬盘(SSHD)的情况中,除旋转磁盘外,可以使用非易失性半导体存储器(NVSM)来存储数据,例如固态硬盘(SSD)、闪存、和/或NAND存储器。主机可以相对频繁地访问SSHD中的NVSM。写入放大率(WA)是与NVSM有关的不良特点,写入到NVSM的物理数据的实际量大于主机将要写入的逻辑量。WA可以归因于各种因素,包括在NVSM中重新写数据和/或不止一次地移动(或重新写)数据之前擦除数据。由于NVSM的实际可使用寿命被限制到有限数量的程序擦除周期(PEC),所以通过在NVSM寿命期间增加所需的写入次数,WA缩短了NVSM的实际寿命。如果主机和/或控制器频繁地访问NVSM和/或WA太高,NVSM可能过早地遭受明显的或突然的性能下降。附图说明当结合附图时,本公开的实施例的特点和优点从以下阐述的详细描述中将变得更明显。提供附图和相关描述是为了说明本公开的实施例并且不用于限制要求保护的范围。图1的方框图描述了根据一个实施例的一种具有数据存储装置(DSD)的系统。图2的方框图描述了根据一个实施例的图1的DSD。图3的方框图描述了根据一个实施例的被主机请求写入的数据与物理写入到非易失性半导体存储器(NVSM)的数据之间的关系。图4的流程图描述了根据一个实施例的用于从NVSM向磁盘组重新定向数据的NVSM寿命延长过程。图5的流程图描述了根据一个实施例的用于从NVSM向磁盘组重新定向数据的具有多个阶段的NVSM寿命延长过程。图6的流程图描述了根 ...
【技术保护点】
一种数据存储装置即DSD,包括:磁盘,其用于存储数据;非易失性半导体存储器即NVSM,其用于存储数据;以及控制器,其被配置用于:从主机接收写请求,以便将数据写入所述DSD,所述数据包括被请求写入所述NVSM的数据;基于先前写入所述NVSM的数据量和以下项中的至少一个来确定写入放大率因子:先前被请求写入所述DSD的数据量,和先前被请求写入所述NVSM的数据量;以及基于确定的写入放大率因子,重新定向被请求写入所述NVSM的数据的至少一部分至所述磁盘。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2014.03.24 US 61/969,651;2014.04.30 US 14/266,2341.一种数据存储装置即DSD,包括:磁盘,其用于存储数据;非易失性半导体存储器即NVSM,其用于存储数据;以及控制器,其被配置用于:从主机接收写请求,以便将数据写入所述DSD,所述数据包括被请求写入所述NVSM的数据;基于先前写入所述NVSM的数据量和以下项中的至少一个来确定写入放大率因子:先前被请求写入所述DSD的数据量,和先前被请求写入所述NVSM的数据量;以及基于确定的写入放大率因子,重新定向被请求写入所述NVSM的数据的至少一部分至所述磁盘。2.如权利要求1所述的DSD,其中所述控制器进一步被配置为在多个连续阶段的一个当前阶段中重新定向被请求写入所述NVSM的数据的所述至少一部分。3.如权利要求2所述的DSD,其中在所述当前阶段中被重新定向至所述磁盘的数据量小于在所述多个连续阶段的下一阶段中被重新定向至所述磁盘的数据量。4.如权利要求2所述的DSD,其中在所述当前阶段中被重新定向至所述磁盘的数据量大于或等于在所述多个连续阶段的下一阶段中被重新定向至所述磁盘的数据量。5.如权利要求2所述的DSD,其中所述控制器被进一步配置用于:更新所述写入放大率因子;以及如果所述写入放大率因子不满足目标写入放大率值,从所述当前阶段移至下一个阶段。6.如权利要求5所述的DSD,其中所述控制器进一步被配置为在预定的数据量被请求写入所述DSD之后或在预定的数据量被请求写入所述NVSM之后更新所述写入放大率因子。7.如权利要求5所述的DSD,其中所述控制器进一步被配置为在经过预定的时间段之后,更新所述写入放大率因子。8.如权利要求1所述的DSD,其中所述控制器被进一步配置用于:从所述主机接收优先级数据,所述优先级数据对应于被请求写入所述NVSM的数据;以及基于接收的优先级数据,将被请求写入所述NVSM的数据的所述至少一部分重新定向至所述磁盘。9.如权利要求8所述的DSD,其中所述控制器被进一步配置用于:基于所述确定的写入放大率因子,确定将被重新定向至所述磁盘的目标数据量;基于所述优先级数据,确定重新定向具有低优先级的数据是否会达到所述将被重新定向的目标数据量;以及如果所述控制器确定重新定向具有低优先级的数据不会达到所述将被重新定向的目标数据量,向所述磁盘重新定向被请求写入到所述NVSM的数据,所述数据具有比所述低优先级高的优先级。10.如权利要求1所述的DSD,其中所述控制器被进一步配置用于:从所述主机接收频繁使用的数据,所述数据对应于被请求写入所述NVSM的数据;以及基于接收的频繁使用的数据,重新定向将写入所述NVSM的数据的所述至少一部分。11.如权利要求1所述的DSD,其中所述控制器进一步被配置为基于所述NVSM的当前功率模式和所述磁盘的当前功率模式中的至少一个重新定向将写入所述NVSM的数据。12.一种操作数据存储装置即DSD的方法,所述数据存储装置包括非易失性半导体存储器即NVSM,所述方法包括:从主机接收写请求,以便将数据量写入所述DSD,所述数据量包括被请求写入所述NVSM的数据量;基于先前写入到所述NVSM的数据量和以下项中的至少一个来确定写入放大率因子:先前被请求写入所述DSD的数据量,和先前被请求写入所述NVSM的数据量;以及基于确定的写入放大率因子,重新定向被请求写入所述NVSM的数据量的至少一部分至所述DSD的磁盘。13.如权利要求12所述的方法,其中在多个连续阶段的当前阶段中将被请求写入所述NVSM的数据量的至少一部分重新定向至所述磁盘。14.如权利要求13所述的方法,其中在所述当前阶段...
【专利技术属性】
技术研发人员:L·丁,CB·俄恩,C·M·古达,M·C·库塔斯,
申请(专利权)人:西部数据技术公司,
类型:发明
国别省市:美国;US
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