基板处理系统技术方案

本发明专利技术提供一种对多个基板实施处理的基板处理系统，其包括：收纳多个基板并对其实施规定的处理的圆环状的处理腔室；载置用于收纳多个基板的盒的盒载置部；和在该处理腔室与该盒载置部之间搬送基板的基板搬送机构，在该处理腔室内，俯视时同心圆状地配置有多个基板。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
(相关申请的相互参照)本申请基于在2014年3月31日在日本国申请的特愿2014-073450号，主张优先权，此处引用其内容。本专利技术涉及对多个基板实施规定的处理的基板处理系统。
技术介绍
例如在半导体器件等的制造工艺中，对作为基板的半导体晶片(以下称为“晶片”。)进行离子注入处理、蚀刻处理、成膜处理等各种处理。对晶片进行的成膜处理、被称为所谓的ALD(原子层沉淀，Atomic Layer Deposition)、MLD(分子层沉淀，Molecular Layer Deposition)的处理，例如利用在被排气为真空的处理腔室内对多个晶片进行处理的成批处理系统进行。作为这样的成批处理系统例如能够使用在专利文献1中公开那样的系统。例如如图13所示，该成批处理系统200，为了实现各晶片处理的面内均匀性提高和晶片W间的处理的均匀性的提高，具有同心圆状地载置多个晶片W的、例如圆形的载置台210和收纳该载置台210的圆筒形状的处理腔室211。真空搬送室212与处理腔室211相邻设置，在配置于大气侧的盒站201的盒C中收纳的晶片W经由配置在大气侧的搬送臂213和与真空搬送室212相邻的负载闭锁室214，由设置在真空搬送室212的搬送臂215搬送到处理腔室211内。现有技术文献专利文献专利文献1：日本国特开2010-245449号公报
技术实现思路
专利技术要解决的课题但是，在同心圆状地载置晶片W的载置台210中，在图13的处理腔室211内由虚线所示，在其中心产生不能载置晶片W的空间A。于是，载置在载置台210的晶片W的个数、换言之收纳在处理腔室211内的晶片W的个数越增加，该空间A越逐渐增加。因此，在图13所示的同心圆状地载置晶片W并对其进行处理的处理腔室211中，越使晶片W的处理个数增加，每个晶片W的处理所需要的处理腔室211的容积(以下将该容积称为“必要处理容积”。)越增加。这样一来，由于为了处理一个晶片W进行排气的空间的容积增加，所以用于将处理腔室211内排气至规定的真空度的时间增加，其结果是，存在晶片处理的生产能力降低的问题。所以，为了使每个晶片W的处理腔室211的容积不过剩地变大，通常使在处理腔室211进行处理的晶片W的个数为6个左右，这样构成的处理腔室211与真空搬送室212相邻地设置有多台。但是，当经由真空搬送室212设置多个处理腔室211时，也产生真空搬送室212其自身变大，作为成批处理系统200整体的占用空间增大的问题。本专利技术是鉴于上述情况而完成的，其目的在于，在对多个基板实施规定的处理的基板处理系统中，使伴随在处理腔室进行处理的晶片W的个数的增加而导致的处理腔室的容积的增加为最小限度。用于解决课题的技术方案为了达成上述目的，本专利技术包括：收纳多个基板的圆环状的处理腔室；载置用于收纳多个基板的盒的盒载置部；和在上述处理腔室与上述盒载置部之间搬送基板的基板搬送机构，在上述处理腔室内，俯视时同心圆状地配置有上述多个基板。根据本专利技术，处理腔室形成为圆环状，基板同心圆状地配置在该处理腔室内，所以在现有的圆筒形状的处理腔室中，没有产生与基板的收纳个数的增加一起逐渐增加的、上述的空间A。因此，即使增加在处理腔室进行处理的基板的个数，也能够使处理腔室的容积的增加为最小限度。专利技术效果根据本专利技术，在对多个基板实施规定的处理的基板处理系统中，能够使伴随在处理腔室进行处理的晶片W的个数的增加而导致的处理腔室的容积的增加为最小限度。附图说明图1是表示本实施方式的晶片处理系统的构成的概略的平面图。图2是表示本实施方式的晶片处理系统的构成的概略的纵截面图。图3是表示处理腔室的构成的概略的说明图。图4是表示另一实施方式的晶片处理系统的构成的概略的纵截面图。图5是表示在处理腔室中的晶片的处理个数和处理腔室的容积的关系图表。图6是关于处理腔室中的必要处理容积的说明图。图7是晶片处理系统的占用空间的说明图。图8是表示现有的成批处理系统的占用空间的说明图。图9是表示另一实施方式的晶片处理系统的构成的概略的平面图。图10是表示现有的成批处理系统的构成的概略的平面图。图11是表示另一实施方式的晶片处理系统的构成的概略的纵截面图。图12是表示另一实施方式的晶片处理系统的构成的概略的纵截面图。图13是表示现有的成批处理系统的构成的概略的平面图。具体实施方式以下对本专利技术的实施方式的一个例子进行说明。在本说明书和附图中，对实质上具有相同的功能构成的构成要素标注相同的附图标记，由此省略重复说明。图1是表示作为本实施方式的基板处理系统的晶片处理系统1的构成的概略的平面图。图2是表示本实施方式的晶片处理系统1的构成的概略的纵截面图。此外，以作为本实施方式的晶片W使用例如半导体晶片，在晶片处理系统1中实施对晶片进行成膜处理的、所谓的ALD的情况为例进行说明。如图1所示，晶片处理系统1包括：用盒单元将多个晶片W搬入搬出的盒站2；例如对多个晶片W分批式地进行处理的处理站3；和进行处理站3中的晶片W的处理的控制的控制装置4。为盒站2和处理站3经由负载闭锁室5一体地连接的构成。盒站2包括盒载置部10和与盒载置部10相邻设置的搬送室11。在盒载置部10中，能够在X方向(图1中的左右方向)上载置多个例如3个能够收纳多个晶片W的盒C。在搬送室11设置有晶片搬送臂12。晶片搬送臂12能够在上下方向、左右方向和绕铅垂轴(θ方向)自由移动，能够在盒载置部10的盒C与负载闭锁室5之间搬送晶片W。此外，图1描绘了在搬送室11配置有一台晶片搬送臂12的状态，但是，晶片搬送臂12的配置和设置数量等不限于本实施方式的内容，能够任意设定。处理站3包括成批式地对多个晶片W进行处理的大致圆环状的处理腔室20，和在由圆环状的处理腔室20包围的内侧的空间与处理腔室20相邻设置的真空搬送室21。例如如图2所示，处理腔室20的截面的宽度S构成为比晶片W的直径大，以使得能够水平收纳晶片W。在处理腔室20的内部设置有载置多个晶片W的载置台22。此外，在图2中，将处理腔室20的截面描绘为矩形，但是，如果处理腔室20的截面形状为在其内部能够配置圆环状的载置台22的形状，则不限于本实施方式的内容，能够任意设定。载置台22例如如图1所示，与处理腔室20同样形成为圆环状，与处理腔室20同心圆状地配置。在载置台22上，多个晶片W沿该载置台22的周向配置在同一圆周上。在图1中，描绘了在载置台22上载置有例如14个晶片W的状态，但是，晶片W的设置个数和载置台22的大小能够任意设定。在载置台22的例如下表面设置有使载置台22以该载置台22的中心轴为旋转轴在水平方向上旋转的驱动机构23。作为驱动机构23例如由能够转动的辊等构成。另外，在载置台22内置有未图示的升降销，能够在与后述的晶片搬送机构40之间进行晶片W的交接。例如如图2所示，排气机构24与处理腔室20经由排气管25连接，利用该排气机构24能够将内部减压。在排气管25设置有对排气机构24的排气量进行调节的调节阀26。在处理腔室20的与真空搬送室21相对的侧面，换言之在处理腔室20与真空搬送室21之间，例如如图3所示，在多个部位设置有闸阀27。该闸阀27在通常状态下为关闭的状态，通过进行打开操作，能够在真空搬送室21与处理腔室20之间进行晶片W的搬送。此外，在本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种对多个基板实施处理的基板处理系统，其特征在于，包括：收纳多个基板并对其实施规定的处理的圆环状的处理腔室；载置用于收纳多个基板的盒的盒载置部；和在所述处理腔室与所述盒载置部之间搬送基板的基板搬送机构，在所述处理腔室内，俯视时同心圆状地配置有所述多个基板。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2014.03.31 JP 2014-0734501.一种对多个基板实施处理的基板处理系统，其特征在于，包括：收纳多个基板并对其实施规定的处理的圆环状的处理腔室；载置用于收纳多个基板的盒的盒载置部；和在所述处理腔室与所述盒载置部之间搬送基板的基板搬送机构，在所述处理腔室内，俯视时同心圆状地配置有所述多个基板。2.如权利要求1所述的基板处理系统，其特征在于：所述基板搬送机构配置在所述圆环状的处理腔室的中心部的空间，在处理腔室的与所述基板搬送机构相对的面设置有闸阀。3.如权利要求2所述的基板处理系统，其特征在于：在所述圆环状的处理腔室的中心部的空间与该处理腔室相邻地设置有真空搬送室，所述基板搬送机构配置在所述真空搬送室内。4.如权利要求3所述的基板处理系统，其特征在于：所述真空搬送室和所述盒载置部经由负载闭锁室连接。5.如权利要求4所述的基板处理系统，其特征在于：所述负载...

【专利技术属性】
技术研发人员：藤野丰，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP