发光器件和发光器件封装制造技术

提供了一种具有增强的表面性质和电性质的发光器件。所述发光器件包括：发光结构，包括第一半导体层、有源层和第二半导体层；第一电极，布置在所述发光结构的一侧上并且被电连接至所述第一半导体层；第二电极，布置在所述发光结构的一侧上并且被电连接至所述第二半导体层；并且提供欧姆接触，其包括布置在所述第二电极与所述第二半导体层之间且具有铝(Al)的第一层、包括通过与被包含在所述第一层中的Al反应而形成的至少一种MxAly合金的第二层、以及布置在所述第二层上且具有金(Au)的第三层。

【技术实现步骤摘要】
相关申请的交叉引用本申请要求2015年5月11日提交的韩国专利申请第2015-0065483号和2015年5月11日提交的申请第2015-0065485号的优先权和权益，其公开内容作为整体通过引用合并于此。
本专利技术的实施例涉及一种发光器件和发光器件封装。
技术介绍
发光二极管(LED)是当施加电流时发射光的一种发光器件。LED能够高效率地发光，使得节能效果优异。最近，LED的亮度问题已经在很大程度上得以解决，并且LED被应用于各种装置，诸如液晶显示装置的背光单元、电子广告牌、指示器和家用电器等。特别地，由于基于氮化物半导体发光器件在电子亲和力、电子迁移率、电子饱和速度和电场击穿电压方面具有优异的特性，可以实施具有高效率和高输出的基于氮化物半导体发光器件，并且因为上述基于氮化物半导体发光器件不包括诸如砷(As)或汞(Hg)的有害物质，其作为环境友好器件已经受到很大关注。
技术实现思路
实施例提供一种具有增强的表面性质和电性质的发光器件和发光器件封装。实施例也提供一种即使当在高温下执行热处理时电性质仍不会退化的发光器件和发光器件封装。实施例也提供一种可以通过解决热产生的问题来增强操作电压性质和器件操作性质的发光器件和发光器件封装。根据实施例，一种发光器件，包括：发光结构，包括第一半导体层、有源层和第二半导体层；第一电极，布置在所述发光结构的一侧上并且被电连接至所述第一半导体层；第二电极，布置在所述发光结构的一侧上并且被电连接至所述第二半导体层；并且提供欧姆接触，其包括布置在所述第二电极与所述第二半导体层之间且具有铝(Al)的第一层、包括通过与被包含在所述第一层中的Al反应而形成的至少一种MxAly合金的第二层、以及布置在所述第二层上且具有金(Au)的第三层。根据实施例，一种发光器件，包括：发光结构，包括第一半导体层、有源层和第二半导体层；第一电极，布置在所述发光结构的一侧上并且被电连接至所述第一半导体层；第二电极，布置在所述发光结构的一侧上并且被电连接至所述第二半导体层；并且提供第一欧姆接触，其包括布置在所述第二电极与所述第二半导体层之间且具有铝(Al)的第一层、包括通过与被包含在所述第一层中的Al反应而形成的至少一种MxAly合金的第二层、以及布置在所述第二层上且具有金(Au)的第三层，其中，在所述发光结构中，具有非线性阻抗(非欧姆)性质的第一区域布置在未通过所述第一电极与底座接触的非接触区域上。附图说明通过参照附图详细描述本专利技术的示例性实施例，本专利技术的上述和其它目的、特征和优点对本领域普通技术人员而言将变得更加显而易见，在附图中：图1是示出根据本专利技术实施例的发光器件的概念图；图2是示出根据本专利技术实施例的欧姆接触的横截面图；图3是示出根据本专利技术另一实施例的欧姆接触的横截面图；图4是示出根据本专利技术又一实施例的欧姆接触的横截面图；图5是示出根据本专利技术再一实施例的欧姆接触的横截面图；图6是示出根据本专利技术再一实施例的欧姆接触的横截面图；图7示出表示根据本专利技术实施例的欧姆接触的过程图；图8示出表示根据本专利技术另一实施例的欧姆接触的过程图；图9示出用于比较根据本专利技术实施例与传统技术形成的第二层的导电性的图表；图10和图11是示出根据传统技术和本专利技术实施例形成的欧姆接触的表面的视图；图12示出根据传统技术和本专利技术实施例形成的欧姆接触的表面的放大图；图13示出用于描述根据本专利技术实施例的欧姆接触的夹层的功能的视图；图14是示出根据本专利技术另一实施例的发光器件的平面图，图15是示出沿图14的发光器件的线A-A’截取的横截面图；图16是示出根据本专利技术另一实施例的发光器件的横截面图；图17是示出根据本专利技术又一实施例的发光器件的横截面图；图18是示出根据本专利技术再一实施例的欧姆接触的横截面图；图19是示出根据本专利技术再一实施例的欧姆接触的横截面图；图20是示出根据本专利技术实施例的发光器件封装的横截面图；图21是示出根据本专利技术实施例的发光器件封装的操作电压性质的图表；以及图22A至图22F是示出根据本专利技术实施例的用于描述制造发光器件的方法的视图。具体实施方式尽管本专利技术可以具有附加的各种变型和大量实施例，其具体实施例在附图中通过示例的方式示出且将对其进行详细描述。然而，应当理解地是，不意图将专利技术构思限制为所公开的特定形式，而是相反地，专利技术构思旨在覆盖落入专利技术构思的精神和范围内的所有变型、等价方案和替代方案。将理解的是，虽然本文可能使用术语“第一”、“第二”等来描述各种组件，但这些组件不应当受这些术语限制。这些术语仅用于将一个组件与另一个组件进行区分。例如，在不脱离本专利技术构思的教导的情况下，以下讨论的第一组件可以被称为第二组件，并且类似地，以下讨论的第二组件可以被称为第一组件。术语“和/或”包括所列术语的组合或所列术语中的一个。将理解的是，当元件被称为被“连接”或“耦合”到另一个元件时，其
可以被直接地连接到所述另一个元件或者可以耦合到其它元件，但是也可以存在中间层。相反，当元件被称为“直接地连接”或“间接地耦合”到另一个元件时，将理解的是，没有中间元件。本文所使用的用于描述专利技术构思实施例的术语并非旨在限制专利技术构思的范围。除非上下文清楚地表明，否则，所提及专利技术构思的所提及的单数形式元件可以为一个或多个。还应理解地是，本文所使用的术语“包括”或“具有”等表明存在所描述的特征、数量、步骤、操作、元件、组件和/或组，但不排除存在或加入一个或多个其它特征、数量、步骤、操作、元件、组件和/或组。除非另有定义，否则，本文使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)被理解为在本专利技术所属的技术中是常见的。还将理解的是，除非在本文中被清楚地定义，否则，常见用法中的术语也将被理解为在相关技术中是常见的并且不应当被理解为理想或过于形式化的含义。在下文中，将参照附图描述示例实施例，不管图号，相同或相应的元件将被给予相同的附图标记，并将省略其重复描述。图1是示出根据本专利技术实施例的发光器件的概念图。参照图1，根据本专利技术实施例的发光器件1可以包括发光结构20(包括多个半导体层)、被电连接到发光结构20的第一电极52和第二电极54。发光结构20可以包括第一半导体层22、有源层24和第二半导体层26。第一半导体层22可以是化合物半导体(诸如第III-V族半导体、第II-VI族半导体等)，并且第一半导体层22可以掺杂有第一导电掺杂剂。第一半导体层22可以满足AlxInyGa(1-x-y)N(0≤x≤1、0≤y≤1、0≤x+y≤1)的经验式。例如，第一半导体层22可以包括AlGaN、InAlGaN、AlGaAs、GaP、GaAs、GaAsP和AlGaInP中的至少一种。当第一半导体层22是P型半导体层时，第一导电掺杂剂可以为P型掺杂剂(诸如Mg、Zn、Ca、Sr、Ba等)。第一半导体层22可以被形成为单层或多层，但不限于此。在紫外线(UV)、深UV或非偏振发光器件的情况下，第一半导体层22可以包括InAlGaN和AlGaN中的至少一种。当第一半导体层22是P型半导体层时，第一半导体层22可以包括AlGaN梯度，其中铝的浓度具有梯度以
减少晶格差异，并且可以具有10nm至100nm的厚度。布置在第一半导体层22与第二半导体层26之间的有源层24可以包括本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种发光器件，包括：发光结构，包括第一半导体层、有源层和第二半导体层；第一电极，布置在所述发光结构的一侧上并且被电连接至所述第一半导体层；第二电极，布置在所述发光结构的一侧上并且被电连接至所述第二半导体层；以及欧姆接触件，包括布置在所述第二电极与所述第二半导体层之间且具有铝的第一层、具有通过与被包含在所述第一层中的铝反应而形成的至少一种MxAly合金的第二层、以及布置在所述第二层上且具有金的第三层。

【技术特征摘要】
2015.05.11 KR 10-2015-0065483;2015.05.11 KR 10-2011.一种发光器件，包括：发光结构，包括第一半导体层、有源层和第二半导体层；第一电极，布置在所述发光结构的一侧上并且被电连接至所述第一半导体层；第二电极，布置在所述发光结构的一侧上并且被电连接至所述第二半导体层；以及欧姆接触件，包括布置在所述第二电极与所述第二半导体层之间且具有铝的第一层、具有通过与被包含在所述第一层中的铝反应而形成的至少一种MxAly合金的第二层、以及布置在所述第二层上且具有金的第三层。2.根据权利要求1所述的发光器件，其中M的熔点高于Al的熔点。3.根据权利要求1所述的发光器件，其中M包括选自铜、钯和银中的一种金属。4.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述MxAly合金包括CuxAly合金，其中1≤x≤9、1≤y≤4。5.根据权利要求4所述的发光器件，其中在所述CuxAly合金中，y为大于等于x的值。6.根据权利要求4所述的发光器件，其中所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：宋炫暾，姜基晩，金胜晥，卢承垣，李镇旭，洪恩珠，洪义朗，
申请(专利权)人：LG伊诺特有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国;KR