【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于压敏电阻材料
,具体涉及含有铋硼玻璃的压敏电阻材料的制备工艺。
技术介绍
随着MLV进一步向小型化、复合化、低压化、生产大规模化方向发展,对有效层压敏电阻材料电位梯度、非线性系数等提出了更高的要求。另外,为了控制生产成本,降低烧结温度以实现陶瓷层材料与纯银内电极的低温共烧及减小因Bi2O3挥发导致材料的成份波动对电性能的影响显得尤为重要。
技术实现思路
为了解决上述问题,本专利技术提供了含有铋硼玻璃的压敏电阻材料的制备工艺,本专利技术可以使其烧结温度也得到大幅度的降低,较好地解决了低电位梯度压敏电阻材料低温烧结和低电位梯度两个相互制约的问题,且工艺简单,成本低,绿色环保。具体技术方案如下:含有铋硼玻璃的压敏电阻材料的制备工艺,具体步骤为:1)将微米级ZnO、Sb2O3、Cr2O3、Co2O3和MnO2混合成金属氧化物混合粉,并放入高能球磨机中,加入无水乙醇进行湿法球磨,然后烘干,得干燥的金属氧化物混合粉;2)将Bi2O3和B2O3混合均匀,用高能球磨机球磨后,经过熔融、淬火、干燥和过筛工艺获得铋硼玻璃;3)将步骤1)所得的金属氧化物混合粉和步骤2)所得的铋硼玻璃混合进
行造粒,然后压制成型,获得坯片;4)将步骤3)得到的所述坯片升温排胶,烧结,冷却,得到一种含有铋硼玻璃的压敏电阻材料。所述步骤1)中ZnO:Sb2O3:Cr2O3:Co2O:MnO2=(51~55):(0.7~1.5):(1.0~1.5):(0.5~1.2):(0.8~1.4):(0.5~2)。所述步骤1)中高能球磨机的转速为500~100r/min。所述步 ...
【技术保护点】
含有铋硼玻璃的压敏电阻材料的制备工艺,其特征在于,具体步骤为:1)将微米级ZnO、Sb2O3、Cr2O3、Co2O3和MnO2混合成金属氧化物混合粉,并放入高能球磨机中,加入无水乙醇进行湿法球磨,然后烘干,得干燥的金属氧化物混合粉;2)将Bi2O3和B2O3混合均匀,用高能球磨机球磨后,经过熔融、淬火、干燥和过筛工艺获得铋硼玻璃;3)将步骤1)所得的金属氧化物混合粉和步骤2)所得的铋硼玻璃混合进行造粒,然后压制成型,获得坯片;4)将步骤3)得到的所述坯片升温排胶,烧结,冷却,得到一种含有铋硼玻璃的压敏电阻材料。
【技术特征摘要】
1.含有铋硼玻璃的压敏电阻材料的制备工艺,其特征在于,具体步骤为:1)将微米级ZnO、Sb2O3、Cr2O3、Co2O3和MnO2混合成金属氧化物混合粉,并放入高能球磨机中,加入无水乙醇进行湿法球磨,然后烘干,得干燥的金属氧化物混合粉;2)将Bi2O3和B2O3混合均匀,用高能球磨机球磨后,经过熔融、淬火、干燥和过筛工艺获得铋硼玻璃;3)将步骤1)所得的金属氧化物混合粉和步骤2)所得的铋硼玻璃混合进行造粒,然后压制成型,获得坯片;4)将步骤3)得到的所述坯片升温排胶,烧结,冷却,得到一种含有铋硼玻璃的压敏电阻材料。2.根据权利要求1所述的含有铋硼玻璃的压敏电阻材料的制备工艺,其特征在于:所述步骤1)中ZnO:Sb2O3:Cr2O3:Co2O::MnO2...
【专利技术属性】
技术研发人员:闫宁,
申请(专利权)人:西安立伟电子科技有限责任公司,
类型:发明
国别省市:陕西;61
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