半导体器件制造技术

提供了一种半导体器件。所述半导体器件包括：第一鳍式图案，通过第一沟槽限定并且包括彼此面对的第一侧壁和第二侧壁；场绝缘膜，包括与第一侧壁接触的第一区域和与第二侧壁接触的第二区域，并且部分地填充第一沟槽，其中，第一侧壁具有与第一区域的顶表面接触的第一点，第二侧壁具有与第二区域的顶表面接触的第二点，第一区域的顶表面包括比第一侧壁的第一点高的部分。

【技术实现步骤摘要】
本申请要求于2015年5月11日提交到韩国知识产权局的第10-2015-0065127号韩国专利申请的优先权，该韩国专利申请的全部内容通过引用包含于此。
本专利技术涉及一种半导体器件。
技术介绍
作为衡量增加半导体器件的密度的技术之一，已经提出了多栅极晶体管，在多栅极晶体管中，鳍式硅主体形成在基底上，栅极形成在硅主体的表面上。由于多栅极晶体管使用三维沟道，所以容易测量。另外，即使多栅极晶体管的栅极长度没有增加，也可能改善电流控制能力。此外，能够有效地抑制沟道区的电势受漏极电压影响的短沟道效应(SCE)。
技术实现思路
本专利技术构思的一方面提供了可以通过改善从场绝缘膜向上突出的鳍式图案之间的隔离能力来改善元件特性的半导体器件。本专利技术构思的方面不限于上述方面，没有提及的本专利技术构思的其它方面通过下面的描述本领域技术人员将清晰地理解。根据本专利技术构思的一方面，提供了一种半导体器件，所述半导体器件包括：第一鳍式图案，通过第一沟槽限定并且包括彼此面对的第一侧壁和第二侧壁；场绝缘膜，包括与第一侧壁接触的第一区域和与第二侧壁接触的第二区域，并且部分地填充第一沟槽，其中，第一侧壁具有与第一区域的顶表面接触的第一点，第二侧壁具有与第二区域的顶表面接触的第二点，第一区域的顶表面包括比第一侧壁的第一点高的部分。在本专利技术构思的一些实施例中，第二区域的顶表面包括比第二侧壁的第二点高的部分。在本专利技术构思的一些实施例中，在比第二侧壁的第二点高的部分与第一鳍式图案之间，第二区域的顶表面包括比第二侧壁的第二点低的部分。在本专利技术构思的一些实施例中，半导体器件还可以包括与第一沟槽直接相邻的第二沟槽。第一沟槽的第一深度比第二沟槽的第二深度浅。在本专利技术构思的一些实施例中，第一侧壁和第二侧壁中的每个通过第一沟槽的底部连接到第二沟槽。在本专利技术构思的一些实施例中，第二区域的顶表面低于第二侧壁的第二点。在本专利技术构思的一些实施例中，第一区域的顶表面包括低于第一侧壁的第一点的第一部分和高于第一侧壁的第一点的第二部分。在本专利技术构思的一些实施例中，第一区域的第一部分比第一区域的第二部分靠近第一鳍式图案。在本专利技术构思的一些实施例中，在与第一点分隔开第一距离的位置处，从第一沟槽的底部到第一区域的顶表面的高度为第一高度，在与第一点分隔开大于第一距离的第二距离的位置处，从第一沟槽的底部到第一区域的顶表面的高度为第二高度，在与第一点分隔开大于第二距离的第三距离的位置处，从第一沟槽的底部到第一区域的顶表面的高度为第三高度，第一高度和第二高度低于从第一沟槽的底部到第一点的高度，第三高度高于从第一沟槽的底部到第一点的高度。在本专利技术构思的一些实施例中，第一高度高于第二高度。在本专利技术构思的一些实施例中，所述半导体器件还可以包括与第一沟槽直接相邻的第二沟槽。第一沟槽的第一深度比第二沟槽的第二深度浅。在本专利技术构思的一些实施例中，在第一区域的顶表面中，比第一侧壁的第一点高的部分与第二沟槽叠置。在本专利技术构思的一些实施例中，所述半导体器件还可以包括：突出结构，形成为从第一沟槽的底部突出并且低于场绝缘膜的顶表面。在本专利技术构思的一些实施例中，突出结构位于第一沟槽和第二沟槽之间的边界处。在本专利技术构思的一些实施例中，所述半导体器件还可以包括：第二鳍式图案，与第一鳍式图案直接相邻，第一区域设置在第二鳍式图案和第一鳍式图案之间；第三鳍式图案，与第一鳍式图案直接相邻，第二区域设置在第三
鳍式图案和第一鳍式图案之间。第一鳍式图案和第二鳍式图案之间的距离与第一鳍式图案和第三鳍式图案之间的距离不同，第二区域的顶表面低于第二侧壁的第二点。在本专利技术构思的一些实施例中，第一鳍式图案和第二鳍式图案之间的距离大于第一鳍式图案和第三鳍式图案之间的距离。在本专利技术构思的一些实施例中，从第一沟槽的底部到第一区域的最上部分的高度低于从第一沟槽的底部到第一鳍式图案的最上部分的高度。在本专利技术构思的一些实施例中，所述半导体器件还可以包括在场绝缘膜上与第一鳍式图案交叉的栅电极。根据本专利技术构思的另一方面，提供了一种半导体器件，所述半导体器件包括：第一鳍式图案和第二鳍式图案，在基底上彼此分隔开第一距离并且彼此直接相邻；第三鳍式图案和第四鳍式图案，在基底上彼此分隔开与第一距离不同的第二距离并且彼此直接相邻；场绝缘膜，部分地覆盖基底上的第一鳍式图案至第四鳍式图案中的每个，其中，在第一鳍式图案和第二鳍式图案之间，场绝缘膜的顶表面具有比场绝缘膜的顶表面与第一鳍式图案和第二鳍式图案接触的点高的部分。在本专利技术构思的一些实施例中，在第三鳍式图案和第四鳍式图案之间，场绝缘膜的顶表面低于场绝缘膜的顶表面与第三鳍式图案和第四鳍式图案接触的点。在本专利技术构思的一些实施例中，第一距离大于第二距离。在本专利技术构思的一些实施例中，所述半导体器件还可以包括：第一沟槽，具有限定第一鳍式图案的第一深度；第二沟槽，具有限定第三鳍式图案的第二深度；第三沟槽，在第一鳍式图案和第二鳍式图案之间具有比第一深度深的第三深度。在第三鳍式图案和第四鳍式图案之间没有形成比第二深度深的沟槽。在本专利技术构思的一些实施例中，所述半导体器件还可以包括：第一沟槽，具有限定第一鳍式图案的第一深度；第二沟槽，具有限定第三鳍式图案的第二深度。在第一鳍式图案和第二鳍式图案之间没有形成比第一深度深的沟槽，在第三鳍式图案和第四鳍式图案之间没有形成比第二深度深的沟槽。在本专利技术构思的一些实施例中，在第三鳍式图案和第四鳍式图案之间，场绝缘膜的顶表面具有比场绝缘膜的顶表面与第三鳍式图案和第四鳍式图案
接触的点高的部分。在本专利技术构思的一些实施例中，在第一鳍式图案和第二鳍式图案之间，从场绝缘膜的顶表面与第一鳍式图案和第二鳍式图案接触的点到场绝缘膜的最上部分的高度是第一高度，在第三鳍式图案和第四鳍式图案之间，从场绝缘膜的顶表面与第三鳍式图案和第四鳍式图案接触的点到场绝缘膜的最上部分的高度是第二高度，第一高度与第二高度不同。在本专利技术构思的一些实施例中，第一距离大于第二距离，第一高度高于第二高度。在本专利技术构思的一些实施例中，在第一鳍式图案和第二鳍式图案之间，场绝缘膜的顶表面包括第一部分和第二部分，第一部分高于场绝缘膜的顶表面与第一鳍式图案和第二鳍式图案接触的点，第二部分低于场绝缘膜的顶表面与第一鳍式图案和第二鳍式图案接触的点。在本专利技术构思的一些实施例中，第二部分设置在第一部分的两侧上。在本专利技术构思的一些实施例中，所述半导体器件还可以包括：第一沟槽，具有限定第一鳍式图案的第一深度；第二沟槽，具有限定第二鳍式图案的第二深度；第三深度，在第一鳍式图案和第二鳍式图案之间具有比第一深度和第二深度深的第三深度。在本专利技术构思的一些实施例中，场绝缘膜填充第一沟槽的一部分、第二沟槽的一部分和第三沟槽的一部分。在本专利技术构思的一些实施例中，在第一鳍式图案和第二鳍式图案之间，比场绝缘膜的顶表面与第一鳍式图案和第二鳍式图案接触的点高的场绝缘膜的顶表面与第三沟槽叠置。根据本专利技术构思的又一方面，提供了一种半导体器件，所述半导体器件包括：有源区域，通过具有第一深度的第一沟槽限定；第一鳍式图案，在有源区域内通过具有比第一深度浅的第二深度的第二沟槽限定，并且与第一沟槽直接相邻；第二鳍式图案，在有源区域内通过第二沟槽限定，并且与第一鳍式图案直接相邻；场本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体器件，所述半导体器件包括：第一鳍式图案，通过第一沟槽限定并且包括第一侧壁和面对第一侧壁的第二侧壁；以及场绝缘膜，包括与第一侧壁接触的第一区域和与第二侧壁接触的第二区域，并且部分地填充第一沟槽，其中，第一侧壁具有与第一区域的顶表面接触的第一点，第二侧壁具有与第二区域的顶表面接触的第二点，其中，第一区域的顶表面包括比第一侧壁的第一点高的部分。

【技术特征摘要】
2015.05.11 KR 10-2015-00651271.一种半导体器件，所述半导体器件包括：第一鳍式图案，通过第一沟槽限定并且包括第一侧壁和面对第一侧壁的第二侧壁；以及场绝缘膜，包括与第一侧壁接触的第一区域和与第二侧壁接触的第二区域，并且部分地填充第一沟槽，其中，第一侧壁具有与第一区域的顶表面接触的第一点，第二侧壁具有与第二区域的顶表面接触的第二点，其中，第一区域的顶表面包括比第一侧壁的第一点高的部分。2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，第二区域的顶表面包括比第二侧壁的第二点高的部分。3.根据权利要求2所述的半导体器件，其中，在比第二侧壁的第二点高的部分与第一鳍式图案之间，第二区域的顶表面包括比第二侧壁的第二点低的部分。4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，第一区域的顶表面包括低于第一侧壁的第一点的第一部分和高于第一侧壁的第一点的第二部分。5.根据权利要求4所述的半导体器件，其中，第一区域的第一部分比第一区域的第二部分靠近第一鳍式图案。6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，在与第一点分隔开第一距离的位置处，从第一沟槽的底部到第一区域的顶表面的高度为第一高度，其中，在与第一点分隔开大于第一距离的第二距离的位置处，从第一沟槽的底部到第一区域的顶表面的高度为第二高度，其中，在与第一点分隔开大于第二距离的第三距离的位置处，从第一沟槽的底部到第一区域的顶表面的高度为第三高度，其中，第一高度和第二高度低于从第一沟槽的底部到第一点的高度，其中，第三高度高于从第一沟槽的底部到第一点的高度。7.根据权利要求1所述的半导体器件，所述半导体器件还包括与第一沟槽直接相邻的第二沟槽，其中，第一沟槽的第一深度比第二沟槽的第二深度浅。8.根据权利要求7所述的半导体器件，其中，在第一区域的顶表面中，
\t比第一侧壁的第一点高的部分与第二沟槽叠置。9.根据权利要求1所述的半导体器件，所述半导体器件还包括：第二鳍式图案，与第一鳍式图案直接相邻，第一区域设置在第二鳍式图案和第一鳍式图案之间；以及第三鳍式图案，与第一鳍式图案直接相邻，第二区域设置在第三鳍式图案和第一鳍式图案之间，其中，第一鳍式图案和第二鳍式图案之间的距离与第一鳍式图案和第三鳍式图案之间的距离不同，其中，第二区域的顶表面低于第二侧壁的第二点。10.根据权利要求9所述的半导体器件，其中，第一鳍式图案和第二鳍式图案之间的距离大于第一鳍式图案和第三鳍式图案之间的距离。11.根据权利要求1...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘庭均，成石铉，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国;KR