基板处理系统、用于基板处理系统的真空旋转模块以及用于操作基板处理系统的方法技术方案

描述一种用于处理基本上竖直地定向的基板的基板处理系统。所述基板处理系统包括：第一真空腔室，所述第一真空腔室具有第一双轨传输系统，所述第一双轨传输系统具有第一传输轨道和第二传输轨道；至少一个横向位移机构，所述至少一个横向位移机构被配置成用于在所述第一真空腔室中将所述基板从所述第一传输轨道横向地移位至所述第二传输轨道或反之亦然；以及真空旋转模块，所述真空旋转模块具有第二真空腔室，其中所述真空旋转模块包括竖直的旋转轴，以使所述基板在所述第二真空腔室中围绕所述竖直的旋转轴旋转，其中所述真空旋转模块具有第二双轨传输系统，所述第二双轨传输系统具有第一旋转轨道和第二旋转轨道，其中所述第一旋转轨道可旋转以与所述第一传输轨道形成线性传输路径，并且所述第二旋转轨道可旋转以与所述第二传输轨道形成线性传输路径，并且其中所述竖直的旋转轴在所述第一旋转轨道与所述第二旋转轨道之间。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术的实施方式大体涉及处理基板处理系统、基板旋转和其操作方法。具体来说，本专利技术的实施方式涉及一种用于处理基本上竖直地定向的基板的基板处理系统、一种被配置用于基板处理系统的真空旋转模块以及一种在基板处理系统中沉积层堆叠的方法。
技术介绍
在多种技术应用中，不同材料的层在基板上方沉积在彼此上。通常，这会在涂覆或沉积步骤的序列中完成，其中也可在各种沉积步骤之前、之间或之后提供像蚀刻或结构化(structuring)的其他处理步骤。例如，可以沉积具有“材料一”-“材料二”-“材料一”序列的多层堆叠。由于不同工艺步骤中的不同涂覆速率，并且由于这些层的不同厚度，用于沉积不同层的处理腔室中的处理时间可能发生显著变化。为了沉积多层堆叠，可以提供多种处理腔室配置。例如，可以使用沉积腔室直列(in-line)布置以及沉积腔室的群集(cluster)布置。典型群集布置包括中央搬运腔室以及连接至中央搬运腔室的多个处理腔室或沉积腔室。涂布腔室可装配成执行相同或不同的工艺。典型直列系统包括多个后续处理腔室，其中多个处理步骤在一个接另一个腔室中执行，使得利用直列系统连续地或准连续地处理多个基板。然而，鉴于在直列系统中的工艺的搬运非常容易，工艺时间是由最长处理时间确定。因此，工艺效率受到影响。另一方面，群集工具允许不同循环时间(cycle times)。然而，搬运可能非常复杂，这就要求设在中央搬运腔室中的精巧传送系统。另外，期望提供双轨或多轨系统(例如，双轨直列系统)，其中可通过分别在第一传输轨道和第二传输轨道上传输例如一个真空腔室中的两个基板进一步减少单件工时(tact time)。例如，处理系统(诸如直列溅射系统)经受周期性的维护。这种维护减少系统正常运行时间。在具有多于一个的处理腔室的许多系统(诸如溅射系统)中，对这些工艺腔室中的一者的维护导致整个系统中断，即，工具操作中断。因此，需要另一改进基板处理系统，具体来说是在正常运行时间、单件工时和/或维护方面有改进的基板处理系统。
技术实现思路
鉴于上述内容，提供根据独立权利要求1所述的基板处理系统、根据权利要求8所述的真空旋转模块、以及根据权利要求13所述的在基板处理系统中沉积层堆叠的方法。通过从属权利要求、说明书和附图，另外优点、特征、方面和细节显而易见。根据一个实施方式，提供一种用于处理基本上竖直地定向的基板的基板处理系统。所述基板处理系统包括：第一真空腔室，所述第一真空腔室具有第一双轨传输系统，所述第一双轨传输系统具有第一传输轨道和第二传输轨道；至少一个横向位移机构，所述至少一个横向位移机构被配置成用于在第一真空腔室内将基板从第一传输轨道横向地移位至第二传输轨道或反之亦然；以及真空旋转模块，所述真空旋转模块具有第二真空腔室，其中真空旋转模块包括竖直的旋转轴，以使基板在第二真空腔室内围绕竖直的旋转轴旋转，其中真空旋转模块具有第二双轨传输系统，所述第二双轨传输系统具有第一旋转轨道和第二旋转轨道，其中第一旋转轨道可旋转以与第一传输轨道形成线性传输路径，并且第二旋转轨道可旋转以与第二传输轨道形成线性传输路径，并且其中竖直的旋转轴在第一旋转轨道与第二旋转轨道之间。根据另一实施方式，提供一种被配置用于具有第一真空腔室和第一双轨传输系统的基板处理系统、具体来说用于根据本文所述实施方式的基板处理系统的真空旋转模块。真空旋转模块包括：第二真空腔室；第二双轨传输系统，所述第二双轨传输系统具有第一旋转轨道和第二旋转轨道，其中第一旋转轨道与第二旋转轨道具有500mm或更小的距离；以及竖直的旋转轴，所述竖直的旋转轴使得基板在第二真空腔室内、在第二双轨传输系统上围绕竖直的旋转轴旋转，其中竖直的旋转轴在第一旋转轨道与第二旋转轨道之间。根据另一实施方式，提供一种在具有第一沉积腔室、第二沉积腔室和真空旋转模块的基板处理系统、具体来说在根据本文所述实施方式的基板处理系统中沉积层堆叠的方法。所述方法包括：在第一沉积腔室中，将包括第一材料的第一层沉积到基本上竖直地定向的基板上；当另一基板从第一沉积腔室传送到真空旋转模块中或反之亦然时，将基板从第一沉积腔室传送到真空旋转模块中；具体来说当另一基板从真空旋转模块传送到第二沉积腔室或反之亦然时，将基板从真空旋转模块传送到第二沉积腔室中；在第二沉积腔室中，沉积包括第二材料的第二层。附图说明因此，为了能够详细理解本专利技术的上述特征所用方式，上文所简要概述的本专利技术的更具体的描述可以参考本专利技术的实施方式进行，一些实施方式例示在附图中。图1是根据本文所述实施方式的基板处理系统的示意图，所述基板处理系统具有三个沉积腔室、与处理腔室一起提供线性传输路径的真空旋转模块、以及双传输轨系统；图2是根据本文所述实施方式的另一基板处理系统的示意图，所述另一基板处理系统具有若干沉积腔室、与处理腔室一起提供线性传输路径的真空旋转模块、以及双传输轨系统；图3-5是根据本文所述实施方式的另一基板处理系统的示意图，所述另一基板处理系统具有若干沉积腔室、与处理腔室一起提供线性传输路径的真空旋转模块、以及双传输轨系统；图6是根据本文所述实施方式的包括双轨传输系统的腔室的示意图；图7是示出根据本文所述实施方式的在包括直列基板处理系统部分的处理系统中沉积层堆叠的方法的流程图；以及图8是根据本文所述实施方式的另一基板处理系统的示意图，所述另一基板处理系统具有若干沉积腔室、与处理腔室一起提供线性传输路径的真空旋转模块、以及双轨传输系统。为了促进理解，在可能的情况下，已尽可能使用相同元件符号指定各图所共有的相同元件。应预见到，一个实施方式的元件或特征可有利地并入其他实现方式，而不需要进一步地陈述。然而，值得注意的是，附图仅示出了本专利技术的示例性的实施方式，并且因此不应视为限制本专利技术的范围，因为本专利技术可允许其他等效实施方式。具体实施方式现将详细参考本专利技术的各种实施方式，它们一或多个实例在附图中示出。每个实例以解释的方式提供，而不旨在作为本专利技术的限制。例如，作为一个实施方式的部分而示出或描述的特征可用于其他实施方式或可与其他实施方式结合，以便产生另一实施方式。本专利技术是旨在包括此类修改和变型。如本文中所使用的术语“基板”应当包含多个基板，即，例如用于制造显示器的基板，诸如，玻璃基板或由塑料材料制成的基板。根据可与本文所述其他实施方式相结合的一些实施方式，本文所述实施方式可以用于显示器制造，例如，PVD，即，在显示器市场的大面积基板上溅射沉积。根据一些实施方式，大面积基板或相应载体(其中所述载体具有多个基板)可具有至少0.67m2的尺寸。通常，尺寸可以是约0.67m2(0.73×0.92m–第4.5代)或更高代，更通常为约2m2至约9m2或甚至高达12m2。通常，根据本文所述实施方式的结构、系统、设备(诸如阴极组件)和方法所用于的基板或载体是本文所述的大面积基板。举例来说，大面积基板或载体可为第4.5代、第5代、第7.5代、第8.5代或甚至第10代，其中，第4.5代对应于约0.67m2的基板(0.73×0.92m)、第5代对应于约1.4m2的基板(1.1m×1.3m)、第7.5代对应于约4.29m2的基板(1.95m×2.2m)、第8.5代对应于约5.7m2的基板(2.2m×2.5m)、第10代对应于约8.7m2本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于处理基本上竖直地定向的基板的基板处理系统，所述基板处理系统包括：第一真空腔室，所述第一真空腔室具有第一双轨传输系统，所述第一双轨传输系统具有第一传输轨道和第二传输轨道；至少一个横向位移机构，所述至少一个横向位移机构被配置成用于在所述第一真空腔室内将所述基板从所述第一传输轨道横向地移位至所述第二传输轨道或反之亦然；以及真空旋转模块，所述真空旋转模块具有第二真空腔室，其中所述真空旋转模块包括竖直的旋转轴，以使所述基板在所述第二真空腔室中围绕所述竖直的旋转轴旋转，其中所述真空旋转模块具有第二双轨传输系统，所述第二双轨传输系统具有第一旋转轨道和第二旋转轨道，其中所述第一旋转轨道可旋转以与所述第一传输轨道形成线性传输路径，并且所述第二旋转轨道可旋转以与所述第二传输轨道形成线性传输路径，并且其中所述竖直的旋转轴在所述第一旋转轨道与所述第二旋转轨道之间。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种用于处理基本上竖直地定向的基板的基板处理系统，所述基板处理系统包括：第一真空腔室，所述第一真空腔室具有第一双轨传输系统，所述第一双轨传输系统具有第一传输轨道和第二传输轨道；至少一个横向位移机构，所述至少一个横向位移机构被配置成用于在所述第一真空腔室内将所述基板从所述第一传输轨道横向地移位至所述第二传输轨道或反之亦然；以及真空旋转模块，所述真空旋转模块具有第二真空腔室，其中所述真空旋转模块包括竖直的旋转轴，以使所述基板在所述第二真空腔室中围绕所述竖直的旋转轴旋转，其中所述真空旋转模块具有第二双轨传输系统，所述第二双轨传输系统具有第一旋转轨道和第二旋转轨道，其中所述第一旋转轨道可旋转以与所述第一传输轨道形成线性传输路径，并且所述第二旋转轨道可旋转以与所述第二传输轨道形成线性传输路径，并且其中所述竖直的旋转轴在所述第一旋转轨道与所述第二旋转轨道之间。2.如权利要求1所述的基板处理系统，其中所述第一真空腔室是第一沉积腔室，所述第一沉积腔室具有设在所述第一沉积腔室中的第一沉积源，并且其中所述第一真空腔室被耦接至所述真空旋转模块，所述第一真空腔室和所述真空旋转模块是由第一真空可密封阀分开。3.如权利要求2所述的基板处理系统，其进一步包括：第三真空腔室，所述第三真空腔室是第二沉积腔室，并且具有设在所述第二沉积腔室中的第二沉积源，其中所述第三真空腔室被耦接至所述真空旋转模块，其中所述第二真空腔室和所述真空旋转模块是由第二真空可密封阀分开。4.如权利要求3所述的基板处理系统，其中所述第一沉积腔室被配置成沉积包括第一材料的第一层，所述第一层，其中所述第二沉积腔室被配置成在所述第一层上方沉积包括第二材料的第二层，所述基板处理系统进一步包括：第三沉积腔室，所述第三沉积腔室被配置成沉积包括所述第二材料的层；以及另一腔室，所述另一腔室包括具有另一第一传输轨道和另一第二传输轨道的另一双轨传输系统，其中所述另一双轨传输系统与所述第一双轨传输系统形成线性传输路径；其中所述第一沉积腔室适于从所述真空旋转模块接收所述基板，并且适于在所述第二层上方沉积包括所述第一材料的另一个层。5.如权利要求1至4中的任一项所述的基板处理系统，其进一步包括：至少一个负载锁定腔室，所述至少一个负载锁定腔室具有负载锁定双轨传输系统，所述负载锁定双轨传输系统与所述第一双轨道传输系统形成线性传输路径。6.如权利要求1至5中的任一项所述的基板处理系统，其中所述真空旋转模块是如权利要求9至12中的任一...

【专利技术属性】
技术研发人员：T·伯格，R·林德伯格，
申请(专利权)人：应用材料公司，
类型：发明
国别省市：美国;US