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一种硅纳米线的制作方法技术

技术编号:1404570 阅读:177 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
本发明专利技术涉及一种硅纳米线的制作方法。主要利用氢氟酸或含氢氟酸水溶液对掺杂形成p-n结结构n型硅的选择性腐蚀实现两维尺寸可精确控制的硅纳米线的工艺简单、可靠及批量制作。利用该方法制作硅纳米线,通过改变设计参数及腐蚀时间,可以制作两维尺寸10纳米左右的硅纳米线;通过图形设计,可以制作出多种以硅纳米线为基础的纳机电器件。使用本发明专利技术制作的硅纳米线,可以研究低维半导体材料的力学、电学等特性;制作多种纳机电器件,应用前景广阔。本发明专利技术工艺简单,制作成本低,并可批量生产。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种硅纳米线的制作方法,其特征是利用氢氟酸或含氢氟酸水溶液腐蚀掺杂形成p-n结结构n型硅的选择性腐蚀工艺实现硅纳米线制作。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:王慧泉金仲和郑阳明王跃林李铁
申请(专利权)人:浙江大学
类型:发明
国别省市:86[中国|杭州]

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