可查看集成电路制造过程的装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种可查看集成电路制造过程的装置，包括反应仓；所述反应仓中设置有水平状的晶圆载台；所述晶圆载台之下设置有气压控制管道；所述气压控制管道通过反应仓的底部开口伸出；所述反应仓的顶部开设有透明窗口；还包括观察装置；所述观察装置的最下端安装有窄带通滤光器；所述观察装置之中、窄带通滤光器的光入射方安装有透镜组件；所述观察装置之还连接有CCD阵列。本发明专利技术可以在集成电路制造过程中，对反应仓中进行观察而不影响反应过程。有助于科研人员对反应过程进行全面的把握。且本装置适用于多种集成电路的制造过程，例如化学气相沉积，刻蚀等，有很大的实用性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及集成电路制造，具体涉及一种可查看集成电路制造过程的装置。
技术介绍
集成电路制造的过程大多是封闭的，是因为制造流程必须在一些相对封闭的装置中才能完整进行，例如，在高温环境中，在真空环境中，在特定的气压下等等，所以这种生产过程如何发生，是无法直观观察和记录的，这样无法对反应过程进行完全的掌握。
技术实现思路
针对现有技术的不足，本专利技术公开了一种可查看集成电路制造过程的装置。本专利技术的技术方案如下：一种可查看集成电路制造过程的装置，包括反应仓；所述反应仓中设置有水平状的晶圆载台；所述晶圆载台之下设置有气压控制管道；所述气压控制管道通过反应仓的底部开口伸出；所述反应仓的顶部开设有透明窗口；还包括观察装置；所述观察装置的最下端安装有窄带通滤光器；所述观察装置之中、窄带通滤光器的光入射方安装有透镜组件；所述观察装置之还连接有CCD阵列。本专利技术的有益技术效果是：本专利技术可以在集成电路制造过程中，对反应仓中进行观察而不影响反应过程。有助于科研人员对反应过程进行全面的把握。且本装置适用于多种集成电路的制造过程，例如化学气相沉积，刻蚀等，有很大的实用性。附图说明图1是本专利技术的装置图。具体实施方式图1是本专利技术的装置图。如图1所示，本专利技术包括反应仓1；反应仓1中设置有水平状的晶圆载台4；晶圆载台4之下设置有气压控制管道6；气压控制管道6通过反应仓1的底部开口5伸出；反应仓1的顶部开设有透明窗口2；还包括观察装置9；观察装置9的最下端安装有窄带通滤光器9；观察装置9之中、窄带通滤光器9的光入射方安装有透镜组件10；观察装置9之还连接有CCD阵列7。在使用时，晶圆3放置于晶圆载台4之上，而观察装置9和透明窗口2的位置可以根据需要进行调整，例如，如果是进行化学气相沉积的制造过程，则可直接使用本装置，如果进行离子注入或者光刻等过程，则可将观察装置9和透明窗口2的位置挪向反应仓1的侧面。如果进行化学气相沉积过程的话，等离子体所发出的光被窄带通滤光器9收集，再经过透镜组件10被CCD阵列7所接收，可通过CCD镜头7进行监控，则可以在制造过程的任意时刻，测量反应速率等参数。以上所述的仅是本专利技术的优选实施方式，本专利技术不限于以上实施例。可以理解，本领域技术人员在不脱离本专利技术的精神和构思的前提下直接导出或联想到的其他改进和变化，均应认为包含在本专利技术的保护范围之内。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种可查看集成电路制造过程的装置，其特征在于，包括反应仓(1)；所述反应仓(1)中设置有水平状的晶圆载台(4)；所述晶圆载台(4)之下设置有气压控制管道(6)；所述气压控制管道(6)通过反应仓(1)的底部开口(5)伸出；所述反应仓(1)的顶部开设有透明窗口(2)；还包括观察装置(9)；所述观察装置(9)的最下端安装有窄带通滤光器(9)；所述观察装置(9)之中、窄带通滤光器(9)的光入射方安装有透镜组件(10)；所述观察装置(9)之还连接有CCD阵列(7)。

【技术特征摘要】
1.一种可查看集成电路制造过程的装置，其特征在于，包括反应仓(1)；所述反应仓(1)中设置有水平状的晶圆载台(4)；所述晶圆载台(4)之下设置有气压控制管道(6)；所述气压控制管道(6)通过反应仓(1)的底部开口(5)伸出；所述反应...

【专利技术属性】
技术研发人员：吕耀安，
申请(专利权)人：无锡宏纳科技有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32