太阳能电池制造技术

技术编号:14027597 阅读:107 留言:0更新日期:2016-11-19 11:24
一种太阳能电池,该太阳能电池包括:基板;多个第一电极,它们沿着第一方向设置在所述基板的第一表面上;多个第一集流器,它们沿着与所述第一方向交叉的第二方向设置在所述第一表面上,其中,所述多个第一集流器以电气方式和物理方式连接到所述多个第一电极;多个第二电极,它们沿着所述第一方向设置在所述基板的第二表面上;以及多个第二集流器,它们沿着所述第二方向设置在所述第二表面上,所述多个第二集流器以电气方式和物理方式连接到所述多个第二电极,其中,所述多个第二电极的数量大于所述多个第一电极的数量。

【技术实现步骤摘要】
本申请是原案申请号为201210063297.7的专利技术专利申请(申请日:2012年3月12日,专利技术名称:双面太阳能电池)的分案申请。
本专利技术的实施方式针对的是一种双面太阳能电池。
技术介绍
本申请要求2011年3月29日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10-2011-0028041的优选权,其全部内容以引用的方式并入本文。太阳能电池利用光伏效应将光转换为电力。太阳能电池包括形成了PN结的基板和发射极部分。光入射在基板表面上以生成电流。在通用太阳能电池中,仅通过各太阳能电池的一个表面接收光,从而表现出较低的光伏效率。需要一种通过基板的两个相背表面接收光的双面太阳能电池。
技术实现思路
根据本专利技术的一种实施方式,提供了一种双面太阳能电池,该双面太阳能电池包括:基板;多个第一电极,它们沿着第一方向设置在所述基板的第一表面上;多个第一集流器,它们沿着与所述第一方向交叉的第二方向设置在所述第一表面上,其中,所述多个第一集流器以电气方式和物理方式连接到所述多个第一电极;多个第二电极,它们沿着所述第一方向设置在所述基板的第二表面上;以及多个第二集流器,它们沿着所述第二方向设置在所述第二表面上,所述多个第二集流器以电气方式和物理方式连接到所述多个第二电极,其中,所述多个第二电极中的至少一个第二电极位于与所述多个第一电极中的至少一个第一电极的基准线不同的基准线上。太阳能电池使用入射在所述基板的第一表面和第二表面上的光生成电流。因此,相较于仅通过一个表面接收光的太阳能电池,此太阳能电池的效率被进一步提高。此外,在入射在第一表面上并从第二表面出射的光束中,一些光束被第二电极反射,进一步提高了太阳能电池的效率。所述第二电极的数量等于或多于所述第一电极的数量。在所述第一电极的数量等于所述第二电极的数量的情况下,所述多个第一电极中的两个相邻第一电极彼此之间隔开第一间距P1,并且所述多个第二电极中的两个相邻第二电极彼此之间隔开第二间距P2,其中,所述第一间距P1与所述第二间距P2相同。在所述第二电极的数量大于所述第一电极的数量的情况下,所述多个第一电极中的两个相邻第一电极彼此之间隔开第一间距P1,并且所述多个第二电极中的两个相邻第二电极彼此之间隔开第二间距P2,其中,所述第二间距P2小于所述第一间距P1。根据实施方式,所述第一间距P1与所述第二间距P2的比率n满足式:0.1<n<1,其中n=P2/P1)。考虑光接收表面的面积,所述第一间距P1大于所述第二间距P2,并且考虑串联电阻,所述第二间距P2小于所述第一间距P1。这样提高了太阳能电池的效率。所述多个第一电极中的各个第一电极具有小于60um的行宽和大于10um的厚度。所述多个第二电极中的各个第二电极具有与所述多个第一电极中的各个第一电极相似的行宽和厚度。例如,所述多个第二电极中的各个第二电极具有小于70um的行宽和大于10um的厚度。上述结构可以减少电荷的复合损耗,从面进一步提高了太阳能电池的效率。所述基板为第一导电类型,其中,在所述第一表面上设置发射极部,其中,所述发射极部为与所述第一导电类型相反的第二导电类型。所述多个第一电极和所述多个第一集流器接触所述发射极部。因此,被吸引到发射极部的电荷(例如,电子或空穴)被直接转移到所述多个第一电极和所述多个第一集流器,从而促进了电流流动。在所述发射极部的表面上没有设置所述多个第一电极和所述多个第一集流器的部分处设置第一绝缘膜。所述第一绝缘膜可以执行防反射功能和钝化功能二者。在所述第二表面上设置电场部,其中,所述电场部为第一导电类型,并且具有比所述基板的杂质浓度高的杂质浓度。在所述电场部的表面上没有设置所述多个第二电极和所述多个第二集流器的部分处设置第二绝缘膜。第二绝缘膜可以执行防反射功能和钝化功能二者。所述多个第二电极和所述多个第二集流器接触所述电场部。附图说明图1是例示了根据本专利技术的一种实施方式的太阳能电池的一部分的截面图。图2描绘了图1中所示的根据本专利技术的一种实施方式的太阳能电池的第一表面和第二表面的平面图。图3是例示了根据本专利技术的另一种实施方式的太阳能电池的一部分的截面图。图4描绘了图3中所示的根据本专利技术的另一种实施方式的太阳能电池的第一表面和第二表面的平面图。图5是例示了取决于第一间距与第二间距的比率的图3中所示的太阳能电池的效率的图表。具体实施方式来参考附图更详细地描述本专利技术的实施方式,其在整个说明书和附图中可以使用同样的附图标记表示同样的或类似的元件。可以理解的是,当诸如层、膜、区域或基板之类的元件被称为仅位于另一元件“上”时,它可以是直接位于另一元件上或者也可以存在居间元件。相反,当元件被称为“直接在另一元件上”时,则不存在居间元件。图1是例示了根据本专利技术的一种实施方式的太阳能电池的一部分的截面图。图2描绘了图1中所示的根据本专利技术的一种实施方式的太阳能电池的第一表面和第二表面的平面图。太阳能电池包括具有彼此相背的第一表面和第二表面的基板110。太阳能电池还包括:第一表面上的发射极部120、第一绝缘层130、多个第一电极140和多个第一集流器150;以及第二表面上的背表面场(“BSF”)部160、第二绝缘层170、多个第二电极180和多个第二集流器190。发射极部120设置在基板110的第一表面上。第一绝缘层130设置在发射极部120上。多个第一电极140设置在发射极部120的没有设置第一绝缘层130或第一电极140穿透了第一绝缘层130的部分上。第一集流器150以物理方式和电气方式连接到第一电极140。在本专利技术的实施方式中,第一集流器150与第一电极140交叉(或相交)。第二绝缘层170设置在BSF部160上。多个第二电极180设置在BSF部160的没有设置第二绝缘层170或第二电极180穿透了第二绝缘层170的部分上。第二集流器190以物理方式和电气方式连接到第二电极180。在本专利技术的实施方式中,第二集流器190与第二电极180交叉(或相交)。基板110由诸如具有第一导电类型(例如,n导电类型)的硅晶片之类的半导体形成。硅晶片可以包括单晶硅、多晶硅或非晶硅。具有n导电类型的基板110包含V簇元素杂质,例如磷(P)、砷(As)或锑(Sb)。根据本专利技术的另一种实施方式,基板110可以具有p导电类型并且/或者可以包括除硅外的半导体材料。在基板110为p导电类型的情况下,基板110可以包含III簇元素杂质,例如,硼(B)、镓(Ga)或铟(In)。基板110具有带纹理表面。具体而言,基板110的第一表面和第二表面每一个均被实现为带纹理表面。发射极部120包含具有与基板110的第一导电类型相反的第二导电类型的杂质。例如,发射极部120为p导电类型,并在基板110为n导电类型时与基板110形成PN结。由于PN结引起的固有电势差,因此,由入射光产生的电子-空穴对被分成电子和空穴,并且电子和空穴分别向太阳能电池的n型电极和p型电极移动。例如,如果基板110为n导电类型,并且发射极部120为p导电类型,则电子和空穴分别被吸引到基板110和发射极部120。因此,基板110的电子和发射极部120的空穴成为多数载流子。可以通过利用诸如B、Ga或In之类的III簇元素的杂质对基板110进行掺杂来形成p导电类型发本文档来自技高网...
太阳能电池

【技术保护点】
一种太阳能电池,该太阳能电池包括:n导电类型半导体的基板,其中,所述基板的第一表面和第二表面中的每一个具有带纹理的表面在所述基板的所述第一表面处的p导电类型的发射极部分;在所述基板的所述第二表面处的n导电类型的背表面场部分;在所述基板的所述第一表面上的第一绝缘层,其中,所述第一绝缘层包括多个开口;在所述基板的所述第二表面上的第二绝缘层,其中,所述第二绝缘层包括多个开口;多个第一电极,所述多个第一电极沿着第一方向被设置并且经由所述第一绝缘层的多个开口连接至所述发射极部分;多个第一集流器,所述多个第一集流器沿着与所述第一方向交叉的第二方向设置并且经由所述第一绝缘层的多个开口连接至所述发射极部分;多个第二电极,所述多个第二电极被沿着所述第一方向被设置并且经由所述第二绝缘层的多个开口连接至所述背表面场部分;多个第二集流器,所述多个第二集流器沿着所述第二方向设置并且经由所述第二绝缘层的多个开口连接至所述背表面场部分,其中,所述多个第二电极的数量不同于所述多个第一电极的数量,其中,所述多个第一电极中的两个相邻的第一电极彼此间隔开第一间距(P1),并且所述多个第二电极中的两个相邻的第二电极彼此间隔开第二间距(P2),所述第二间距(P2)不同于所述第一间距(P1),以及其中,所述多个第二集流器的数量与所述多个第一集流器的数量相同。...

【技术特征摘要】
2011.03.29 KR 10-2011-00280411.一种太阳能电池,该太阳能电池包括:n导电类型半导体的基板,其中,所述基板的第一表面和第二表面中的每一个具有带纹理的表面在所述基板的所述第一表面处的p导电类型的发射极部分;在所述基板的所述第二表面处的n导电类型的背表面场部分;在所述基板的所述第一表面上的第一绝缘层,其中,所述第一绝缘层包括多个开口;在所述基板的所述第二表面上的第二绝缘层,其中,所述第二绝缘层包括多个开口;多个第一电极,所述多个第一电极沿着第一方向被设置并且经由所述第一绝缘层的多个开口连接至所述发射极部分;多个第一集流器,所述多个第一集流器沿着与所述第一方向交叉的第二方向设置并且经由所述第一绝缘层的多个开口连接至所述发射极部分;多个第二电极,所述多个第二电极被沿着所述第一方向被设置并且经由所述第二绝缘层的多个开口连接至所述背表面场部分;多个第二集流器,所述多个第二集流器沿着所述第二方向设置并且经由所述第二绝缘层的多个开口连接至所述背表面场部分,其中,所述多个第二电极的数量不同于所述多个第一电极的数量,其中,所述多个第一电极中的两个相邻的第一电极彼此间隔开第一间距(P1),并且所述多个第二电极中的两个相邻的第二电极彼此间隔开第二间距(P2),所述第二间距(P2)不同于所述第一间距(P1),以及其中,所述多个第二集流器的数量与所述多个第一集流器的数量相同。2.根据权利要求1所述的太阳能电池,其中,所述多个第二电极的数量大于所述多个第一电极的数量。3.根据权利要求...

【专利技术属性】
技术研发人员:张在元崔荣嫮
申请(专利权)人:LG电子株式会社
类型:发明
国别省市:韩国;KR

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