一种LED倒装晶粒的CSP封装灯珠的贴装体及封装方法技术

本发明专利技术公开了一种LED倒装晶粒的CSP封装灯珠的贴装体及封装方法贴装装置及封装方法，包括基板、锡膏、LED倒装芯片、挡光胶和荧光胶，所述LED倒装芯片通过锡膏与基板固定连接，所述挡光胶覆盖在LED倒装芯片上，研磨去除挡光胶的表层，使LED倒装芯片的顶面能够裸露，所述荧光胶覆盖在裸露的LED倒装芯片上。本发明专利技术对基材基板进行双面贴LED倒装芯片，有别于传统单面贴芯片，由于基材大部分都比较昂贵，这样既降低了基材的浪费，也为企业或公司节省成本。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及LED封装
，尤其涉及一种LED倒装晶粒的CSP封装灯珠的贴装体及封装方法。
技术介绍
基于新型的芯片级封装LED(CSP LED；Chip Scale Package LED)，是在芯片底面设有电极，直接在芯片的上表面和侧面封装上封装胶体，使底面的电极外露，由于这种封装结构并无支架或基板，可降低了封装成本。现有的芯片级封装LED通常是采取五面发光，即LED的顶面和四个侧面均能发光，该种LED的封装工艺相对比较简单。随着人们对产品出光的角度、一致性等要求的提高，目前的芯片级封装LED结构已经满足不了人们的需求，人们渴望具有单面发光的芯片级封装LED的出现。现在在基板上贴芯片往往都是单面贴，对基板的利用不够充分，且现在的基板很贵，如果不能很好利用，就会造成大量资金浪费。
技术实现思路
基于
技术介绍
存在的技术问题，本专利技术提出了一种LED倒装晶粒的CSP封装灯珠的贴装体及封装方法。本专利技术提出的一种LED倒装晶粒的CSP封装灯珠的贴装体，包括基板、锡膏、LED倒装芯片、挡光胶和荧光胶，所述LED倒装芯片通过锡膏与基板固定连接，所述挡光胶覆盖在LED倒装芯片上，研磨去除挡光胶的表层，使LED倒装芯片的顶面能够裸露，所述荧光胶覆盖在裸露的LED倒装芯片上。优选地，所述基板为透明基板，所述基板的厚度为0.15-0.18mm。优选地，所述挡光胶通过涂刷方式覆盖在LED倒装芯片上。优选地，所述荧光胶层通过模造或粘贴形式覆盖在裸露的LED倒装芯片上。一种LED倒装晶粒的CSP封装灯珠的贴装体的封装方法，其特征在于，包括以下具体步骤：S1：在基板上溅镀一层铜，以微影蚀刻的方式将铜线路蚀刻出来，采用电镀法在铜线路上电镀使得铜线路的厚度达到所需厚度；S2：将步骤S1镀铜的基板上涂有锡膏，将LED倒装芯片通过锡膏固定在基板的焊盘上，通过回流焊，使LED倒装芯片和基板形成电气连接，其中LED倒装芯片呈阵列分布，相邻LED倒装芯片之间留有间隙；S3：将步骤S2中的LED倒装芯片阵列上涂刷挡光胶，挡光胶能够将每颗LED倒装芯片的发光面完全覆盖；S4：步骤S3中挡光胶固化后，研磨去除挡光胶的表层，使LED倒装芯片的顶面能够裸露，此时LED倒装芯片的顶面与侧面的挡光胶的顶面平齐；S5：将步骤S4中裸露出的LED倒装芯片上通过模造或粘贴形式覆盖一层荧光胶，荧光胶层的顶面高于侧面挡光胶的顶面，荧光胶的顶面与挡光胶的顶面形成台阶；S6：沿相邻LED倒装芯片之间的间隙进行切割，切割的深度至铜线层，使相邻LED倒装芯片之间的荧光胶层和挡光胶层能够被切断；S7：把基板与LED倒装晶粒的CSP封装灯珠分离，形成单个LED倒装晶粒的CSP封装灯珠的贴装体。优选地，所述基板两面均可用于贴装LED倒装芯片形成LED倒装芯片的CSP封装灯珠的贴装体。优选地，所述LED倒装芯片底部设有电极，所述电极焊接在锡膏上。与已有技术相比，本专利技术有益效果体现在：1、本专利技术中通过对多个LED倒装芯片进行固定、相邻LED倒装芯片间隙内刷入挡光胶进而在LED倒装芯片四周侧面形成挡光层、最后将多颗LED倒装芯片进行分离的封装工艺，可以同时制作出多颗单面发光的倒装晶粒的CSP封装灯珠的贴装体；LED倒装芯片侧面被挡光胶遮挡，而LED倒装芯片在LED倒装晶粒侧面发出的蓝光相对于LED倒装晶粒中心位置发出的蓝光较少，本专利技术切除了LED倒装晶粒顶面外围的荧光胶，使LED倒装芯片侧面的蓝光不能从侧面激发，LED出光效果更好。2、荧光胶的顶面与挡光胶的顶面形成台阶，能够防止LED倒装芯片侧面的蓝光从挡光胶层与LED倒装芯片侧面的结合面射出而影响LED倒装芯片的整体光效。3、我们对基材基板进行双面贴LED倒装芯片，有别于传统单面贴芯片，由于基材大部分都比较昂贵，这样既降低了基材的浪费，也为企业或公司节省成本。附图说明图1为本专利技术工艺流程图；图2为基板双面贴装LED倒装芯片在切割的深度至铜线的结构示意图；图3为倒装晶粒的CSP封装灯珠的贴装体的左视图；图中，1-基板、2-铜线层、3-锡膏、4-LED倒装芯片、5-挡光胶、6-荧光胶、7-相邻LED倒装芯片之间的间隙、8-单个LED倒装晶粒的CSP封装灯珠的贴装体、9-电极。具体实施方式下面结合具体实施例对本专利技术作进一步解说。实施例1一种LED倒装晶粒的CSP封装灯珠的贴装体，包括基板1、锡膏3、LED倒装芯片4、挡光胶5和荧光胶6，LED倒装芯片4通过锡膏3与基板1固定连接，挡光胶5覆盖在LED倒装芯片4上，研磨去除挡光胶5的表层，使LED倒装芯片4的顶面能够裸露，荧光胶6覆盖在裸露的LED倒装芯片4上。其中，基板1为透明基板，基板1的厚度为0.15mm，挡光胶5通过涂刷方式覆盖在LED倒装芯片4上，荧光胶6层通过模造形式覆盖在裸露的LED倒装芯片4上。一种LED倒装晶粒的CSP封装灯珠的贴装体的封装方法，包括以下具体步骤：S1：在基板1上溅镀一层铜，以微影蚀刻的方式将铜线路蚀刻出来，采用电镀法在铜线路上电镀使得铜线路的厚度达到0.15mm；S2：将步骤S1镀铜的基板1上涂有锡膏3，将LED倒装芯片4通过锡膏3固定在基板1的焊盘上，通过回流焊，使LED倒装芯片4和基板1形成电气连接，其中LED倒装芯片4呈阵列分布，相邻LED倒装芯片4之间留有间隙；S3：将步骤S2中的LED倒装芯片4阵列上涂刷挡光胶5，挡光胶5能够将每颗LED倒装芯片4的发光面完全覆盖；S4：步骤S3中挡光胶固化后，研磨去除挡光胶5的表层，使LED倒装芯片4的顶面能够裸露，此时LED倒装芯片4的顶面与侧面的挡光胶5的顶面平齐；S5：将步骤S4中裸露出的LED倒装芯片4上通过模造形式覆盖一层荧光胶6，荧光胶6层的顶面高于侧面挡光胶5的顶面，荧光胶6的顶面与挡光胶5的顶面形成台阶；S6：沿相邻LED倒装芯片之间的间隙7进行切割，切割的深度至铜线层，使相邻LED倒装芯片4之间的荧光胶6层和挡光胶5层能够被切断；S7：把基板1与LED倒装晶粒的CSP封装灯珠分离，形成单个LED倒装芯片的CSP封装灯珠的贴装体。上述步骤中的基板两面均可用于贴装LED倒装晶粒形成LED倒装晶粒的CSP封装灯珠的贴装体；LED倒装芯片底部设有电极9，电极9焊接在锡膏上。实施例2一种LED倒装晶粒的CSP封装灯珠的贴装体，包括基板1、锡膏3、LED倒装芯片4、挡光胶5和荧光胶6，LED倒装芯片7通过锡膏3与基板1固定连接，挡光胶5覆盖在LED倒装芯片4上，研磨去除挡光胶5的表层，使LED倒装芯片4的顶面能够裸露，荧光胶6覆盖在裸露的LED倒装芯片4上。其中，基板1为透明基板，基板1的厚度为0.17mm，挡光胶5通过涂刷方式覆盖在LED倒装芯片4上，荧光胶6层通过粘贴形式覆盖在裸露的LED倒装芯片4上。一种LED倒装晶粒的CSP封装灯珠的贴装体的封装方法，包括以下具体步骤：S1：在基板1上溅镀一层铜，以微影蚀刻的方式将铜线路蚀刻出来，采用电镀法在铜线路上电镀使得铜线路的厚度达到0.17mm；S2：将步骤S1镀铜的基板1上涂有锡膏3，将LED倒装芯片通过铜线固定在基板1的焊盘上，通过回流焊，使LED倒装芯片4和基板1形成电气连接，其中LED倒装芯片4呈阵列分布，相邻LED倒装芯片4之间留有本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种LED倒装晶粒的CSP封装灯珠的贴装体，其特征在于，包括基板、锡膏、LED倒装芯片、挡光胶和荧光胶，所述LED倒装芯片通过锡膏与基板固定连接，所述挡光胶覆盖在LED倒装芯片上，研磨去除挡光胶的表层，使LED倒装芯片的顶面能够裸露，所述荧光胶覆盖在裸露的LED倒装芯片上。

【技术特征摘要】
1.一种LED倒装晶粒的CSP封装灯珠的贴装体，其特征在于，包括基板、锡膏、LED倒装芯片、挡光胶和荧光胶，所述LED倒装芯片通过锡膏与基板固定连接，所述挡光胶覆盖在LED倒装芯片上，研磨去除挡光胶的表层，使LED倒装芯片的顶面能够裸露，所述荧光胶覆盖在裸露的LED倒装芯片上。2.根据权利要求1所述的一种LED倒装晶粒的CSP封装灯珠的贴装体，其特征在于，所述基板为透明基板，所述基板的厚度为0.15-0.18mm。3.根据权利要求1所述的一种LED倒装晶粒的CSP封装灯珠的贴装体，其特征在于，所述挡光胶通过涂刷方式覆盖在LED倒装芯片上。4.根据权利要求1所述的一种LED倒装晶粒的CSP封装灯珠的贴装体，其特征在于，所述荧光胶层通过模造或粘贴形式覆盖在裸露的LED倒装芯片上。5.根据权利要求1所述的一种LED倒装晶粒的CSP封装灯珠的贴装体的封装方法，其特征在于，包括以下具体步骤：S1：在基板上溅镀一层铜，以微影蚀刻的方式将铜线路蚀刻出来，采用电镀法在铜线路上电镀使得铜线路的厚度达到所需厚度，切割铜线路形成两条铜线；S2：将步骤S1镀铜的基板上涂有锡膏，将LED倒装芯片通过锡膏固定在基板的焊盘上，通过回流...

【专利技术属性】
技术研发人员：赵永学，
申请(专利权)人：深圳市晶仕德光电有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44