【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及固态图像传感器、电子装置和成像方法,特别地,涉及能够以低耗电实现除正常成像以外的特定处理的高速化的固态图像传感器、电子装置和成像方法。
技术介绍
现有技术中的例如数码照相机或数码摄像机等配备有成像功能的电子装置使用CCD(电荷耦合器件)或CMOS(互补金属氧化物半导体)图像传感器等固态图像传感器。固态图像传感器包括由进行光电转换的PD(photodiode:光电二极管)与多个晶体管的组合形成的像素,其中,在平面内布置的多个像素输出的像素信号的基础上构建图像。此外,近来,随着配备有固态图像传感器的电子装置的尺寸减小,已经开始减小固态图像传感器的尺寸或面积。例如,专利文献1公开了使用如下构造来实现面积减小的堆叠型固态图像传感器:其中,形成像素阵列单元(其包括以阵列方式布置的多个像素)的基板和对像素信号进行信号处理的基板中一者叠置在另一者之上。引用列表专利文献专利文献1:日本专利申请特开第2010-245506号公报
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题现在,CMOS图像传感器在从像素中读取信号方面通常采用扫描每一行或列的模式。因此,当现有技术的CMOS图像传感器进行随机访问仅一部分像素的处理时,需要至少通过布置有这一部分像素的行或列来驱动这部分像素。因此,当在正常成像以外的例如进行动作检测的处理、起到照度传感器作用的处理或进行相位差自动对焦的处理等特定处理中仅驱动一部分像素时,将要驱动布置有这一部分像素的行或列。因此,难以加速这样的特定处理的驱动,并且所述特定处理的执行有时会导致耗电的增加。本专利技术是鉴于上述情况而做出的,并且目的在于以低耗电 ...
【技术保护点】
一种固态图像传感器,其包括:像素,所述像素输出用来构建图像的像素信号;和逻辑电路,用于驱动所述像素,其中,所述固态图像传感器由堆叠结构形成,在所述堆叠结构中,包含多个所述像素的第一半导体基板和包含所述逻辑电路的第二半导体基板接合在一起,且多个所述像素中的特定像素以独立于正常像素的方式被连接至所述逻辑电路,所述正常像素是所述特定像素以外的像素,所述特定像素是输出在除了对所述图像进行成像的成像处理以外的特定处理中所用的像素信号的像素。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2014.03.31 JP 2014-0711671.一种固态图像传感器,其包括:像素,所述像素输出用来构建图像的像素信号;和逻辑电路,用于驱动所述像素,其中,所述固态图像传感器由堆叠结构形成,在所述堆叠结构中,包含多个所述像素的第一半导体基板和包含所述逻辑电路的第二半导体基板接合在一起,且多个所述像素中的特定像素以独立于正常像素的方式被连接至所述逻辑电路,所述正常像素是所述特定像素以外的像素,所述特定像素是输出在除了对所述图像进行成像的成像处理以外的特定处理中所用的像素信号的像素。2.根据权利要求1所述的固态图像传感器,其中,在从相对于所述正常像素以预定比率布置的预定数量的所述特定像素输出的像素信号的基础上,进行所述特定处理,且在进行指示对所述图像成像的预定操作时从多个所述像素中的全部像素输出的像素信号的基础上进行所述成像处理。3.根据权利要求2所述的固态图像传感器,其中,所述特定处理是对所述图像中拍摄的被摄体的动作进行检测的动作检测处理。4.根据权利要求2所述的固态图像传感器,其中,所述特定处理是对布置了配有所述图像传感器的电子装置的环境的环境照度进行检测的照度检测处理。5.根据权利要求1所述的固态图像传感器,其中,所述特定像素是用来获取相位差图像的相位差像素,所述相位差图像是由通过在与开口的一部分相对应的区域遮挡照射光而获得的像素信号构建而成,且所述特定处理是对焦处理,所述对焦处理在由从所述相位差像素输出的所述像素信号构建的一对所述相位差图像中分别被拍摄的被摄体的位置的差异的基础上使所述被摄体被对焦。6.根据权利要求5所述的固态图像传感器,其中,由布置于所述特定像素中的遮光膜形成的遮光区域不同于由布置于所述正常像素中的遮光膜形成的遮光区域,并且由布置于所述特定像素中的遮光膜形成的所述遮光区域遮挡所述特定像素的所述开口的至少一部分。7.根据权利要求5所述的固态图像传感器,其中,透过布置于所述特定像素中的滤色器的光的颜色不同于透过布置于所述正常像素中的滤色器的光的颜色。8.根据权利要求5所述的固态图像传感器,其中,布置于所述特定像素上的片上透镜的光学特性不同于布置于所述正常像素上的片上透镜的光学特性。9.根据权利要求5所述的固态图像传感器,其中,堆叠在构成所述第一半导体基板的半导体基板上的绝缘膜在所述特定像素中的厚度与在所述正常像素中的厚度不同。10.根据权利要求1所述的固态图像传感器,其中,所述特定像素中包括的光电转换单元进行光电转换以累积电荷的累积时间与所述正常像素中的所述累积时间不同。11.根据权利要求1所述的固态图像传感器,其中,所述特定像素中包括的光电转换单元的电势与所述正常像素中包括的...
【专利技术属性】
技术研发人员:田谷圭司,荻田知治,永野隆史,
申请(专利权)人:索尼公司,
类型:发明
国别省市:日本;JP
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