一种C波段与X波段数控衰减滤波器集成芯片制造技术

本发明专利技术公开了一种C波段与X波段数控衰减滤波器集成芯片，属于数控衰减滤波器技术领域，包括微波带通滤波器F1和数控衰减器芯片WSD，实现了一种集成了滤波器和数控衰减器芯片的LTCC微波芯片，具有体积小、重量轻、可靠性高、电性能优异、使用方便、适用范围广、成品率高、批量一致性好、造价低等优点。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及数控衰减滤波器
，特别涉及一种C波段与X波段数控衰减滤波器集成芯片。
技术介绍
随着雷达、反辐射导弹等具有收发系统的武器装备的发展，电子器件集成化、模组化、高性能、低成本已经成为国内外电子研发行业的焦点，同时随着电磁波频率段的迅速提高，电磁干扰的频率也越来越高，迫切需要一种抗干扰且可调控衰减的滤波器，这也对衰减器与滤波器的综合性能提出了更高的要求。这种高频带通滤波器的主要指标有：通带插入损耗、通带回波损耗、回波损耗、矩形系数、时延频率特性、阻带衰减、品质因数等。带通滤波器允许一定频段的信号通过，抑制低于或高于该频段的信号、干扰和噪声。而其加工工艺有很多种类，近年来国内外大多采用的是低温共烧陶瓷技术。近年来低温共烧陶瓷(Low Temperature Co-fired Ceramic，简称LTCC)技术的发展为多层射频元器件向小型化、高性能、低成本方向发展提供了强大的动力。低温共烧陶瓷技术是指在温度低于1000℃，可以采用高电导率的金、银、铜等金属作为导电介质，所有的电路被层叠在一起进行一次性烧结，节省了时间，降低了成本，而且电介质不易氧化，不需要电镀保护，大幅度减小了电路的尺寸。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种C波段与X波段数控衰减滤波器集成芯片，实现了一种集成了滤波器和数控衰减器芯片的LTCC微波芯片，具有体积小、重量轻、可靠性高、电性能优异、使用方便、适用范围广、成品率高、批量一致性好、造价低等优点。为实现上述目的，本专利技术采用以下技术方案：一种C波段与X波段数控衰减滤波器集成芯片，包括微波带通滤波器F1和数控衰减器芯片WSD，数控衰减器芯片WSD位于微波带通滤波器F1的上表面，数控衰减器芯片WSD的左边从前至后依次间隔设有输出引脚RFout、第二接地引脚G2和输入引脚RFin，数控衰减器芯片WSD的右边从前至后依次间隔设有第一电源控键V1、第一接地引脚G1和第二电源控键V2，微波带通滤波器F1的前侧面设有引脚P1，微波带通滤波器F1的左侧面设有引脚P6，微波带通滤波器F1的后侧面设有引脚P2，微波带通滤波器F1的右侧面设有引脚P3、引脚P5和引脚P4，引脚P3、引脚P5和引脚P4为从后至前依次间隔设置，引脚P1通过金属连接线连接输出引脚RFout，引脚P6通过金属连接线连接第二接地引脚G2，引脚P3通过金属连接线连接第二电源控键V2，引脚P5通过金属连接线连接第一接地引脚G1，引脚P4通过金属连接线连接第一电源控键V1；微波带通滤波器F1包括第一带状线层、第二带状线层、第三带状线层和接地层GND1，第一带状线层、第二带状线层、第三带状线层和接地层GND1为从上至下依次设置；第一带状线层包括第一输入电感Lin1、第一带状线L11、第二带状线L12、第三带状线L13、第四带状线L14、第五带状线L15和第一接地线C1，第一输入电感Lin1与第一带状线L11连接，第一输入电感Lin1还与引脚P1连接，第一带状线L11的左端、第二带状线L12的左端、第三带状线L13的左端、第四带状线L14的左端和第五带状线L15的左端均通过第一接地线C1连接在一起，第一接地线C1连接引脚P6，第一带状线L11的右端、第二带状线L12的右端、第三带状线L13的右端、第四带状线L14的右端和第五带状线L15的右端均为开路；第二带状线层包括第六带状线L21、第七带状线L22、第八带状线L23、第九带状线L24、第十带状线L25、第二接地线C2和第一输出电感Lout1，第一输出电感Lout1连接第十带状线L25，第一输出电感Lout1还连接引脚P2，第六带状线L21的左端、第七带状线L22的左端、第八带状线L23的左端、第九带状线L24的左端和第十带状线L25的左端均为开路，第六带状线L21的右端、第七带状线L22的右端、第八带状线L23的右端、第九带状线L24的右端和第十带状线L25的右端均通过第二接地线C2连接在一起，第二接地线C2还连接引脚P5；第三带状线层包括第一S型耦合带状线S1，第一S型耦合带状线S1的左端连接引脚P6，第一S型耦合带状线S1的右端连接引脚P5；引脚P5和引脚P6均连接接地层GND1。所述引脚P1为所述一种C波段与X波段数控衰减滤波器集成芯片的50欧姆阻抗的信号输入端口，引脚P2为所述一种C波段与X波段数控衰减滤波器集成芯片的50欧姆阻抗信号输出端口。所述数控衰减器芯片WSD的型号为WSD000080-01。所述一种C波段与X波段数控衰减滤波器集成芯片通过LTCC工艺制成。本专利技术的目的在于提供一种C波段与X波段数控衰减滤波器集成芯片，实现了一种集成了滤波器和数控衰减器芯片的LTCC微波芯片，具有体积小、重量轻、可靠性高、电性能优异、使用方便、适用范围广、成品率高、批量一致性好、造价低等优点；本专利技术在加工时具有易于实现更多布线层数的优点，提高了组装密度；本专利技术在加工时易于内埋置元器件，实现了多功能；本专利技术具有良好的高频特性和高速传输特性；本专利技术具有易于形成多种结构的空腔的优点，从而可实现性能优良的多功能微波MEC；本专利技术便于基板烧成前对每一层布线和互连通孔进行质量检查，有利于提高多层基板的成品率和质量，缩短生产周期，降低成本；本专利技术具有易于实现多层布线与封装一体化结构的优点，进一步减小体积和重量，提高了可靠性；本专利技术具有与薄膜多层布线技术具有良好的兼容性的优点，二者结合可实现更高组装密度和更好性能的混合多层基板和混合型多芯片组件(MCM-C/D)。附图说明图1是本专利技术的数控衰减器芯片WSD的示意图；图2是本专利技术的外部结构示意图；图3是本专利技术的微波带通滤波器F1的内部结构示意图；图4是本专利技术的插损态输出端口的幅频特性曲线；图5是本专利技术的插损态输入端口的驻波特性曲线；图6是本专利技术的32dB衰减态输出端口的幅频特性曲线；图7是本专利技术的32dB衰减态的输入端口的驻波特性曲线。具体实施方式如图1-7所示的一种C波段与X波段数控衰减滤波器集成芯片，包括微波带通滤波器F1和数控衰减器芯片WSD，数控衰减器芯片WSD位于微波带通滤波器F1的上表面，数控衰减器芯片WSD的左边从前至后依次间隔设有输出引脚RFout、第二接地引脚G2和输入引脚RFin，数控衰减器芯片WSD的右边从前至后依次间隔设有第一电源控键V1、第一接地引脚G1和第二电源控键V2，微波带通滤波器F1的前侧面设有引脚P1，微波带通滤波器F1的左侧面设有引脚P6，微波带通滤波器F1的后侧面设有引脚P2，微波带通滤波器F1的右侧面设有引脚P3、引脚P5和引脚P4，引脚P3、引脚P5和引脚P4为从后至前依次间隔设置，引脚P1通过金属连接线连接输出引脚RFout，引脚P6通过金属连接线连接第二接地引脚G2，引脚P3通过金属连接线连接第二电源控键V2，引脚P5通过金属连接线连接第一接地引脚G1，引脚P4通过金属连接线连接第一电源控键V1；微波带通滤波器F1包括第一带状线层、第二带状线层、第三带状线层和接地层GND1，第一带状线层、第二带状线层、第三带状线层和接地层GND1为从上至下依次设置；第一带状线层包括第一输入电感Lin1、第一带状线L11、第二带状线L12、第三带状线L13、第四带状线L14、第五带状线L15和第一接地线C本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种C波段与X波段数控衰减滤波器集成芯片，其特征在于：包括微波带通滤波器F1和数控衰减器芯片WSD，数控衰减器芯片WSD位于微波带通滤波器F1的上表面，数控衰减器芯片WSD的左边从前至后依次间隔设有输出引脚RFout、第二接地引脚G2和输入引脚RFin，数控衰减器芯片WSD的右边从前至后依次间隔设有第一电源控键V1、第一接地引脚G1和第二电源控键V2，微波带通滤波器F1的前侧面设有引脚P1，微波带通滤波器F1的左侧面设有引脚P6，微波带通滤波器F1的后侧面设有引脚P2，微波带通滤波器F1的右侧面设有引脚P3、引脚P5和引脚P4，引脚P3、引脚P5和引脚P4为从后至前依次间隔设置，引脚P1通过金属连接线连接输出引脚RFout，引脚P6通过金属连接线连接第二接地引脚G2，引脚P3通过金属连接线连接第二电源控键V2，引脚P5通过金属连接线连接第一接地引脚G1，引脚P4通过金属连接线连接第一电源控键V1；微波带通滤波器F1包括第一带状线层、第二带状线层、第三带状线层和接地层GND1，第一带状线层、第二带状线层、第三带状线层和接地层GND1为从上至下依次设置；第一带状线层包括第一输入电感Lin1、第一带状线L11、第二带状线L12、第三带状线L13、第四带状线L14、第五带状线L15和第一接地线C1，第一输入电感Lin1与第一带状线L11连接，第一输入电感Lin1还与引脚P1连接，第一带状线L11的左端、第二带状线L12的左端、第三带状线L13的左端、第四带状线L14的左端和第五带状线L15的左端均通过第一接地线C1连接在一起，第一接地线C1连接引脚P6，第一带状线L11的右端、第二带状线L12的右端、第三带状线L13的右端、第四带状线L14的右端和第五带状线L15的右端均为开路；第二带状线层包括第六带状线L21、第七带状线L22、第八带状线L23、第九带状线L24、第十带状线L25、第二接地线C2和第一输出电感Lout1，第一输出电感Lout1连接第十带状线L25，第一输出电感Lout1还连接引脚P2，第六带状线L21的左端、第七带状线L22的左端、第八带状线L23的左端、第九带状线L24的左端和第十带状线L25的左端均为开路，第六带状线L21的右端、第七带状线L22的右端、第八带状线L23的右端、第九带状线L24的右端和第十带状线L25的右端均通过第二接地线C2连接在一起，第二接地线C2还连接引脚P5；第三带状线层包括第一S型耦合带状线S1，第一S型耦合带状线S1的左端连接引脚P6，第一S型耦合带状线S1的右端连接引脚P5；引脚P5和引脚P6均连接接地层GND1。...

【技术特征摘要】
1.一种C波段与X波段数控衰减滤波器集成芯片，其特征在于：包括微波带通滤波器F1和数控衰减器芯片WSD，数控衰减器芯片WSD位于微波带通滤波器F1的上表面，数控衰减器芯片WSD的左边从前至后依次间隔设有输出引脚RFout、第二接地引脚G2和输入引脚RFin，数控衰减器芯片WSD的右边从前至后依次间隔设有第一电源控键V1、第一接地引脚G1和第二电源控键V2，微波带通滤波器F1的前侧面设有引脚P1，微波带通滤波器F1的左侧面设有引脚P6，微波带通滤波器F1的后侧面设有引脚P2，微波带通滤波器F1的右侧面设有引脚P3、引脚P5和引脚P4，引脚P3、引脚P5和引脚P4为从后至前依次间隔设置，引脚P1通过金属连接线连接输出引脚RFout，引脚P6通过金属连接线连接第二接地引脚G2，引脚P3通过金属连接线连接第二电源控键V2，引脚P5通过金属连接线连接第一接地引脚G1，引脚P4通过金属连接线连接第一电源控键V1；微波带通滤波器F1包括第一带状线层、第二带状线层、第三带状线层和接地层GND1，第一带状线层、第二带状线层、第三带状线层和接地层GND1为从上至下依次设置；第一带状线层包括第一输入电感Lin1、第一带状线L11、第二带状线L12、第三带状线L13、第四带状线L14、第五带状线L15和第一接地线C1，第一输入电感Lin1与第一带状线L11连接，第一输入电感Lin1还与引脚P1连接，第一带状线L11的左端、第二带状线L12的左端、第三带状线L13的左端、第四带状线L14的左端和第五带状线L15的左端均通过第一接地线C1连接在一起，第一接地线C1连...

【专利技术属性】
技术研发人员：戴永胜，陈相治，杨茂雅，
申请(专利权)人：戴永胜，陈相治，杨茂雅，
类型：发明
国别省市：江苏;32