本发明专利技术涉及一种半导体器件，所述半导体器件包括漏电极和源电极、栅电极、一个以上的栅电极延伸部和连接部。所述漏电极和所述源电极具有彼此啮合的梳形的平面形状。所述栅电极设置在所述漏电极与所述源电极之间并具有曲折的平面形状。所述一个以上的栅电极延伸部从所述栅电极突出。所述连接部设置成面对所述漏电极和所述源电极中的一者或两者，并将所述一个以上的栅电极延伸部连接在一起。
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及半导体器件、天线开关电路和无线通信装置。具体地，本专利技术涉及包括在源电极与漏电极之间布置成曲折形状的栅电极的半导体器件、包括该半导体器件的天线开关电路以及包括该天线开关电路的无线通信装置。
技术介绍
在移动通信系统中使用的移动终端设备(例如，手机)可设置有用于对射频信号进行切换的开关电路(射频开关电路)。这种射频开关电路可采用多级连接构造，在多级连接结构中，可串联地连接有诸如基于GaAs的FET(场效应晶体管)之类的开关元件。这能够在输入大电力(具有较大值)的射频信号时抑制信号失真，从而使将要处理的最大电力增加。在多级连接构造中，FET的级数的简单增加可能会导致麻烦，例如，由于FET的导通电阻增加引起的更大的插入损耗(insertion loss)。用于提高将要处理的最大电力而不显著地增加FET的级数的一个已知方法是在栅电极与漏电极之间或栅电极与源电极之间插入额外电容器的技术。例如，专利文献1提出了通过形成从曲折形状的栅电极的弯曲部突出的额外电容器带来在额外电容器带与漏电极(或源电极)之间形成额外电容器Cadd/2。引用文献列表专利文献专利文献1：JP 2012-28977A
技术实现思路
然而，在专利文献1的构造中，两个相邻的额外电容器Cadd/2通过栅电极的窄布线连接在一起。这可能会造成电阻分量和电感分量增加的麻烦。因此，期望提供一种能够抑制当额外电容器连接到栅电极时在栅电极中产生的电阻分量和电感分量增加的半导体器件、包括该半导体器件的天线开关电路和包括该天线开关电路的无线通信装置。根据本专利技术的实施例的半导体器件包括下列部件(A)至(D)。(A)漏电极和源电极，所述漏电极和所述源电极具有彼此啮合的梳形的平面形状(B)栅电极，所述栅电极设置在所述漏电极与所述源电极之间，并具有曲折的平面形状(C)一个以上的栅电极延伸部，所述一个以上的栅电极延伸部从所述栅电极突出(D)连接部，所述连接部设置成面对所述漏电极和所述源电极中的一者或两者，并将所述一个以上的栅电极延伸部连接在一起。在根据本专利技术的实施例的半导体器件中，一个以上的栅电极延伸部从栅电极突出。一个以上的栅电极延伸部通过连接部连接在一起。连接部面对漏电极(或源电极)。在连接部与漏电极(或源电极)之间形成有额外电容器。这里，一个以上的栅电极延伸部通过具有短的布线长度和大的宽度的连接部连接在一起。因此，可以抑制当额外电容器连接到栅电极时在栅电极中产生的电阻分量和电感分量增加。根据本专利技术的实施例的天线开关电路包括第一端子、第二端子、第三端子、第一开关元件和第二开关元件。第一端子被提供传输信号。第二端子连接到天线。第三端子输出由天线接收的接收信号。第一开关元件连接在第一端子与第二端子之间。第二开关元件连接在第二端子与第三端子之间。在传输期间，第一开关元件变为导通而第二开关元件变为非导通。在接收期间，第一开关元件变为非导通而第二开关元件变为导通。第一开关元件和第二开关元件中的一者或两者包括下列部件(A)至(D)。(A)漏电极和源电极，所述漏电极和所述源电极具有彼此啮合的梳形的平面形状(B)栅电极，所述栅电极设置在所述漏电极与所述源电极之间，并具有曲折的平面形状(C)一个以上的栅电极延伸部，所述一个以上的栅电极延伸部从所述栅电极突出(D)连接部，所述连接部设置成面对所述漏电极和所述源电极中的一者或两者，并将所述一个以上的栅电极延伸部连接在一起。在根据本专利技术的实施例的天线开关电路中，在传输期间，第一开关元件变为导通而第二开关元件变为非导通。这使传输信号通过第一端子被输入，并通过第一开关元件被输出至第二端子。在接收期间，第一开关元件变为非导通而第二开关元件变为导通。这使由天线接收的接收信号通过第二端子被输入，并通过第二开关元件被输出至第三端子。根据本专利技术的实施例的无线通信装置包括天线以及执行传输信号到天线的输入与由天线接收的接收信号的输出之间的切换的天线开关电路。天线开关电路包括第一端子、第二端子、第三端子、第一开关元件和第二开关元件。第一端子被提供传输信号。第二端子连接到天线。第三端子输出由天线接收的接收信号。第一开关元件连接在第一端子与第二端子之间。第二开关元件连接在第二端子与第三端子之间。在传输期间，第一开关元件变为导通而第二开关元件变为非导通。在接收期间，第一开关元件变为非导通而第二开关元件变为导通。第一开关元件和第二开关元件中的一者或两者包括下列部件(A)至(D)。(A)漏电极和源电极，所述漏电极和所述源电极具有彼此啮合的梳形的平面形状(B)栅电极，所述栅电极设置在所述漏电极与所述源电极之间，并具有曲折的平面形状(C)一个以上的栅电极延伸部，所述一个以上的栅电极延伸部从所述栅电极突出(D)连接部，所述连接部设置成面对所述漏电极和所述源电极中的一者或两者，并将所述一个以上的栅电极延伸部连接在一起。在根据本专利技术的实施例的无线通信装置中，通过天线开关电路来执行传输信号到天线的输入与由天线接收的接收信号的输出之间的切换。根据本专利技术的实施例的半导体器件，一个以上的栅电极延伸部从栅电极突出。一个以上的栅电极延伸部通过连接部连接在一起。因此，可以抑制当额外电容器连接到栅电极时在栅电极中产生的电阻分量和电感分量增加。根据本专利技术实施例的天线开关电路或根据本专利技术实施例的无线通信装置，第一开关元件和第二开关元件中的一者或两者包括根据本专利技术的实施例的半导体器件。这能够抑制当额外电容器连接到第一开关元件和第二开关元件的栅电极时在栅电极中产生的电阻分量和电感分量增加。因此，可以稳定电路操作，从而提高输入耐电力特性和谐波失真特性。应当注意的是，这里说明的一些效果不一定是限制性的，且可以实现本文中说明的任何其它效果。附图说明图1是根据本专利技术的第一实施例的半导体器件的构造的平面图。图2是图1所示的半导体器件的沿线II-II截取的剖面图。图3是图1所示的半导体器件的沿线III-III截取的剖面图。图4是图1所示的半导体器件的沿线IV-IV截取的剖面图。图5是图1所示的半导体器件的沿线V-V截取的剖面图。图6是图1所示的半导体器件的等效电路的示图。图7是图1所示的半导体器件的变形例的平面图。图8是根据参考示例1的半导体器件的构造的平面图。图9是图8所示的半导体器件的等效电路的示图。图10是图8所示的半导体器件中的接触部的布置示例的平面图。图11是图8所示的半导体器件中的接触部的布置示例的平面图。图12是根据本专利技术的第二实施例的半导体器件的构造的平面图。图13是图12所示的半导体器件的沿线XIII-XIII截取的剖面图。图14是图12所示的半导体器件的沿线XIV-XIV截取的剖面图。图15是图12所示的半导体器件的变形例的平面图。图16是图15所示的半导体器件的沿线XVI-XVI截取的剖面图。图17是图15所示的半导体器件的沿线XVII-XVII截取的剖面图。图18是根据本专利技术的第三实施例的半导体器件的构造的平面图。图19是根据本专利技术的第四实施例的半导体器件的构造的平面图。图20是图19所示的半导体器件的变形例的平面图。图21是天线开关电路的示例的电路图。图22是天线开关电路的另一示例的电路图。图23是天线开关电路的又一示例的电路图。图24是天线开关电路的又一示例的电路图。本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种半导体器件，其包括：漏电极和源电极，所述漏电极和所述源电极具有彼此啮合的梳形的平面形状；栅电极，所述栅电极设置在所述漏电极与所述源电极之间，并具有曲折的平面形状；一个以上的栅电极延伸部，所述一个以上的栅电极延伸部从所述栅电极突出；以及连接部，所述连接部设置成面对所述漏电极和所述源电极中的一者或两者，并将所述一个以上的栅电极延伸部连接在一起。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2014.04.17 JP 2014-0852631.一种半导体器件，其包括：漏电极和源电极，所述漏电极和所述源电极具有彼此啮合的梳形的平面形状；栅电极，所述栅电极设置在所述漏电极与所述源电极之间，并具有曲折的平面形状；一个以上的栅电极延伸部，所述一个以上的栅电极延伸部从所述栅电极突出；以及连接部，所述连接部设置成面对所述漏电极和所述源电极中的一者或两者，并将所述一个以上的栅电极延伸部连接在一起。2.如权利要求1所述的半导体器件，其中，设置两个以上的所述栅电极。3.如权利要求1所述的半导体器件，其中，所述一个以上的栅电极延伸部和所述连接部设置在所述栅电极的所述漏电极侧和所述栅电极的所述源电极侧中的一者或两者。4.如权利要求1所述的半导体器件，其还包括：半导体层；漏电极接触部，所述漏电极接触部连接所述半导体层和所述漏电极；以及源电极接触部，所述源电极接触部连接所述半导体层和所述源电极，其中，所述漏电极接触部和所述源电极接触部布置成避免在平面形状上与所述栅电极延伸部重叠。5.如权利要求1所述的半导体器件，其中，所述漏电极和所述源电极均包括长边部和两个以上的梳齿部，且所述栅电极延伸部均设置成横穿所述漏电极或所述源电极的所述长边部。6.如权利要求1所述的半导体器件，其中，所述漏电极和所述源电极均包括长边部和两个以上的梳齿部，且所述栅电极延伸部均设置在所述漏电极或所述源电极的所述两个以上的梳齿部中的一者与所述长边部的交叉位置处。7.如权利要求1所述的半导体器件，其中，所述漏电极和所述源电极中的一者或两者包括在平面形状上沿朝向所述栅电极的方向加宽的加宽部。8.如权利要求1所述的半导体器件，其中，所述加宽部在平面形状上与所述栅电极重叠。9.一种天线开关电路，其包括：第一端子，所述第一端子被提供传输信号；第二端子，所述第二端子连接到天线；第三端子，所述第三端子输出由所述天线接收的接收信号；第一开关元件，所述第一开关元件连接在所述第一端子与所述第二端子之间；以及第二开关元件，所述第二开...
【专利技术属性】
技术研发人员：竹内克彦，
申请(专利权)人：索尼公司，
类型：发明
国别省市：日本;JP
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