【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及的是一种改善石英晶体片表面粗糙度的方法,属于元器件制造
技术介绍
高品质石英晶体元器件所使用的石英晶体片,需要研磨抛光石英晶体片以改善表面粗糙度,该方法成本高、效率低。 使用含氟离子的溶液对石英晶体片表面腐蚀,可以一定程度改善石英晶体片表面粗糙度,但远达不到抛光效果。因为,实践中发现:使用氢氟酸(HF)溶液腐蚀的石英晶体片,其表面会出现凹坑,石英晶体片粗糙度不理想,使用氟化氢铵(NH4HF2)溶液腐蚀的石英晶体片,其表面会出现凸起,石英晶体片粗糙度也不理想。
技术实现思路
本专利技术提出的是一种改善石英晶体片表面粗糙度的方法,其目的旨在替代传统的研磨抛光方法,使石英晶体片表面达到抛光效果,从而提高该类石英晶体片加工制造效率,降低制造成本。本专利技术的技术解决方法: 一种改善石英晶体片表面粗糙度的方法,包括如下步骤:1)先用质量浓度为30%氟化氢铵(NH4HF2)溶液和质量浓度为15%氢氟酸(HF)溶液的混合溶液腐蚀石英晶体片;2)用纯水清洗石英晶体片;3)再用质量浓度为26%氢氟酸(HF)溶液腐蚀石英晶体片;4)腐蚀石英晶体片时腐蚀液温度为36℃;若石英晶体片总体需要腐蚀去掉的厚度为t,则氟化氢铵(NH4HF2)和氢氟酸混合溶液腐蚀去掉的厚度为t*1/3, 氢氟酸(HF)溶液腐蚀去掉的厚度为t*2/3。本专利技术的技术效果本专利技术制作的石英晶体片,表面粗糙度接近研磨抛光效果,解决了传统的必须使用研磨抛光才可以实现石英晶体片表面粗糙度较好的方式。工艺流程简捷,可以低成本、大批量,高效率生产,有较好的推广价值。具体实施方式一种改善石英晶 ...
【技术保护点】
一种改善石英晶体片表面粗糙度的方法,其特征是该方法包括如下步骤:1)先用质量浓度为30%氟化氢铵和质量浓度为15%氢氟酸的混合溶液腐蚀石英晶体片;2)用纯水清洗石英晶体片;3)再用质量浓度为26%氢氟酸溶液腐蚀石英晶体片;4)腐蚀石英晶体片时腐蚀液温度为36℃;若石英晶体片总体需要腐蚀去掉的厚度为t,则氟化氢铵和氢氟酸混合溶液腐蚀去掉的厚度为t*1/3, 氢氟酸溶液腐蚀去掉的厚度为t*2/3。
【技术特征摘要】
1.一种改善石英晶体片表面粗糙度的方法,其特征是该方法包括如下步骤:1)先用质量浓度为30%氟化氢铵和质量浓度为15%氢氟酸的混合溶液腐蚀石英晶体片;2)用纯水清洗石英晶体片;3)再用质量浓度为26%氢...
【专利技术属性】
技术研发人员:吴敬军,
申请(专利权)人:廊坊中电熊猫晶体科技有限公司,
类型:发明
国别省市:河北;13
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