一种用于集成电路芯片自毁结构制造技术

该发明专利技术公开了一种用于集成电路芯片自毁结构，结构包括：芯片、设置于芯片背面或正面迂回的通槽、设置在通槽中的金属、通槽首尾两端的金属上设置有电极，所述通槽遍布芯片正面或背面整个非工作区域，所述通槽总的金属杨氏模量大于70GPa，热膨胀系数是硅的5倍以上，其特征在于通槽两侧周期性设置有向外凸起的V型尖角；通槽迂回过程中相邻两段槽向外凸起的V型尖角，角尖相对且不重合。具有结构和工艺要简单，安全性、稳定性更高，应力集中的优点。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于信息安全领域，涉及的是一种集成电路芯片自毁的方法和结构。
技术介绍
微电子技术的不断发展使丰富、海量的信息可以固化到一块微小的芯片当中，而信息的价值往往远大于一块芯片的价值。电子产品的小型化、便携性也往往使它们更容易丢失。个人的手机、U盘等设备往往存储有隐私信息，一旦丢失可能会对自己的生活造成影响；企业里一块拥有核心技术的芯片一旦落入竞争者手中，竞争者通过反向很容易就可以窃取到相关芯片的核心技术，可能会让企业落入困境；政府、企业等部门的涉密信息一般都存储于硬盘、FLASH存储器中，一旦遗失将会造成不可估量的损失；战场上，我方的电子设备落入敌方手中很可能会造成作战方案的相关信息泄露，造成无法弥补的危害。为了避免芯片中的相关机密信息落入他人手中，需要在芯片中引入自毁技术。为了让芯片彻底销毁以杜绝后患，目前的自毁方法有化学腐蚀、含能剂引发爆炸使芯片碎片化等。化学腐蚀法需要特定的容器存储化学试剂，这会增大自毁装置的体积，也增加了制造该装置的难度，另一方面这些化学试剂并不能保证长时间内化学性的稳定，而且化学试剂一旦泄露可能会对人体造成危害。含能剂一般采用的是铝热剂、多孔硅(和氧化剂混合)等。制备铝热剂需要将纳米氧化剂和纳米铝粉长时间搅拌，使他们充分混合。同时，为了降低触发温度，一般还需要在铝热剂中加入固态汽油、硫粉等易燃易爆物。之后将铝热剂滴定旋涂到芯片的指定区域上。用多孔硅作含能剂同样存在诸多问题，为了得到适当的触发温度，需要制备孔径大小、孔隙率满足要求的多孔硅。另外将氧化剂渗入到多孔硅中，需要历经多次滴定氧化剂、风干，再滴定、风干这样的步骤。在制造工艺上比较耗费人力，效率也很低。另外，上述铝热剂、氧化剂均属于易燃易爆物，在高温时会引发爆炸，而氧化剂如NaClO4、CdClO4受到猛烈撞击时也有可能爆炸。芯片自毁的前提是自毁装置不影响芯片的正常工作，不影响芯片的制造工艺，在没有接收到自毁信号时绝对不会自毁更不会对人身存在安全隐患。而上述提到的自毁方法难以避免地存在安全隐患，在制造上和传统硅工艺也存在较大偏差。另外非常容易受外界环境变化的影响，例如温度、湿度的变化容易造成化学试剂和含能剂化学性质的改变，在芯片跌落或有很高的加速度等情况下也可能会引发含能剂自爆。因此需要一种与硅工艺兼容，不影响芯片正常工作，受外界环境影响较小的芯片自毁方法。体硅的理论临界断裂应力约为4-7GPa，但Si在低于700℃是一种脆性材料，其泊松比为v＝0.27，在4％应变下即有断裂危险。而且，材料中通常存在各种缺陷或者微裂纹，这会使体硅的断裂条件大大降低，微小的弯曲(200-700MPa)即能导致硅片断裂。因为单晶硅的{111本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于集成电路芯片自毁结构，该结构包括：芯片、设置于芯片背面或正面迂回的通槽、设置在通槽中的金属、通槽首尾两端的金属上设置有电极，所述通槽遍布芯片正面或背面整个非工作区域，所述通槽总的金属杨氏模量大于70GPa，热膨胀系数是硅的5倍以上，其特征在于通槽两侧周期性设置有向外凸起的V型尖角；通槽迂回过程中相邻两段槽向外凸起的V型尖角，角尖相对且不重合。

【技术特征摘要】
1.一种用于集成电路芯片自毁结构，该结构包括：芯片、设置于芯片背面或正面迂回的通槽、设置在通槽中的金属、通槽首尾两端的金属上设置有电极，所述通槽遍布芯片正面或背面整个非工作区域，所述通槽总的金属杨氏模量大于70GPa，热膨胀系数是硅的5倍以上，其特征在于通槽两侧周期性设置有向外凸起的V型尖角；通槽迂回过程中相邻两段槽向外凸起的V型尖角，角尖相对且不重合。2.如权利要求说1所述的一种用于集成电路芯片自毁结构，其特征在于所述通槽迂回过程中相邻两段槽向外凸起的V型...

【专利技术属性】
技术研发人员：王向展，夏琪，廖宇龙，罗谦，曹建强，
申请(专利权)人：电子科技大学，
类型：发明
国别省市：四川;51