一种NANDFlash的字线制作方法技术

本发明专利技术公开了一种NAND Flash的字线制作方法及存储器，所述方法包括：在待刻蚀材料层上形成第一牺牲图形和第二牺牲图形，其中，所述第二牺牲图形和近邻的第一牺牲图形之间的距离与相邻的两个第一牺牲图形之间的距离相等；分别在所述第一牺牲图形和第二牺牲图形的侧面形成侧墙；去除所述第一牺牲图形和第二牺牲图形；以所述侧墙为掩膜版刻蚀所述待刻蚀材料层，得到字线。改善了边缘字线在曝光时的形貌，进而改善了牺牲层图形和侧墙的形貌，提高了字线制作工艺的稳定性和可靠性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术实施例涉及半导体制造
，尤其涉及一种NANDFlash的字线制作方法。
技术介绍
NANDFlash是Flash内存的一种，属于非易失性存储设备(Non-volatileMemoryDevice)，其内部采用非线性宏单元模式，具有容量大，改写速度快等优点，适用于大量数据的存储。NANDFlash中有存储单元阵列，存储单元阵列包括存储单元，基于每个存储单元的字线和位线排列而成。具体的，存储单元首先分别以字线、位线连接组成页，又由多个页组成块，最终由多个块组成一个NANDFlash的存储单元阵列。参见图1至图6所示，每个存储单元有若干根字线110，在相邻的存储单元之间有选择管120，字线110和字线110之间的距离，与字线110和选择管120之间的距离是不一样的。由于边缘的字线111——即靠近选择管120的字线110图形相对孤立，因此，在现有的字线110的制作过程中，不管是字线110和选择管120图形分开用两块掩膜版制作，还是字线110和选择管120利用一块掩膜版来同时制作，在曝光时都会使边缘字线111的光刻胶形貌111a比较倾斜，不陡直，进而使得以此光刻胶为掩膜版刻蚀得到的字线牺牲层图形111b的侧面也比较倾斜，进而使得后续的侧墙130形貌不佳，最终以所述侧墙130为掩膜版刻蚀得到的字线形貌不佳，导致了字线制作工艺稳定性差。因此，需要一种新的NANDFlash字线制作方法，以克服上述缺陷，改善边缘字线在曝光时的形貌，进而改善牺牲层图形和侧墙的形貌，提高字线制作工艺的稳定性和可靠性。
技术实现思路
本专利技术提供一种NANDFlash的字线制作方法，以改善边缘字线在曝光时的形貌。第一方面，本专利技术实施例提供了一种NANDFlash的字线制作方法，该方法包括：在待刻蚀材料层上形成第一牺牲图形和第二牺牲图形，其中，所述第二牺牲图形和近邻的第一牺牲图形之间的距离与相邻的两个第一牺牲图形之间的距离相等；分别在所述第一牺牲图形和第二牺牲图形的侧面形成侧墙；去除所述第一牺牲图形和第二牺牲图形；以所述侧墙为掩膜版刻蚀所述待刻蚀材料层，得到字线。示例性地，在待刻蚀材料层上形成第一牺牲图形和第二牺牲图形，包括：在待刻蚀材料层上依次形成牺牲层和光刻胶层；对所述光刻胶层进行曝光显影，形成第一光刻胶图形和第二光刻胶图形，其中，所述第二光刻胶图形和近邻的第一光刻胶图形之间的距离与相邻的两个第一光刻胶图形之间的距离相等；去除所述第一光刻胶图形和第二光刻胶图形，得到第一牺牲图形和第二牺牲图形。优选的，采用湿法去胶工艺或者灰化去胶工艺去除所述第一光刻胶图形和第二光刻胶图形。进一步地，所述湿法去胶工艺的溶液为溶解所述光刻胶层的有机溶液，所述灰化去胶工艺采用的气体为氧气。示例性地，分别在所述第一牺牲图形和第二牺牲图形的侧面形成侧墙之前，还包括：利用缩微工艺将所述第一牺牲图形和第二牺牲图形进行缩微。所述侧墙的材料为氧化硅、氮化硅和氮氧化硅中的至少一种。优选的，所述侧墙邻近所述待刻蚀材料层一端的宽度为10nm-1000nm。优选的，采用干法刻蚀工艺或者湿法刻蚀工艺刻蚀所述待刻蚀材料层。第二方面，本专利技术实施例提供了一种NANDFlash存储器，包括由上述方法制作的字线。本专利技术通过在待刻蚀材料层上形成第一牺牲图形和第二牺牲图形，其中，所述第二牺牲图形和近邻的第一牺牲图形之间的距离与相邻的两个第一牺牲图形之间的距离相等，然后分别在所述第一牺牲图形和第二牺牲图形的侧面形成侧墙，接着去除所述第一牺牲图形和第二牺牲图形得到侧墙，最后以所述侧墙为掩膜版刻蚀所述待刻蚀材料层，得到字线，改善了边缘字线在曝光时的形貌，进而改善了牺牲层图形和侧墙的形貌，提高了字线制作工艺的稳定性和可靠性。附图说明图1-图6是现有技术中NANDFlash的字线制作过程示意图；图7为本专利技术实施例一提供的一种NANDFlash的字线制作方法的流程图；图8-图10为本专利技术实施例一提供的一种NANDFlash的字线制作过程示意图；图11为本专利技术实施例二提供的一种NANDFlash的字线制作方法的流程图；图12-图14为本专利技术实施例二提供的一种NANDFlash的字线制作过程示意图；图15为本专利技术实施例三提供的一种NANDFlash的字线制作方法的流程图；图16-图19为本专利技术实施例三提供的一种NANDFlash的字线制作过程示意图。具体实施方式下面结合附图和实施例对本专利技术作进一步的详细说明。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本专利技术，而非对本专利技术的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与本专利技术相关的部分而非全部结构。实施例一图7为本专利技术实施例一提供的一种NANDFlash的字线制作方法的流程图，该方法具体包括如下步骤：S110、在待刻蚀材料层上形成第一牺牲图形和第二牺牲图形，其中，所述第二牺牲图形和近邻的第一牺牲图形之间的距离与相邻的两个第一牺牲图形之间的距离相等。具体的，参见图8所示，在待刻蚀材料层230上形成第一牺牲图形210和第二牺牲图形220，其中，第二牺牲图形220和近邻的第一牺牲图形210a之间的距离与相邻的两个第一牺牲图形210之间的距离相等，近邻的第一牺牲图形210a是指与第二牺牲图形220距离最近的第一牺牲图形210。优选的，第一牺牲图形210和第二牺牲图形220的材料可选用多晶硅、氧化硅等。其中，待刻蚀材料层230形成于半导体衬底240上，优选的，待刻蚀材料层230可以是氧化硅层、氮化硅层、多晶硅层、无定形碳等其中的一种或几种，半导体衬底240可以为硅衬底、锗衬底、硅锗衬底等其中的任意一种。需要说明的是，在选择半导体衬底240、待刻蚀材料层230、第一牺牲图形210和第二牺牲图形220所用的材料时，应考虑材料之间的刻蚀选择比，以使经过刻蚀得到的图形更加精确。S120、分别在所述第一牺牲图形和第二牺牲图形的侧面形成侧墙。具体的，参见图9所示，分别在第一牺牲图形210和第二牺牲图形220的侧面形成侧墙250。优选的，侧墙250的材料为氧化硅、氮化硅和氮氧化硅中的至少一种。S130、去除所述第一牺牲图形和第二牺牲图形。示例性地，可以采用干法刻蚀工艺或者湿法刻蚀工艺去除第一牺牲图形210和第二牺牲图形220，得到如图10所示的示意图，当然还可以采用其他工艺去本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种NANDFlash的字线制作方法，其特征在于，包括：在待刻蚀材料层上形成第一牺牲图形和第二牺牲图形，其中，所述第二牺牲图形和近邻的第一牺牲图形之间的距离与相邻的两个第一牺牲图形之间的距离相等；分别在所述第一牺牲图形和第二牺牲图形的侧面形成侧墙；去除所述第一牺牲图形和第二牺牲图形；以所述侧墙为掩膜版刻蚀所述待刻蚀材料层，得到字线。

【技术特征摘要】
1.一种NANDFlash的字线制作方法，其特征在于，包括：
在待刻蚀材料层上形成第一牺牲图形和第二牺牲图形，其中，所述第二牺
牲图形和近邻的第一牺牲图形之间的距离与相邻的两个第一牺牲图形之间的距
离相等；
分别在所述第一牺牲图形和第二牺牲图形的侧面形成侧墙；
去除所述第一牺牲图形和第二牺牲图形；
以所述侧墙为掩膜版刻蚀所述待刻蚀材料层，得到字线。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在待刻蚀材料层上形成第一
牺牲图形和第二牺牲图形，包括：
在待刻蚀材料层上依次形成牺牲层和光刻胶层；
对所述光刻胶层进行曝光显影，形成第一光刻胶图形和第二光刻胶图形，
其中，所述第二光刻胶图形和近邻的第一光刻胶图形之间的距离与相邻的两个
第一光刻胶图形之间的距离相等；
去除所述第一光刻胶图形和第二光刻胶图形，得到第一牺牲图形和第二牺
牲图形。
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，采用湿法去胶工艺或者灰化
去...

【专利技术属性】
技术研发人员：罗啸，陈春晖，熊涛，舒清明，
申请(专利权)人：上海格易电子有限公司，北京兆易创新科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31