利用激光的多层基板的加工方法以及加工装置制造方法及图纸

本案发明专利技术涉及一种利用激光的多层基板的加工方法以及加工装置。可利用简单的构成且在不使装置成本变高的情况下对多层基板进行加工。该加工方法是对多层基板照射激光而进行加工的方法，包含准备步骤以及加工步骤。在准备步骤中，准备包含经积层的至少第1层及第2层的多层基板。在加工步骤中，从第1层侧照射能够对第1层进行加工且相对于第1层具有能够透过的特定的吸收率、并且能够对第2层进行加工的波长的激光，从而同时加工第1层及第2层。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种多层基板的加工方法，尤其是涉及一种对多层基板照射激光而进行加工的加工方法以及加工装置。
技术介绍
作为多层基板的一例的薄膜太阳电池是在玻璃基板上形成有作为下部电极层的Mo层，并且在Mo层的上部形成有CIGS(CopperIndiumGalliumSelenide，铜铟镓硒)层等半导体层。而且还在半导体层的上部形成有透明的上部电极层。此外，作为另一例的触摸面板是在玻璃基板的上部形成有透明电极膜，且还在该透明电极膜的上部形成有树脂制保护罩。在利用激光对具有如上所述的多层的基板进行加工的情况下，激光被上部层吸收，因此难以加工下部层。因此，如果提高激光的功率以使激光到达下部层，则对上部层造成的损伤变大，此外飞散物变多。因此，提出有如专利文献1所示的激光加工装置。在该专利文献1的装置中，首先通过调制器件将从激光振荡器输出的激光调制为第1激光、及波长较第1激光短的第2激光。这些激光通过聚光透镜聚光并照射至基板。另外，第1激光被导入至与第2激光不同的光路，且控制第1激光的至到达聚光透镜为止的光路长。此外，第1激光与第2激光的光量通过偏光器控制。[
技术介绍
文献][专利文献][专利文献1]日本专利特开平5-192779号公报
技术实现思路
[专利技术要解决的问题]在专利文献1的装置中，可利用一台装置将不同的两种波长的激光选择性地或者同时照射至基板。但是，有装置构成复杂且装置成本变高的问题。本专利技术的课题在于可利用简单的构成且在不使装置成本变高的情况下对多层基板进行加工。[解决问题的技术手段]本专利技术的一形态的利用激光的多层基板的加工方法包含准备步骤以及加工步骤。准备步骤是准备包含经积层的至少第1层及第2层的多层基板。加工步骤是从第1层侧照射能够对第1层进行加工且相对于第1层具有能够透过的特定的吸收率、并且能够对第2层进行加工的波长的激光，从而同时加工第1层及第2层。此处，对包含第1层及第2层的多层基板从第1层侧照射特定波长的激光。激光一面被第1层吸收，一面一部分透过第1层并到达第2层而被第2层吸收。因此，可利用一种波长的激光同时加工第1层及第2层。在本专利技术的另一形态的利用激光的多层基板的加工方法中，激光相对于第1层的吸收率为50％以下且10％以上，且相对于第2层的吸收率为10％以上。此处，与所述同样地，激光一面被第1层吸收一面一部分透过第1层并到达第2层而被第2层吸收。因此，可利用一种波长的激光同时加工第1层及第2层。在本专利技术的又一形态的利用激光的多层基板的加工方法中，激光是脉冲宽度为10psec以上且200nsec以下的脉冲激光。在本专利技术的又一形态的利用激光的多层基板的加工方法中，激光为连续波激光。在本专利技术的又一形态的利用激光的多层基板的加工方法中，在加工步骤中，在第1层及第2层形成沟槽。在本专利技术的又一形态的利用激光的多层基板的加工方法中，在加工步骤中，对第1层及第2层进行改质。在本专利技术的又一形态的利用激光的多层基板的加工方法中，在加工步骤中，在第1层及第2层形成龟裂。本专利技术的利用激光的多层基板的加工装置是用以对多层基板照射激光而进行加工的装置，具备支撑器件以及加工器件。支撑器件支撑包含经积层的至少第1层及第2层的多层基板。加工器件是从第1层侧照射能够对第1层进行加工且相对于第1层具有能够透过的特定的吸收率、并且能够对第2层进行加工的波长的激光，从而同时加工第1层及第2层。[专利技术的效果]在以上所述的本专利技术中，可利用一种激光同时加工多层基板，并且可使用低价的装置且在短时间进行加工。附图说明图1是利用本专利技术的一实施方式的方法进行加工的触摸面板的截面局部构成图。图2是表示ITO(IndiumTinOxides，氧化铟锡)与聚酯层(保护罩)的相对于激光波长的透过率的图。图3是利用本专利技术的另一实施方式的方法进行加工的集成型非晶太阳电池的截面局部构成图。图4是表示ITO、非晶矽层、铝层(背面电极)的相对于激光波长的透过率的图。图5是本专利技术的一实施方式的加工装置的概略构成图。具体实施方式[第1实施方式]图1表示利用本专利技术的第1实施方式的方法进行加工的触摸面板(多层基板的一例)。该触摸面板1是将作为保护罩的聚酯膜11(第1层)及作为透明电极膜的ITO12(第2层)积层于玻璃基板10而形成。更详细而言，在玻璃基板10的上表面形成ITO12，进而在该ITO12的上表面形成聚酯膜11。此处，图2表示聚酯膜11与ITO12的相对于激光的波长(nm)的透过率(％)。图中，P1表示聚酯膜11的透过率，P2表示ITO12的透过率。自该图2明确得知，如果从聚酯膜11的上方将波长为1064nm的激光照射至触摸面板1，则所照射的激光大体透过(透过率为80％以上)聚酯膜11而可对ITO12进行加工。此外，可知如果照射波长为355nm的激光，则相对于聚酯膜11的透过率为0％，因此激光不会到达ITO12而仅可对聚酯膜11进行加工。因此，如果从聚酯膜11侧照射能够对聚酯膜11进行加工且相对于聚酯膜11具有能够透过的透过率(吸收率)、并且能够对ITO12进行加工的波长的激光，则能够同时加工聚酯膜11及ITO12。具体而言，如果将例如波长为885nm的半导体激光照射至触摸面板1，则该激光相对于聚酯膜11的透过率为约83％(吸收率13％、反射率4％)。因此，可对聚酯膜11进行加工，并且激光透过聚酯膜11而到达ITO12。此外，该激光相对于ITO12的透过率为约63％(吸收率约37％、界面的反射率为1％以下)，从而也能够对ITO12进行加工。即，可同时加工聚酯膜11及ITO12。[第2实施方式]图3表示本专利技术的第2实施方式。此处，采用集成型非晶太阳电池作为所要加工的多层基板的例。该太阳电池2是将作为透明导电膜的ITO21(第1层)、非晶矽层22(第2层)、以及作为背面电极的铝层积层于玻璃基板20而形成。更详细而言，在玻璃基板20的上表面形成有ITO21，且在ITO21的上表面形成有非晶矽层22，进而在非晶矽层22的上表面形成有铝层23。另外，在该例中，从玻璃基板20侧照射激光。图4表示各层21～23的相对于激光的波长(nm)的透过率(％)。图中，Q1表示ITO21的透过率，Q2表示非晶矽层22的透过率，Q3表示铝层23的透过率。如自图4所明确般，如果从玻璃基板20侧照射波长为885nm的激光，则所照射的激光被ITO21及本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种利用激光的多层基板的加工方法，其是对多层基板照射激光而进行加工的方法，且包含：准备步骤，准备包含经积层的至少第1层及第2层的多层基板；以及加工步骤，从所述第1层侧照射能够对所述第1层进行加工且相对于所述第1层具有能够透过的特定的吸收率、并且能够对所述第2层进行加工的波长的激光，从而同时加工所述第1层及所述第2层。

【技术特征摘要】
2015.01.27 JP 2015-0128911.一种利用激光的多层基板的加工方法，其是对多层基板照射激光而进行加工的方法，
且包含：
准备步骤，准备包含经积层的至少第1层及第2层的多层基板；以及
加工步骤，从所述第1层侧照射能够对所述第1层进行加工且相对于所述第1
层具有能够透过的特定的吸收率、并且能够对所述第2层进行加工的波长的激光，
从而同时加工所述第1层及所述第2层。
2.根据权利要求1所述的利用激光的多层基板的加工方法，其中所述激光相对于所述
第1层的吸收率为50％以下且10％以上，且相对于两层的吸收率为100％以下且10％
以上。
3.根据权利要求1或2所述的利用激光的多层基板的加工方法，其中所述激光是脉冲
宽度为10psec以上200nsec以下的脉冲激光。
4.根据权利要求1或2所述的利...

【专利技术属性】
技术研发人员：荒川美纪，中谷郁祥，
申请(专利权)人：三星钻石工业股份有限公司，
类型：发明
国别省市：日本;JP