包括高密度互连和重分布层的集成器件制造技术

集成器件(例如，集成封装)包括用于集成器件的基底部分、耦合至基底部分的第一表面的第一管芯(206)、以及第一管芯与基底部分之间的底部填料(222)。基底部分包括介电层(202)以及一组重分布金属层(230‑260)。在一些实现中，集成器件进一步包括封装第一管芯的封装材料(220)。在一些实现中，集成器件进一步包括耦合至基底部分的第一表面的第二管芯(208)。在一些实现中，集成器件进一步包括基底部分上的一组互连(280)，该组互连耦合第一管芯和第二管芯。在一些实现中，第一管芯包括第一组互连柱(216)，并且第二管芯包括第二组互连柱(218)。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】相关申请的交叉引用本申请要求于2014年3月4日向美国专利商标局提交的美国非临时专利申请No.14/196,817的优先权和权益，其全部内容通过援引纳入于此。背景
各特征涉及包括高密度互连和重分布层的集成器件。
技术介绍
图1解说了常规集成封装100，其包括基板102、第一管芯106、第二管芯108、第一组焊球116、第二组焊球118和第三组焊球120。第一管芯106通过第一组焊球116耦合至基板102。第二管芯108通过第二组焊球118耦合至基板102。第三组焊球120耦合至基板102。通常，第三组焊球120耦合至印刷电路板(PCB)(未示出)。常规的集成封装(诸如图1中描述的集成封装)具有某些限制和不利方面。例如，图1的集成封装100的基板102通常由有机层压(例如，刚性或柔性)或硅(Si)中介体制成。将此类材料用作基板在尝试制造低剖面集成封装时产生设计问题。即，这些材料由于其制造限制而产生显著的设计惩罚。具体而言，这些材料使得提供低剖面集成封装是不可能或成本很高的。此外，使用焊球作为管芯与基板之间的耦合方法限制了可能存在于管芯与基板之间的连接的密度，因为各焊球之间所需的最小间隔往往大于基板上的各迹线和/或通孔之间所需的最小间隔。另外，在集成器件的制造过程期间，工具调准容限和管芯偏移可导致基板上管芯的放置的不准确性。为了考虑到这些问题，必须提供大着陆焊盘来确保管芯存在合适的连接。这些大着陆焊盘可占据集成器件中有价值的空间并且向集成器件的制造添加不必要的成本。因此，需要具有低剖面但还占据尽可能小的占用空间的成本高效的集成封装。理想地，此类集成封装还将提供与管芯的较高密度连接。概述本文所描述的各特征、装置和方法提供了包括高密度互连重分布层的集成器件。第一示例提供了一种集成器件，其包括用于集成器件的基底部分、耦合至基底部分的第一表面的第一管芯、以及第一管芯与基底部分之间的底部填料。基底部分包括介电层以及一组重分布金属层。根据一方面，该集成器件进一步包括封装第一管芯的封装材料。根据一个方面，该集成器件进一步包括耦合至基底部分的第一表面的第二管芯。在一些实现中，集成器件进一步包括基底部分上的一组互连，该组互连电耦合第一管芯和第二管芯。在一些实现中，第一管芯包括第一组互连柱，并且第二管芯包括第二组互连柱。该组互连耦合至第一组互连柱和第二组互连柱，同时绕过凸块焊盘和/或着陆焊盘。在一些实现中，该组互连具有约40微米(μm)或更小的第一间距。在一些实现中，底部填料还位于第二管芯与基底部分之间。根据一方面，第一管芯是第一晶片级管芯。根据一方面，第一管芯包括第一组互连柱，第一管芯通过第一组互连柱耦合至该组重分布金属层。在一些实现中，第一组互连柱具有约40微米(μm)或更小的第一间距。根据一个方面，集成器件被纳入以下至少一者中：音乐播放器、视频播放器、娱乐单元、导航设备、通信设备、移动设备、移动电话、智能电话、个人数字助理、固定位置终端、平板式计算机、和/或膝上型计算机中。第二示例提供了一种包括用于集成器件的基底部分的设备。基底部分包括介电层以及重分布装置。该设备进一步包括耦合至基底部分的第一表面的第一管芯、用于封装第一管芯与基底部分之间的区域的装置。根据一方面，该设备进一步包括封装第一管芯的封装装置。根据一个方面，该设备进一步包括耦合至基底部分的第一表面的第二管芯。在一些实现中，该设备进一步包括基底部分上的一组互连。该组互连电耦合第一管芯和第二管芯。在一些实现中，第一管芯包括第一组互连柱。第二管芯包括第二组互连柱。该组互连耦合至第一组互连柱和第二组互连柱，同时绕过着陆焊盘。在一些实现中，该组互连包括约40微米(μm)或更小的第一间距。根据一方面，第一管芯是第一晶片级管芯。根据一个方面，第一管芯包括第一组互连柱。第一管芯通过第一组互连柱耦合至重分布装置。根据一方面，第一组互连柱包括约40微米(μm)或更小的第一间距。根据一个方面，该设备被纳入到以下至少一者中：音乐播放器、视频播放器、娱乐单元、导航设备、通信设备、移动设备、移动电话、智能电话、个人数字助理、固定位置终端、平板计算机、和/或膝上型计算机。第三示例提供了一种用于提供集成器件的方法。该方法形成用于该集成器件的基底部分，其中形成基底部分包括形成介电层以及形成一组重分布金属层。该方法在基底部分的第一表面上提供第一管芯。该方法在第一管芯与基底部分之间形成底部填料。根据一方面，该方法进一步形成封装第一管芯的封装材料。根据一个方面，该方法在基底部分的第一表面上提供第二管芯。在一些实现中，该方法在基底部分上形成一组互连。该组互连电耦合第一管芯和第二管芯。在一些实现中，第一管芯包括第一组互连柱，并且第二管芯包括第二组互连柱。该组互连耦合至第一组互连柱和第二组互连柱，同时绕过焊盘。在一些实现中，该组互连包括约40微米(μm)或更小的第一间距。根据一方面，第一管芯是第一晶片级管芯。根据一个方面，第一管芯包括第一组互连柱。第一管芯通过第一组互连柱耦合至该组重分布金属层。在一些实现中，第一组互连柱包括约40微米(μm)或更小的第一间距。根据一个方面，该集成器件被纳入以下至少一者中：音乐播放器、视频播放器、娱乐单元、导航设备、通信设备、移动设备、移动电话、智能电话、个人数字助理、固定位置终端、平板式计算机、和/或膝上型计算机中。附图在结合附图理解下面阐述的详细描述时，各种特征、本质和优点会变得明显，在附图中，相像的附图标记贯穿始终作相应标识。图1解说了常规的集成器件的剖面图。图2解说了集成器件的示例。图3解说了管芯的示例。图4解说了包括穿基板通孔的管芯的示例。图5解说了集成器件的示例。图6解说了集成器件的示例。图7A解说了用于提供/制造集成器件的示例性序列的一部分。图7B解说了用于提供/制造集成器件的示例性序列的一部分。图7C解说了用于提供/制造集成器件的示例性序列的一部分。图7D解说了用于提供/制造集成器件的示例性序列的一部分。图8A解说了用于提供/制造集成器件的示例性序列的一部分。图8B解说了用于提供/制造集成器件的示例性序列的一部分。图8C解说了用于提供/制造集成器件的示例性序列的一部分。图8D解说了用于提供/制造集成器件的示例性序列的一部分。图9解说了用于提供/制造集成器件的示例性方法。图10A解说了用于提供/制造集成器件的示例性序列的一部分。图10B解说了用于提供/制造集成器件的示例性序列的一部分。图10C解说了用于提供/制造集成器件的示例性序列的一部分。图11解说了可集成本文所描述的半导体器件、管芯、集成电路和/或PCB的各种电子设备。详细描述在以下描述中，给出了具体细节以提供对本公开的各方面的透彻理解。然而，本领域普通技术人员将理解，没有这些具体细节也可实践这些方面。例如，电路可能用框图示出以避免使这些方面湮没在不必要的细节中。在其他实例中，公知的电路、结构和技术可能不被详细示出以免模糊本公开的这些方面。总览一些新颖特征涉及集成器件(例如，集成封装)，其包括用于集成器件的基底部分、耦合至基底部分的第一表面的第一管芯(例如，第一晶片级管芯)、以及第一管芯与基底部分之间的底部填料。基底部分包括介电层以及一组重分布金属层本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种集成器件，包括：用于所述集成器件的基底部分，所述基底部分包括：介电层；以及一组重分布金属层；耦合至所述基底部分的第一表面的第一管芯；以及所述第一管芯与所述基底部分之间的底部填料。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2014.03.04 US 14/196,8171.一种集成器件，包括：用于所述集成器件的基底部分，所述基底部分包括：介电层；以及一组重分布金属层；耦合至所述基底部分的第一表面的第一管芯；以及所述第一管芯与所述基底部分之间的底部填料。2.如权利要求1所述的集成器件，其特征在于，进一步包括封装所述第一管芯的封装材料。3.如权利要求1所述的集成器件，其特征在于，进一步包括耦合至所述基底部分的第一表面的第二管芯。4.如权利要求3所述的集成器件，其特征在于，进一步包括，所述基底部分上的一组互连，所述一组互连电耦合所述第一管芯和所述第二管芯。5.如权利要求4所述的集成器件，其特征在于，所述第一管芯包括第一组互连柱并且所述第二管芯包括第二组互连柱，所述一组互连耦合至所述第一组互连柱和所述第二组互连柱同时绕过着陆焊盘。6.如权利要求4所述的集成器件，其特征在于，所述一组互连包括约40微米(μm)或更小的第一间距。7.如权利要求1所述的集成器件，其特征在于，所述第一管芯是第一晶片级管芯。8.如权利要求1所述的集成器件，其特征在于，所述第一管芯包括第一组互连柱，所述第一管芯通过所述第一组互连柱耦合至所述一组重分布金属层。9.如权利要求8所述的集成器件，其特征在于，所述第一组互连柱包括约40微米(μm)或更小的第一间距。10.如权利要求1所述的集成器件，其特征在于，所述集成器件被纳入在音乐播放器、视频播放器、娱乐单元、导航设备、通信设备、移动设备、移动电话、智能电话、个人数字助理、固定位置终端、平板式计算机、和/或膝上型计算机中的至少一者中。11.一种设备，包括：用于集成器件的基底部分，所述基底部分包括：介电层；以及重分布装置；耦合至所述基底部分的第一表面的第一管芯；以及用于封装所述第一管芯与所述基底部分之间的区域的装置。12.如权利要求11所述的设备，其特征在于，进一步包括封装所述第一管芯的封装装置。13.如权利要求11所述的设备，其特征在于，进一步包括耦合至所述基底部分的第一表面的第二管芯。14.如权利要求13所述的设备，其特征在于，进一步包括，所述基底部分上的一组互连，所述一组互连电耦合所述第一管芯和所述第二管芯。15.如权利要求14所述的设备，其特征在于，所述第一管芯包括第一组互连柱并且所述第二管芯包括第二组互连柱，所述一组互连耦合至所述第...

【专利技术属性】
技术研发人员：D·W·金，H·B·蔚，J·S·李，S·顾，
申请(专利权)人：高通股份有限公司，
类型：发明
国别省市：美国;US