一种音叉晶体封焊工艺制造技术

本发明专利技术公开了一种音叉晶体封焊工艺，包括以下步骤：（1）预操作：清洁待封器件表面杂物确保器件表面彻底清洁，再将待封器件置于80～100℃环境下烘烤1～1.5小时，降低器件腔内湿气；（2）氮气焊接：将待封器件所处空间注入氮气，在氮气环境下对器件长边进行封焊操作；（3）真空焊接：将待封器件所处空间抽真空，在真空环境下对器件短边进行封焊操作；（4）在设定好的检测环境中对器件进行捡漏操作，合格产品进入下一步流程。本发明专利技术通过变换器件长短边的封焊顺序，可以大大降低封焊时产生的气体，将封焊过程对器件电气特性的影响降到最低。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于半导体加工领域，具体涉及一种音叉晶体封焊工艺。
技术介绍
随着航空、航天技术的发展以及军用、民用等复杂电子装备的研制和大量生产，人们对电子元器件和微电子器件的质量与可靠性提出愈来愈苛刻的要求。因此，对器件进行性能优良的气密性封装，有效保护器件免受外界环境的影响至关重要。平行封焊属于电阻焊，在封焊时，电极在移动的同时转动(通过电极轮)，在一定的压力下电极之间断续通电，由于电极与盖板及盖板与焊框之间存在接触电阻，根据能量公式(Q=I2Rt)，焊接电流将在这2个接触电阻处产生焦耳热量，使其盖板与焊框之间局部形成熔融状态，凝固后形成焊点，从它的封焊轨迹看像一条封，所以也称为“缝焊”。在音叉晶体生产领域，因封焊时产生的气体对音叉特性影响很大，以前的封焊顺序参见图1，都是在氮气环境下先封焊短边，在真空环境下封焊长边。这样带来的弊端是由于在真空环境下封焊时间过长，封焊后较多气体产生，大大影响器件的电气特性。
技术实现思路
本专利技术的目的是克服现有技术中存在的问题，提供一种封焊效果好、对音叉晶体影响低的音叉晶体封焊工艺。为实现以上目的，本专利技术的技术解决方案是：一种音叉晶体封焊工艺，包括以下步骤：（1）预操作：清洁待封器件表面杂物确保器件表面彻底清洁，再将待封器件置于80～100℃环境下烘烤1～1.5小时，降低器件腔内湿气；（2）氮气焊接：将待封器件所处空间注入氮气，在氮气环境下对器件长边进行封焊操作；（3）真空焊接：将待封器件所处空间抽真空，在真空环境下对器件短边进行封焊操作；（4）在设定好的检测环境中对器件进行捡漏操作，合格产品进入下一步流程。所述步骤（4）中的检测环境为：温度25℃，高压一侧为1个大气压(101．33kPa)、低压一侧压力不大于0.013kPa，检验标准为泄漏率低于1×10-8Pa·m3／s。本专利技术通过变换器件长短边的封焊顺序，可以大大降低封焊时产生的气体，将封焊过程对器件电气特性的影响降到最低。附图说明图1是调整前后的封焊顺序对比图。具体实施方式以下结合附图说明和具体实施方式对本专利技术作进一步详细的说明。一种音叉晶体封焊工艺，包括以下步骤：（1）预操作：清洁待封器件表面杂物确保器件表面彻底清洁，再将待封器件置于80～100℃环境下烘烤1～1.5小时，降低器件腔内湿气；（2）氮气焊接：将待封器件所处空间注入氮气，在氮气环境下对器件长边进行封焊操作；（3）真空焊接：将待封器件所处空间抽真空，在真空环境下对器件短边进行封焊操作；（4）在温度25℃，高压一侧为1个大气压(101.33 kPa)、低压一侧压力不大于0.013 kPa的检测环境中对器件进行捡漏操作，若器件的泄漏率低于1×10-8Pa·m3／s则为合格产品，合格产品将进入下一步流程继续加工。新旧工艺的数据对比参见表1。表1 新旧工艺的数据对比（250B测试）本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种音叉晶体封焊工艺，包括以下步骤：（1）预操作：清洁待封器件表面杂物确保器件表面彻底清洁，再将待封器件置于80～100℃环境下烘烤1～1.5小时，降低器件腔内湿气；（2）氮气焊接：将待封器件所处空间注入氮气，在氮气环境下对器件长边进行封焊操作；（3）真空焊接：将待封器件所处空间抽真空，在真空环境下对器件短边进行封焊操作；（4）在设定好的检测环境中对器件进行捡漏操作，合格产品进入下一步流程。

【技术特征摘要】
1.一种音叉晶体封焊工艺，包括以下步骤：（1）预操作：清洁待封器件表面杂物确保器件表面彻底清洁，再将待封器件置于80～100℃环境下烘烤1～1.5小时，降低器件腔内湿气；（2）氮气焊接：将待封器件所处空间注入氮气，在氮气环境下对器件长边进行封焊操作；（3）真空焊接：将待封器件所处空间抽真空，在真空环境下对器件短边...

【专利技术属性】
技术研发人员：王金涛，杨勇，叶秀忠，
申请(专利权)人：随州泰华电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：湖北;42