一种半导体光源组装及生产方法技术

技术编号:13944830 阅读:114 留言:0更新日期:2016-10-30 01:37
本发明专利技术公开了一种半导体光源组装及生产方法,其中该方法包括:镀膜切割步骤,对晶元进行排列得到晶元阵列,对所述晶元阵列进行镀膜并切割,得到晶片;固晶步骤,对晶片的电极与基板的相应电极进行配对,采用预设焊接工艺,对晶片与基板的配对电极进行焊接,从而将所述晶片组装到基板上,得到半导体光源。本发明专利技术将没有进行封装的晶片直接组装到基板上,避免了将封装级光源颗粒组装到基板上而带来的光源颗粒断线问题,有助于提高半导体光源的良品率及可靠性,并降低半导体光源的生产成本。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体照明
,具体地说,涉及一种半导体光源组装及生产方法
技术介绍
目前半导体照明产业链通常被分为上游芯片、中游封装、下游组装应用这三个产业环节。不同的产业环节代表了不同的生产加工工艺及
,同时各个产业环节都对下环节提供其最终产品,并最终由下游组装应用环节形成最终的照明产品。对应于上述三个产业环节,目前传统半导体光源的制作通常是由上游完成成品LED芯片,在中游封装环节完成LED芯片的封装(即形成封装级LED光源颗粒),并最终在下游组装应用环节由下游环节直接将封装级LED光源颗粒组装在基板上,从而加工形成LED光源。传统的半导体照明生产工艺中,在中游封装环节形成的封装级LED光源颗粒并不适合柔性基板的组装。由于柔性基板具有易弯折的特性,所以在将封装级LED光源颗粒组装到柔性基板上时特别容易造成组装在柔性基板上部的LED光源颗粒电极产生断线,所以也就导致了下游组装应用环节在进行LED光源颗粒组装时良品率较低。基于上述情况,亟需一种能够有效提高半导体光源成品率的半导体光源组装方法。
技术实现思路
为解决上述问题,本专利技术提供了一种半导体光源组装方法,所述方法包括:对晶元的电极与基板的相应电极进行配对;采用预设焊接工艺,对晶元与基板的配对电极进行焊接。根据本专利技术的一个实施例,所述预设焊接工艺包括以下所列项中的任一项:a、通过热超声共晶方式将所述晶元与基板的配对电极共晶焊接;b、首先锡膏印刷到基板上,随后将所述晶元放置到基板相应位置的锡膏上,并进行回流焊接;c、首先将导电粘接剂点到基板上,随后将所述晶元放置到基板相应位置的导电粘接剂上,并进行烘烤或热压。根据本专利技术的一个实施例,所述基板为柔性基板。根据本专利技术的一个实施例,所述为晶元采用双电极及水平电极结构的正装晶片或倒装晶元。本专利技术还提供了一种半导体光源生产方法,所述方法包括:镀膜切割步骤,对晶元进行排列得到晶元阵列,对所述晶元阵列进行镀膜并切割,得到晶片;固晶步骤,采用如上所述的半导体光源组装方法,将所述晶片组装到基板上,得到半导体光源。根据本专利技术的一个实施例,所述方法还包括:晶元分选步骤,根据预设晶元分选参数,对来料晶元进行分选,得到所需要的晶元。根据本专利技术的一个实施例,所述预设晶元分选参数包括以下所列项中的一项或几项:正向电压、光辐射功率、发光波长、反向电流、抗静电参数。根据本专利技术的一个实施例,所述方法还包括:原片切割步骤,根据原片地图,对晶元原片进行切割,得到所需要的晶元。根据本专利技术的一个实施例,所述镀膜切割步骤包括:将由荧光粉和胶水混合制成的荧光膜或荧光胶覆盖到所述晶元阵列上;对覆有荧光膜或荧光胶的晶元阵列进行切割,得到晶片。根据本专利技术的一个实施例,在所述镀膜切割步骤中,在对晶元进行排列时,根据所述预设晶元分选参数,对分选后的晶元进行配对,对配对晶元进行排列,得到晶元阵列;在切割时,以配对晶元为单位对所述晶元阵列进行切割,得到晶片。本专利技术还提供了一种半导体光源生产方法,所述方法包括:晶元组装步骤,将晶元进行排列得到晶元阵列,采用如上所述的半导体光源组装方法,将所述晶元阵列与基板进行组装,实现晶元的无封装组装;镀膜切割步骤,对组装到基板上的晶元阵列进行镀膜并切割,得到半导体光源。根据本专利技术的一个实施例,所述方法还包括:晶元分选步骤,根据预设晶元分选参数,对来料晶元进行分选,得到所需要的晶元。根据本专利技术的一个实施例,所述预设晶元分选参数包括以下所列项中的至少一项:正向电压、光辐射功率、发光波长、反向电流、抗静电参数。根据本专利技术的一个实施例,所述方法还包括:原片切割步骤,根据原片地图,对晶元原片进行切割,得到所需要的晶元。根据本专利技术的一个实施例,在所述镀膜切割步骤中,将由荧光粉和胶水混合制成荧光膜或荧光胶的荧光膜或荧光胶覆盖到组装在基板上的晶元阵列上;对覆有荧光膜或荧光胶的晶元阵列进行切割,得到半导体光源。根据本专利技术的一个实施例,在对晶元进行排列时,对分选后的晶元进行配对,对配对晶元进行排列,得到晶元阵列;在切割时,以配对晶元为单位对所述晶元阵列进行切割,得到半导体光源。本专利技术将没有进行封装的晶片组装到基板上,相较于现有的封装级光源芯片,没有进行封装的晶片不存在支架结构和导线结构。这样,通过将晶片直接与基板进行组装,就避免了现技术中将封装级光源颗粒组装到基板上而带来的光源颗粒断线问题。本方法有助于大幅提高半导体光源的良品率,并降低半导体光源的生产成本。同时,因为本方法不存在断线问题,这也也能够提高半导体光源的可靠性。同时,对比现有的半导体光源产业链可以看出,本专利技术提供的半导体光源生产方法不需要封装环节,这也使得本方法从生产环节上较少了封装步骤,节省了封装工艺中芯片支架结构和导线结构,这样进一步去减小了半导体光源的生产成本。本专利技术的其它特征和优点将在随后的说明书中阐述,并且,部分地从说明书中变得显而易见,或者通过实施本专利技术而了解。本专利技术的目的和其他优点可通过在说明书、权利要求书以及附图中所特别指出的结构来实现和获得。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要的附图做简单的介绍:图1是根据本专利技术的一个实施例的半导体光源生产流程图;图2是根据本专利技术的另一个实施例的半导体光源生产流程图。具体实施方式以下将结合附图及实施例来详细说明本专利技术的实施方式,借此对本专利技术如何应用技术手段来解决技术问题,并达成技术效果的实现过程能充分理解并据以实施。需要说明的是,只要不构成冲突,本专利技术中的各个实施例以及各实施例中的各个特征可以相互结合,所形成的技术方案均在本专利技术的保护范围之内。同时,在以下说明中,出于解释的目的而阐述了许多具体细节,以提供对本专利技术实施例的彻底理解。然而,对本领域的技术人员来说显而易见的是,本专利技术可以不用这里的具体细节或者所描述的特定方式来实施。另外,在附图的流程图示出的步骤可以在诸如一组计算机可执行指令的计算机系统中执行,并且,虽然在流程图中示出了逻辑顺序,但是在某些情况下,可以以不同于此处的顺序执行所示出或描述的步骤。实施例一:在传统的半导体照明生产工艺中,中游封装环节生产得到的封装级LED光源颗粒在组装到柔性基板时,由于柔性基板易弯折的特性,使得组装过程的良品率较低。这也就使得LED光源的生产成本增加,给LED光源的发展以及应用带来不利影响。本专利技术通过对传统半导体生产工艺以及造成封装级LED光源颗粒出现断线的原因进行细致地分析,提出了一种采用不对LED晶片进行封装,而是直接与基板进行组装的半导体光源生产方法,图1示出了本实施例中该方法的流程图。如图1所示,本实施例在步骤S101中根据预设晶元分选参数,对来料晶元进行分选。其中,本实施例中,来料晶元为采用正装结构或倒装结构的晶元,进一步地说,来料晶元可以为采用双电极及水平电极的正装结构或倒装结构的晶元,但本专利技术不限于此。本实施例中,预设晶元分选参数包括正向电压、光辐射功率、发光波长、反向电流和抗静电参数。这些参数可以使用相应的检测设备检测得到。需要说明的是,在本专利技术的其他实施例中,预设晶元分选参数可以为以上所列项中的任一项或几项,预设晶元分选参数也可以包括其他合理参数,本专利技术不限于此。为了使得最终生产出的半导体光源能够发出所需本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体光源组装方法,其特征在于,所述方法包括:对晶元的电极与基板的相应电极进行配对;采用预设焊接工艺,对晶元与基板的配对电极进行焊接。

【技术特征摘要】
1.一种半导体光源组装方法,其特征在于,所述方法包括:对晶元的电极与基板的相应电极进行配对;采用预设焊接工艺,对晶元与基板的配对电极进行焊接。2.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述预设焊接工艺包括以下所列项中的任一项:a、通过热超声共晶方式将所述晶元与基板的配对电极共晶焊接;b、首先锡膏印刷到基板上,随后将所述晶元放置到基板相应位置的锡膏上,并进行回流焊接;c、首先将导电粘接剂点到基板上,随后将所述晶元放置到基板相应位置的导电粘接剂上,并进行烘烤或热压。3.如权利要求1或2所述的方法,其特征在于,所述基板为柔性基板。4.如权利要求1~3中任一项所述的方法,其特征在于,所述为晶元采用双电极及水平电极结构的正装晶片或倒装晶元。5.一种半导体光源生产方法,其特征在于,所述方法包括:镀膜切割步骤,对晶元进行排列得到晶元阵列,对所述晶元阵列进行镀膜并切割,得到晶片;固晶步骤,采用如权利要求1~4中任一项所述的方法,将所述晶片组装到基板上,得到半导体光源。6.如权利要求5所述的方法,其特征在于,所述方法还包括:晶元分选步骤,根据预设晶元分选参数,对来料晶元进行分选,得到所需要的晶元。7.如权利要求6所述的方法,其特征在于,所述预设晶元分选参数包括以下所列项中的一项或几项:正向电压、光辐射功率、发光波长、反向电流、抗静电参数。8.如权利要求5所述的方法,其特征在于,所述方法还包括:原片切割步骤,根据原片地图,对晶元原片进行切割,得到所需要的晶元。9.如权利要求5~8中任一项所述的方法,其特征在于,所述镀膜切割步骤包括:将由荧光粉和胶水混合制成的荧光膜或荧光胶覆...

【专利技术属性】
技术研发人员:袁长安梁润园方涛
申请(专利权)人:常州市武进区半导体照明应用技术研究院
类型:发明
国别省市:江苏;32

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