垂直磁记录介质和磁记录再现装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供垂直磁记录介质和磁记录再现装置。本发明专利技术的垂直磁记录介质是在非磁性基板上依次至少层叠背衬层、基底层、中间层、垂直磁记录层而成的，其中，所述背衬层至少具备具有非晶质结构的软磁性膜，所述基底层是从所述非磁性基板侧起层叠第1基底层和第2基底层而成的，所述第1基底层由非晶质结构的TiV合金构成，所述第2基底层包含NiW合金，所述中间层包含Ru或Ru合金，具有所述非晶质结构的软磁性膜、第1基底层、第2基底层相接地设置。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及在硬盘装置(HDD)等中使用的垂直磁记录介质和磁记录再现装置。本专利技术根据2015年4月13日在日本申请的日本特愿2015-081658号主张优先权，并将其内容引用于此。
技术介绍
垂直磁记录方式是如下的方式：通过使以往朝向介质的面内方向的磁记录层的易磁化轴朝向介质的垂直方向，使得作为记录比特间的边界的磁化转移区域附近的反磁场减小，所以，记录密度越高，越是静磁稳定且热波动耐性提高，因此，适合于面记录密度的提高。垂直磁记录介质是在非磁性基板上依次层叠背衬层、基底层、中间层和垂直磁记录层而成的。在非磁性基板与垂直磁记录层之间设置了由软磁性材料构成的背衬层的情况下，作为所谓的垂直双层介质发挥功能，能够得到较高的记录能力。此时，软磁性背衬层发挥使来自磁头的记录磁场回流的作用，由此，能够提高记录再现效率。并且，基底层是决定设置在其上方的中间层和垂直磁记录层的粒径和取向的支配性要素，所以，为了决定磁记录介质的记录再现特性，其材料的选择非常重要。因此，提出了基底层所使用的各种材料。例如，可以举出Ti合金(例如参照专利文献1)、NiFeCr合金(例如参照专利文献2)等hcp结构或fcc结构、以及Ta等非晶质结构等。并且，在专利文献4中记载了使用将Ni、Cu、Pt、Pd中的任意一种作为主成分且包含Ti、V、Ta、Cr、Mo、W中的任意一种以上的添加元素的合金作为基底层。提出了使用Ru作为中间层(参照专利文献5)。并且，已知Ru在柱状晶的顶部形成圆顶状的凸部，所以，具有如下效果：使记录层等晶粒子在该凸部上成长，促进所成长的晶粒子的分离结构，使晶粒子孤立化，使磁性粒子成长为柱状(参照专利文献6)。并且，在专利文献7中公开了使用包含fcc结构的元素和bcc结构的元素的fcc结构的合金层与NiW合金层的层叠结构作为基底层。并且，在专利文献8中公开了对于面内取向的磁记录介质的基底层使用TiV。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特许第2669529号公报专利文献2：日本特开2003-123239号公报专利文献3：日本特开2007-179598号公报专利文献4：日本特开2010-92525号公报专利文献5：日本特开平7-244831号公报专利文献6：日本特开2007-272990号公报专利文献7：日本特开2012-069230号公报专利文献8：日本特开2004-227717号公报
技术实现思路
针对磁记录介质的高记录密度化的要求不会停止，要求能够进一步实现高记录密度化的磁记录介质。针对该课题，以往，尝试提供如下的垂直磁记录介质和具有该垂直磁记录介质的磁记录再现装置：通过实现使用了NiW合金的基底层的晶粒的微细化，实现形成在其上方的中间层、磁记录层的晶粒的微细化、取向性的提高，电磁转换特性优良，能够应对高记录密度化。作为实现这种技术的方法，多数情况下，主要在非晶质结构的背衬层与NiW基底层之间设置fcc结构的微晶层，以实现NiW层的微晶化。但是，该尝试存在极限，存在使NiW层过度微晶化时，形成在其上方的中间层的取向性降低这样的问题。本专利技术是鉴于这种现有情况而提出的，其目的在于，提供如下的垂直磁记录介质和具有该垂直磁记录介质的磁记录再现装置：提供能够同时实现使用了NiW合金的基底层的晶粒的微细化和较高晶体取向性的基底层，实现形成在其上方的中间层、磁记录层的晶粒的微细化、取向性的提高，电磁转换特性优良，能够应对高记录密度化。为了解决上述课题，本专利技术采用以下手段。(1)一种垂直磁记录介质，其是在非磁性基板上依次至少层叠背衬层、基底层、中间层和垂直磁记录层而成的，其特征在于，所述背衬层至少具备具有非晶质结构的软磁性膜，所述基底层是从所述非磁性基板侧起层叠第1基底层和第2基底层而成的，所述第1基底层由非晶质结构的TiV合金构成，所述第2基底层包含NiW合金，所述中间层包含Ru或Ru合金，具有所述非晶质结构的软磁性膜、第1基底层、第2基底层相接地设置。(2)根据(1)所述的垂直磁记录介质，其特征在于，所述TiV合金中包含的V的量在10原子％(原子百分比)～80原子％的范围内。(3)根据(1)或(2)中的任意一项所述的垂直磁记录介质，其特征在于，所述第1基底层的膜厚在0.2nm～5nm的范围内。(4)一种磁记录再现装置，其特征在于，所述磁记录再现装置具有：(1)～(3)中的任意一项所述的垂直磁记录介质；以及向所述垂直磁记录介质写入信息的单磁极磁头。根据本专利技术，能够提供如下的垂直磁记录介质和磁记录再现装置：通过使基底层成为由非晶质结构的TiV合金构成的第1基底层以及由NiW合金层构成的第2基底层的双层结构，实现形成在基底层上方的中间层、垂直磁记录层的晶粒的微细化、粒度分布的均匀化、取向性的提高，电磁转换特性优良，能够应对高记录密度化。附图说明图1是示出应用了本专利技术的垂直磁记录介质的一例的剖视图。图2是示出应用了本专利技术的磁记录再现装置的一例的立体图。标号说明1：非磁性基板；11：紧密贴合层；2：背衬层；3：第1基底层；4：第2基底层；5：中间层；6：垂直磁记录层；7：保护层；8：第1软磁性膜；9：Ru膜；10：第2软磁性膜；50：垂直磁记录介质；51：介质驱动部；52：磁头；53：磁头驱动部；54：记录再现信号处理系统。具体实施方式下面，参照附图对应用了本专利技术的垂直磁记录介质和磁记录再现装置进行详细说明。另外，在以下说明所使用的附图中，为了容易理解特征，有时放大示出成为特征的部分以便于说明，各结构要素的尺寸比率等不一定与实际相同。并且，以下说明中例示的材料、尺寸等仅为一例，本专利技术不限于此，可以在能够发挥本专利技术的效果的范围内适当变更来实施。(垂直磁记录介质)例如图1所示，应用了本专利技术的本实施方式的垂直磁记录介质成为如下结构，在非磁性基板1的两面依次层叠紧密贴合层11、背衬层2、第1基底层3(基底层)、第2基底层4(基底层)、中间层5、垂直磁记录层6、保护层7，并且，在最上层形成润滑膜(图1中省略)。另外，在图1中仅图示了非磁性基板1的一个面。其中，作为非磁性基板1，例如可以使用由铝、铝合金等金属材料构成的金属基板，也可以使用由玻璃、陶瓷、硅、碳化硅、碳等非金属材料构成的非金属基板。并且，作为构成非磁性基板1的玻璃基板，例如可以使用非晶质玻璃、晶体玻璃，进而，作为非晶质玻璃，可以使用通用的钠钙玻璃、铝硅酸盐玻璃等。另一方面，作为晶体玻璃，可以使用锂系晶体玻璃等。非磁性基板1的平均表面粗糙度Ra为0.8nm以下，优选为0.5nm以下，这从提高记录密度这点来看是优选的。并且，非磁性基板1的表面的微小起伏(Wa)为0.3nm以下，优选为0.25nm以下，这从减小磁头的悬浮高度而进行高记录密度记录这点来看是优选的。这样，通过使非磁性基板1的表面变得平坦，能够提高中间层5和垂直磁记录层6的晶体取向，能够提高记录再现特性，并且，能够减小磁头悬浮高度。并且，如后所述，非磁性基板1与将Co或Fe作为主成分的背衬层2相接，由此，由于表面的吸附气体、水分的影响、基板成分的扩散等，可能产生腐蚀。因此，优选在非磁性基板1与背衬层2之间设置紧密贴合层11。另外，作为紧密贴合层11的材料，例如可以适当选择Cr、Cr合金、Ti、Ti合金等。并且，紧密贴合层11的厚本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种垂直磁记录介质，其是在非磁性基板上依次至少层叠背衬层、基底层、中间层和垂直磁记录层而成的，其特征在于，所述背衬层至少具备具有非晶质结构的软磁性膜，所述基底层是从所述非磁性基板侧起层叠第1基底层和第2基底层而成的，所述第1基底层由非晶质结构的TiV合金构成，所述第2基底层包含NiW合金，所述中间层包含Ru或Ru合金，所述具有非晶质结构的软磁性膜、第1基底层、第2基底层相接地设置。

【技术特征摘要】
2015.04.13 JP 2015-0816581.一种垂直磁记录介质，其是在非磁性基板上依次至少层叠背衬层、基底层、中间层和垂直磁记录层而成的，其特征在于，所述背衬层至少具备具有非晶质结构的软磁性膜，所述基底层是从所述非磁性基板侧起层叠第1基底层和第2基底层而成的，所述第1基底层由非晶质结构的TiV合金构成，所述第2基底层包含NiW合金，所述中间层包含Ru或Ru合金，所述具...

【专利技术属性】
技术研发人员：徐晨，黑川刚平，
申请(专利权)人：昭和电工株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP