【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】相关申请的交叉参考本专利申请是于2015年1月27日提交的题为“Two-Transistor SRAM Circuits and Methods of Operation”的美国专利申请No.14/607,023的继续申请;它是2015年1月6日提交的题为“Cross-Coupled Thyristor SRAM Circuits and Methods of Operation”的美国专利申请No.14/590,834的继续申请。其涉及同一日期提交的题为“Six-Transistor SRAM Circuits and Methods of Operation”的美国专利申请No.14/740,209,它们每一个都要求于2014年9月25日提交的美国临时专利申请No.62/055,582的优先权,其连同本申请中引用的全部其他参考文献一起并入本文中。
本专利技术涉及具有存储器功能的集成电路器件,具体而言,涉及静态随即存取存储器(SRAM)器件。
技术介绍
从1950年代末专利技术集成电路以来,电路设计一直在不断发展,特别是对于集成器件,与开发半导体技术是一致的。早期的技术是双极技术,与后来的集成电路技术相比,其占用了半导体衬底表面上的大量空间,并需要大量的电流而由此产生高功耗。稍后的场效应技术,特别是MOS(金属氧化物半导体)技术,使用晶体管,与它们的双极型对手相比小得多,具有较低电流,因而具有低功耗。CMOS(互补MOS)技术更进一步降低了集成电路中的电流和功耗。目前几乎所有大规模集成电路已经转向了互补金属氧化物半导体(CMOS)技术。用于半导体存储器的 ...
【技术保护点】
在具有由多条位线和字线互连的存储器单元的阵列的集成电路中,每一个存储器单元都包括:至少一个晶闸管,所述至少一个晶闸管具有第一半导体端子区和第二半导体端子区以及第一中间半导体区和第二中间半导体区,所述第一端子区连接到位线或字线,并且所述第二端子区连接到所述字线或所述位线,第一中间区邻接所述第一端子区,并且所述第二中间区邻接所述第一中间区和所述第二端子区,所述端子区和所述中间区具有交替的极性;MOSFET晶体管,所述MOSFET晶体管具有:连接到控制线的栅极端子;连接到所述晶闸管的第一端子区或者是所述晶闸管的第一端子区的部分的第一源极/漏极区;和连接到与所述晶闸管的第一端子区不邻接的中间区或者是与所述晶闸管的第一端子区不邻接的所述中间区的部分的第二源极/漏极区;其中,所述MOSFET晶体管提供电路径,用于对所述晶闸管区进行充电和放电,以加快所述存储器单元的写操作。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2014.09.25 US 62/055,582;2015.01.06 US 14/590,834;1.在具有由多条位线和字线互连的存储器单元的阵列的集成电路中,每一个存储器单元都包括:至少一个晶闸管,所述至少一个晶闸管具有第一半导体端子区和第二半导体端子区以及第一中间半导体区和第二中间半导体区,所述第一端子区连接到位线或字线,并且所述第二端子区连接到所述字线或所述位线,第一中间区邻接所述第一端子区,并且所述第二中间区邻接所述第一中间区和所述第二端子区,所述端子区和所述中间区具有交替的极性;MOSFET晶体管,所述MOSFET晶体管具有:连接到控制线的栅极端子;连接到所述晶闸管的第一端子区或者是所述晶闸管的第一端子区的部分的第一源极/漏极区;和连接到与所述晶闸管的第一端子区不邻接的中间区或者是与所述晶闸管的第一端子区不邻接的所述中间区的部分的第二源极/漏极区;其中,所述MOSFET晶体管提供电路径,用于对所述晶闸管区进行充电和放电,以加快所述存储器单元的写操作。2.根据权利要求1所述的存储器单元,其中,所述多条位线包括多个互补位线对,并且其中,所述存储器单元进一步包括:第二晶闸管,所述第二晶闸管具有第一半导体端子区和第二半导体端子区以及第一中间半导体区和第二中间半导体区,所述第一端子区连接到互补位线或字线,并且所述第二端子区连接到字线或所述互补位线,第一中间区邻接所述第一端子区,并且所述第二中间区邻接所述第一中间区和所述第二端子区,所述端子和中间区具有交替的极性,所述第一中间区连接到所述第一晶闸管的第二中间区,并且所述第二中间区连接到所述第一晶闸管的第一中间区,以使得所述第一晶闸管和所述第二晶闸管交叉耦合;第二MOSFET晶体管,所述第二MOSFET晶体管具有:连接到控制线的栅极端子;连接到所述第二晶闸管的第一端子区或者是所述第二晶闸管的第一端子区的部分的第一源极/漏极区;和连接到与所述第二晶闸管的第一端子区不邻接的中间区或者是与所述第二晶闸管的第一端子区不邻接的所述中间区的部分的第二源极/漏极区;其中,所述第二MOSFET晶体管提供电路径,用于充电和放电所述第一晶闸管区和所述第二晶闸管区,以加快所述存储器单元的写操作。3.根据权利要求2所述的存储器单元,其中,两个晶闸管的第一端子区包括阳极,并且两个晶闸管的第二端子区包括阴极,所述第一晶闸管的阳极连接到互补位线对中的一条位线,所述第二晶闸管的阳极连接到所述互补位线对中的另一条位线,并且所述第一晶闸管和第二晶闸管的阴极连接到所述字线。4.根据权利要求3所述的存储器单元,其中,所述第一MOSFET晶体管和第二MOSFET晶体管包括PMOS晶体管。5.根据权利要求4所述的存储器单元,进一步包括:第一电容器,所述第一电容器连接在所述第一晶闸管的第一中间区与所述控制线之间;以及第二电容器,所述第二电容器连接在所述第二晶闸管的第一中间区与所述控制线之间。6.根据权利要求1所述的存储器单元,其中,所述至少一个晶闸管由55nm或更精细的临界尺寸来限定。7.根据权利要求2所述的存储器单元,其中,两个晶闸管的第一端子区包括阳极,并且两个晶闸管的第二端子区包括阴极,所述第一晶闸管和所述第二晶闸管的阳极连接到所述字线,所述第一晶闸管的阴极连接到互补位线对中的一条位线,并且所述第二晶闸管的阴极连接到所述互补位线对中的另一条位线。8.根据权利要求7所述的存储器单元,其中,所述第一MOSFET晶体管和第二MOSFET晶体管包括PMOS晶体管。9.根据权利要求1所述的存储器单元,其中,所述至少一个晶闸管的第一端子区包括阳极,并且所述至少一个晶闸管的第二端子区包括阴极,所述阳极连接到所述位线,并且所述阴极连接到所述字线。10.根据权利要求9所述的存储器单元,其中,所述MOSFET晶体管包括PMOS晶体管。11.根据权利要求9所述的存储器单元,进一步包括:第二MOSFET晶体管,所述第二MOSFET晶体管具有:连接到第二控制线的栅极端子;连接到所述晶闸管的第二端子区或者是所述晶闸管的第二端子区的部分的第一源极/漏极区;和连接到与所述晶闸管的第二端子区不邻接的中间区或者是所述晶闸管的第二端子区不邻接的所述中间区的部分的第二源极/漏极区。12.根据权利要求11所述的存储器单元,其中,所述第二MOSFET晶体管包括NMOS...
【专利技术属性】
技术研发人员:H·栾,B·贝特曼,V·阿克赛尔拉德,C·程,C·谢瓦利尔,
申请(专利权)人:克劳帕斯科技有限公司,
类型:发明
国别省市:美国;US
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