整流桥控制电路制造技术

技术编号:13910785 阅读:68 留言:0更新日期:2016-10-27 02:22
提供了整流桥控制电路。一种AC/DC变换器,包括第一端子和第二端子,用于接收交流电压,以及第三端子和第四端子,用于传递直流电压。整流桥设置在变换器中。可控开关或者整流元件具有被配置为接收控制电流的控制端子。第一开关,耦合在供电电压和控制端子之间,以注入控制电流。第二开关,耦合在供电端子和参考电压之间,以汲取控制电流。第一和第二开关选择性地由控制电路启动。

【技术实现步骤摘要】
相关申请的交叉引用本申请要求于2015年4月7日的申请号为15/52983的法国专利的优先权,其内容通过参考其全文并入至法律所允许的最大程度结合于此。
本公开涉及电子设备,并且特别涉及交流到直流(AC/DC)变换器。本公开一般而言应用于使用整流桥的任何系统,例如,用于控制电动机、电动充电器、开关电源等的电路。
技术介绍
基于可以是可控的(例如,晶体管)或者不可控的(例如,二极管)的整流元件,作为整流桥安装,采用AC电压供电并传递DC电压的许多AC/DC变换器架构是已知的,该DC电压本身可能转变回至AC电压。通常希望最小化待机时的功耗,即变换器采用AC电压供电但是没有负载从输出端汲取功率时的功耗。进一步地,通常希望限制浪涌电流,即只要在跨整流桥输出的电容器的电压未达到足够大的值,特别是在启动阶段,AC电压的每个半波中出现的电流峰值。美国专利号5,715,154,美国专利申请公开号2002/0080630,以及日本公开号JPS62135269描述了AC/DC变换器的示例(通过引用并入所有参考文献)。
技术实现思路
一个实施例克服了普通功率变换器控制电路的所有或者部分缺
点。一个实施例提供了减小待机损耗的变换器启动电路方案。因此,一个实施例提供了一种AC/DC变换器,包括:第一端子和第二端子,用来接收交流电压;第三端子和第四端子,用来提供第一直流电压;具有分别连接到第一和第二端子的输入端子的整流桥;以及具有分别通过可控开关元件耦合到第三端子和连接到第四端子的输出端子,或者具有分别连接到第三和第四端子的输出端子,分别将第一和第二端子耦合至第三端子的桥的两个可控整流元件。根据一个实施例,用于控制开关元件的电极或者用于控制整流元件的电极,通过第一开关耦合至用于提供正向电位的端子以及通过第二开关耦合至第四端子。根据一个实施例,变换器进一步包括用于提供正向电位的电路,通过至少一个二极管耦合到第一端子。根据一个实施例,变换器进一步包括用于控制第一开关和第二开关的微控制器,由正向电位供电。根据一个实施例,第一开关是PNP类型的双极晶体管或者P沟道MOS晶体管,第二开关是NPN类型的双极晶体管或者N沟道MOS晶体管。根据一个实施例,开关元件是双向晶闸管。根据一个实施例,开关元件是能够由注入电流至栅极并从栅极汲取电流控制的阴极-栅极晶体管。根据一个实施例,可控开关元件是能够由注入电流至栅极并从栅极汲取电流控制的阴极-栅极晶体管。一个实施例提供了一种控制变换器的方法,其中在第一阶段,第一开关注入电流至开关元件或者整流元件的栅极,之后,在第二阶段,第二开关从开关元件或者整流元件汲取栅极电流。根据一个实施例,在第二阶段,开关元件和整流元件被控制在相角以限制浪涌电流。附图说明将结合附图在具体实施例的下述非限制性描述中讨论前述以及其它特征和优点,其中:图1显示了AC/DC变换器的一个实施例;图2A、2B、2C、2D和2E示出了图1的变换器的操作时序图;图3显示了AC/DC变换器的另一个实施例;图4显示了AC/DC变换器的另一个实施例的细节;图5是具有正向栅极电流的阴极-栅极晶体管的一个实施例的简化截面图;以及图6是具有负向栅极电流的阴极-栅极晶体管的一个实施例的简化截面图。具体实施方式在不同附图中相同的元件用相同的标号指示。特别地,对于不同实施例通用的结构和/或功能元件采用相同的标号指示并可以具有一致的结构、尺寸和材料特性。为清楚起见,仅仅显示并详细说明了有助于理解所述实施例的那些步骤和元件。特别地,没有详细描述由功率变换器供电的电路,所述实施例是符合普通应用的。在本公开中,术语“连接”表示两个元件之间的直接连接,而术语“耦合”和“链接”表示两个元件之间的连接可以是直接的或者通过一个或者多个其它元件的。当引用术语“大致”、“近似地”或者“大约”时,这表示在10%范围内,优选为5%范围内。图1原理性地显示了AC/DC变换器的一个实施例。两个输入端子12和14旨在于接收AC电压Vac,例如,配电网的电压(例如,230或者120V,50或者60Hz)。端子12连接到整流桥3(例如,全波)的第一整流输入端子32,其具有第二整流输入端子34连接到端子14。桥3的第一整流的输出端子36通过开关(在本示例中是双向晶闸管T)耦合到提供高电位的DC电压Vdc的第一输出端子16。桥3的第二整流的输出端子38连接到提供低电位的DC
电压Vdc的第二输出端子18。在图1的示例中,端子38和18定义了组件的参考电位(地),于是输出电压Vdc是正的。存储和平滑电容器C0耦合端子16和18。在本示例中,整流桥3由四个二极管D31、D33、D35和D37形成。二极管D31和D33分别耦合端子32和34至端子36(二极管D31和D33的阴极在端子36的一侧),以及二极管D35和D37分别耦合端子32和34至端子38(二极管D35和D37的阳极位于端子38的一侧)。端子36和38之间的电压Vr对应于整流的且未滤波的电压Vac。双向晶闸管T具有控制输出电源的功能。其被控制在脉冲模式,即控制电路2在交流电压Vac的每个半波施加脉冲在其栅极。然后,双向晶闸管T保持导通直到其传导的电流消失。控制电路2包括负责产生双向晶闸管T的控制脉冲的数字电路22,例如,微控制器(μC)。微控制器22接收不同的参考值CT或者检测值,以根据其中通过变换器供电的负载的需求在正确的时刻产生脉冲。微控制器22由桥3供电,即不需要提供直接从电压Vac采样电源的辅助电路。在所示示例中,电源电路24(PW)是在端子36和38之间与电容元件C1串联连接的。用于为微控制器22供电的两个端子222和224连接到传递电源电压Vdd的电容C1的两端。电路24具有调节电压Vdd的功能,使得其保持符合微控制器的电源需求。实际上,相比于电压Vac、Vr和Vdc,电压Vdd是低压。典型地,电压Vdd是低于10V的。作为一个示例,电路24可以是开关电源。于是其形式为由集成电路调节电压Vdd控制的MOS晶体管。这种MOS晶体管通常控制电感或者磁性变压器的初级。微控制器22控制耦合端子222(在电位Vdd)至双向晶闸管T的栅极的第一晶体管T1。在图1的示例中,晶体管T1是PNP类型的双极晶体管,具有其发射极连接到端子222,以及其集电极通过与可选电阻R1串联连接的二极管D1耦合到双向晶闸管T的栅极。晶体
管T1的基极可选地通过电阻器R2耦合到微控制器22的第一输出端子。微控制器22还控制用于控制双向晶闸管T的第二晶体管T2。在图1的示例中,晶体管T2是NPN类型的双极晶体管,具有其发射极连接到地38,以及其集电极通过与电阻器R3连接到双向晶闸管T的栅极。晶体管T2的基极可选地通过电阻R4耦合到微控制器22的第二输出端子。图2A、2B、2C、2D和2E是图1的变换器在启动时的操作时序图。图2A显示了电压Vac的形状的一个示例。图2B显示了电压Vdd的对应形状。图2C显示了双向晶闸管T的栅极电流Ig的形状。图2D显示了从交流电源采样的电流Iac的形状。图2E显示了电压Vdc的对应形状。最初,电容器C0和C1被放电。因此,微控制器22未上电,并且双向晶闸管T关断。当AC电源V本文档来自技高网
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【技术保护点】
一种交流至直流(AC/DC)变换器,包括第一端子和第二端子,被配置为接收交流电压;第三端子和第四端子,被配置为提供第一直流电压;整流桥,所述整流桥具有分别连接到所述第一端子和所述第二端子的输入子端,以及进一步具有输出端子;可控开关元件,所述可控开关元件耦合在所述输出端子中的一个输出端子和所述第三端子之间,所述可控开关元件具有控制电极;第一开关,所述第一开关将所述控制电极耦合至用于提供正向电位的端子;以及第二开关,所述第二开关将所述控制电极耦合至所述第四端子。

【技术特征摘要】
2015.04.07 FR 15529831.一种交流至直流(AC/DC)变换器,包括第一端子和第二端子,被配置为接收交流电压;第三端子和第四端子,被配置为提供第一直流电压;整流桥,所述整流桥具有分别连接到所述第一端子和所述第二端子的输入子端,以及进一步具有输出端子;可控开关元件,所述可控开关元件耦合在所述输出端子中的一个输出端子和所述第三端子之间,所述可控开关元件具有控制电极;第一开关,所述第一开关将所述控制电极耦合至用于提供正向电位的端子;以及第二开关,所述第二开关将所述控制电极耦合至所述第四端子。2.根据权利要求1所述的变换器,进一步包括电路,所述电路被配置为使用耦合到所述第一端子的至少一个二极管传递所述正向电位。3.根据权利要求1所述的变换器,进一步包括微控制器,所述微控制器被配置为控制所述第一开关和所述第二开关的控制激励。4.根据权利要求3所述的变换器,其中:所述微控制器用于在交流电压的初始阶段启动时,激活所述第一开关,然后在紧随所述初始阶段的交流电压的阶段,周期性地激活所述第二开关。5.根据权利要求3所述的变换器,其中:在第一阶段,所述微控制器用于激活所述第一开关,以注入电流至的所述可控开关元件的所述控制电极,之后,在第二阶段,所述微控制器用于激活所述第二开关,以从所述可控开关元件的控制电极汲取电流。6.根据权利要求5所述的变换器,其中,在所述第二阶段,所述可控开关元件的激活由所述微控制器以与交流电压相关的相位角进行控制,以限制浪涌电流。7.根据权利要求1所述的变换器,其中所述第一开关是PNP类型的双极晶体管或者P沟道MOS晶体管中的一个,并且其中所述第二
\t开关是NPN类型的双极晶体管或者N沟道MOS晶体管中的一个。8.根据权利要求1所述的变换器,其中所述可控开关元件是双向晶闸管。9.一种交流至直流(AC/DC)变换器,包括第一端子和第二端子,被配置为接收交流电压;第三端子和第四端子,被配置为提供第一直流电压;整流桥,所述整流桥具有分别连接到所述第一端子和所述...

【专利技术属性】
技术研发人员:L·宫蒂尔R·拉罗萨G·左皮
申请(专利权)人:意法半导体图尔公司意法半导体股份有限公司
类型:发明
国别省市:法国;FR

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