用于数据储存装置的功率降保护制造方法及图纸

一种数据储存装置包括非易失性存储器。一种方法包括，在所述非易失性存储器的字线处编程第一页。当在所述字线处编程第二页时，所述字线的第一储存元件响应于在所述数据储存装置处的功率降而被选择性地编程以增加分离所述第一页的数据值的状态分离。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本公开一般涉及数据储存装置并且更具体地涉及用于数据储存装置的功率降保护。
技术介绍
非易失性数据储存装置、诸如嵌入的存储器装置和可拆卸存储器装置使能了数据和软件应用的增加的便携性。例如，多级单元(MLC)闪速存储器装置在每个闪速存储器单元中可以储存多个位，增强了数据储存密度。储存在这样的装置处的数据可以使用误差校正编码(ECC)技术编码，其中该误差校正编码(ECC)技术保护数据免于电源噪声、温度变化以及数据损毁的其它原因相关联的误差。在一些情况中，ECC技术可能不足以恢复损毁的数据。例如，数据损毁可能超出与被用于编码数据相关联的特定的ECC技术相关联的ECC能力，导致数据丢失。
技术实现思路
公开了使能在可能损毁数据的数据储存装置的电源供应电压的功率降的情况下恢复在数据储存装置处的数据的恢复的技术。在特定的配置中，数据储存装置的字线储存多个逻辑页，诸如第一逻辑页和第二逻辑页。例如，字线可以包括具有多级单元(MLC)配置的储存元件，并且第一逻辑页以及第二逻辑页可以分别对应于可以储存在字线处的下部的页数据(例如，“10”数字中的“0”位)以及上部的页数据(例如，“10”数字中的“1”位)。如果在数据储存装置在字线处写入第一逻辑页并且同时在字线处写入第二逻辑页之后，在数据储存装置处发生在电源供应电压中的功率降，则在字线处的某些数据值使用误差校正编码(ECC)技术可能是不可恢复的。例如，与上部的页数据相关联的数据值可能“重叠”(并且可以与其区分开)与下部的页数据相关联的数据值，由于未完成写入第二页，潜在地导致数据丢失。为了在功率降的情况中使能数据的恢复，某些装置可以在写入上部的页数据之前备份下部的页数据。如果当写入上部的页数据时发生功率降，下部的页数据的损毁的位可以从备份的下部的页数据恢复。但是，这样的技术可能使用大量的存储器以及处理资源来备份下部的页数据，减少了系统性能。其它技术可能将数据转移到“中间的”分布，诸如“低-到-中”(LM)状态到“B”状态(LMB)分布，以减少在功率降的情况中的状态分布的重叠。“BC首先”(BCF)技术可以在编程“A”状态之前编程“B”状态和“C”状态。这样的技术可以使能在功率降的情况中的数据恢复，但是可能与由于在装置处的增加数量的写入操作的性能劣化相关联。例如，这些技术可以响应于起始写入操作而被应用，不管在写入操作期间是否发生功率降。根据本公开的示例数据保护技术，响应于在所述数据储存装置处的功率降，选择性地编程字线的储存元件以增加分离下部的页的数据值的状态分离。增加的状态分离可以通过防止或减少指示下部的页的不同的数据值的分布之间的重叠来使能下部的页的恢复。有益地，可以选择性地施加数据保护技术，相比于不管是否需要恢复技术(例如，不管是否发生功率降)而总是进行恢复技术的传统的装置改善了效率。相应地，数据保护技术可以响应于功率降而不是在功率降之前被应用，改善了系统性能并且减少了备用数据开销而使能了数据恢复。附图说明图1是包括被配置为响应于功率降而选择性地编程储存元件的数据储存装置的系统的特定示意性实施例的框图；图2示出了在图1的数据储存装置处的功率降之后的使能数据的恢复的某些示例阈值电压分布和状态分离；图3是示出图1的数据储存装置的操作的示例方法的流程图；以及图4是示出图1的数据储存装置的操作的另一示例方法的流程图。具体实施方式图1是系统100的特定示意性实施例的框图，该系统100包括数据储存装置102、电源电路134和主机装置136。数据储存装置102可以嵌入在主机装置136中，诸如根据嵌入式的多媒体卡(弗吉尼亚州阿灵顿市的电子装置工程联合委员会(JEDEC)固态技术协会的商标)配置。可替换地，数据储存装置102可以从(即，“可拆卸地”耦接到)主机装置136拆卸。例如，数据储存装置102可以根据可拆卸的通用串行总线(USB)配置而可拆卸地耦接到主机装置136。电源电路134可以集成在主机装置136中或者可以在主机装置136的外部，如在图1的示例中描述的。为了进一步说明，数据储存装置102可以被配置为作为嵌入的存储器而耦接到主机装置136、诸如作为示意性示例与eMMC配置连接。数据储存装置102可以对应于eMMC装置。作为另一示例，数据存储装置102可以对应于存储器卡，所述存储器卡诸如安全数字卡、微卡、miniSDTM卡(特拉华州威明顿市的SD-3C LLC的商标)、多媒体卡TM(MMCTM)卡(弗吉尼亚州阿灵顿市的JEDEC固态技术协会的商标)或者Compact闪速(CF)卡(加利福尼亚州苗比达市的SanDisk公司的商标)。数据存储装置102可以依照JEDEC行业规范操作。例如，数据存储装置102可以依照JEDEC eMMC规范、JEDEC通用闪速存储(UFS)规范、一个或多个其它规范或其组合操作。数据储存装置102包括非易失性存储器104、输入/输出(I/O)部分122和控制器138。在特定的示意性实施例中，非易失性存储器104可以包括闪速存储器——诸如NAND闪速存储器或NOR闪速存储器。在其它实现方式中，非易失性存储器104可以包括可擦除可编程只读存储器(EPROM)、电可擦除可编程只读存储器(EEPROM)、只读存储器(ROM)、一次性可编程存储器(OTP)、其它类型的存储器或其组合。非易失性存储器104、I/O部分122和控制器138可以经由一个或多个总线、一个或多个接口、一个或多个其它结构或其组合耦接。非易失性存储器104可以包括编程信号调节器148、一个或多个字线和一个或多个电压检测器。在图1的示例中，非易失性存储器104包括字线106和电压检测器120。在特定的实施例中，字线106具有多级单元(MLC)配置。例如，字线106可以包括储存元件110、111、112和113，其每一个被配置为响应于由控制器138的选择和编程来储存多个逻辑数据值。为了说明，控制器138可以选择储存元件110以储存指示位值b0,0和b1,0的阈值电压，并且可以编程储存元件110以储存该阈值电压。控制器138可以选择储存元件111以储存指示位值b0,1和b1,1的阈值电压，并且可以编程储存元件111以储存该阈值电压。控制器138可以选择储存元件112以储存指示位值b0,2和b1,2的阈值电压，并且可以编程储存元件112以储存该阈值电压。控制器138可以选择储存元件113以储存指示位值b0,N和b1,N的阈值电压，并且可以编程储存元件113以储存该阈值电压。N指示包含在字线106中的储存元件的数量(例如，512、1024或大于一的任何其它正整数)。尽管在图1的特定示例中示出了每单元两位(“X2”)的配置，应理解的是，这里所述的一个或多个技术可以应用到其它配置，诸如每单元三位(“X3”)配置。字线106可以被配置为结合(in connection with)MLC配置来储存多个逻辑页的数据。例如，字线106可以被配置为储存页116和页117。页116可以包括储存在字线106处的第一组的位，并且页117可以包括储存在字线106处的第二组的位。在特定的实施例中，页116、117分别对应于下部的页和上部的页。参考图2进一步描述下部的页和上部的页。I/O部分122可以包括电源端子1本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种方法，包括：在包括非易失性存储器的数据储存装置中，进行：在所述非易失性存储器的字线处编程第一页；以及当在所述字线处编程第二页时，响应于在所述数据储存装置处的功率降，选择性地编程所述字线的第一储存元件以增加分离所述第一页的数据值的状态分离。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2013.10.24 US 14/062,534;2014.05.22 US 14/285,4331.一种方法，包括：在包括非易失性存储器的数据储存装置中，进行：在所述非易失性存储器的字线处编程第一页；以及当在所述字线处编程第二页时，响应于在所述数据储存装置处的功率降，选择性地编程所述字线的第一储存元件以增加分离所述第一页的数据值的状态分离。2.如权利要求1所述的方法，其中所述第一储存元件被选择为储存所述数据值的第一数据值，并且还包括：响应于所述功率降，确定被选择为储存所述数据值的第二数据值的所述字线的第二储存元件；以及抑制所述第二储存元件的编程以增加所述状态分离。3.如权利要求2所述的方法，其中所述第二储存元件每一个被选择为被编程到最低阈值电压状态或到第二最低阈值电压状态，并且其中所述第一储存元件每一个被选择为被编程到第二最高阈值电压状态或到最高阈值电压状态。4.如权利要求1所述的方法，其中所述字线具有多级单元(MLC)配置，其中所述第一页对应于下部的页，并且其中所述状态分离将所述数据值的第一数据值与所述数据值的第二数据值区分开。5.如权利要求1所述的方法，其中所述非易失性存储器包括电压检测器，并且其中所述功率降由所述电压检测器检测。6.如权利要求1所述的方法，其中所述数据储存装置还包括耦接到所述非易失性存储器的控制器，其中所述控制器包括电压检测器，并且其中所述功率降由所述电压检测器检测。7.如权利要求6所述的方法，还包括响应于检测到所述功率降，由所述控制器将写入保护信号发送到所述非易失性存储器以使得所述非易失性存储器增加所述状态分离。8.如权利要求6所述的方法，还包括响应于检测到所述功率降，由所述控制器将专用命令发送到所述非易失性存储器，其中所述专用命令使得所述非易失性存储器增加所述状态分离。9.如权利要求1所述的方法，还包括响应于所述功率降，调节编程信号，其中所述第一储存元件使用所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：M史利克，M穆林，M拉瑟，
申请(专利权)人：桑迪士克科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：美国;US