【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及显示
,尤其涉及一种TFT基板的制作方法。
技术介绍
随着显示技术的发展,液晶显示器(Liquid Crystal Display,LCD)等平面显示装置因具有高画质、省电、机身薄及应用范围广等优点,而被广泛的应用于手机、电视、个人数字助理、数字相机、笔记本电脑、台式计算机等各种消费性电子产品,成为显示装置中的主流。通常液晶显示面板由彩膜基板(CF,Color Filter)、薄膜晶体管基板(TFT,Thin Film Transistor)、夹于彩膜基板与薄膜晶体管基板之间的液晶(LC,Liquid Crystal)及密封胶框(Sealant)组成,其成型工艺一般包括:前段阵列(Array)制程(薄膜、黄光、蚀刻及剥膜)、中段成盒(Cell)制程(TFT基板与CF基板贴合)及后段模组组装制程(驱动IC与印刷电路板压合)。其中,前段Array制程主要是形成TFT基板,以便于控制液晶分子的运动;中段Cell制程主要是在TFT基板与CF基板之间添加液晶;后段模组组装制程主要是驱动IC压合与印刷电路板的整合,进而驱动液晶分子转动,显示图像。现有的TFT基板的制作方法已从最初的7光罩(7Mask)技术发展为目前的4光罩(4Mask)技术,4个光罩分别用于形成:图案化的栅极、图案化的有源层和源/漏极、像素电极过孔、及图案化的像素电极。具体地,请参阅图1至图4,该TFT基板的制作方法包括如下步骤:步骤1、提供一基板10,在所述基板上形成第一金属层,并通过第一道光罩制程图案化第一金属层,形成栅极20,随后在栅极20及基板10上沉积栅极绝缘层30,接 ...
【技术保护点】
一种TFT基板的制作方法,其特征在于,包括如下步骤:步骤1、提供一基板(1),在所述基板(1)上依次形成栅极(2)、与所述栅极(2)相连的扫描线(21)、覆盖所述栅极(2)、扫描线(21)、以及基板(1)的栅极绝缘层(3)、覆盖所述栅极绝缘层(3)的半导体层(4’)、以及覆盖所述半导体层(4’)的第二金属层(5’);所述半导体层(4’)对应于所述栅极(2)上方设有沟道区域;所述扫描线(21)上方设有监测区域;步骤2、提供一半色调掩膜板(9),所述半色调掩膜板(9)包括:对应于沟道区域设置的第一曝光区(91)、对应于监测区域设置的第二曝光区(92)、对应于待形成源极、漏极、以及数据线的区域设置的第三曝光区(93)、以及对应于除去沟道区域、监测区域、和待形成源极、漏极、以及数据线的区域以外的区域设置的第四曝光区(94);所述第一曝光区(91)与第二曝光区(92)均为半透光区域,且所述第一曝光区(91)与第二曝光区(92)的透光率均相同,所述第二曝光区(92)的尺寸大于所述第一曝光区(91);所述第三曝光区(93)为全透光区域、及不透光区域中的一种,所述第四曝光区(94)为全透光区域、及不透 ...
【技术特征摘要】
1.一种TFT基板的制作方法,其特征在于,包括如下步骤:步骤1、提供一基板(1),在所述基板(1)上依次形成栅极(2)、与所述栅极(2)相连的扫描线(21)、覆盖所述栅极(2)、扫描线(21)、以及基板(1)的栅极绝缘层(3)、覆盖所述栅极绝缘层(3)的半导体层(4’)、以及覆盖所述半导体层(4’)的第二金属层(5’);所述半导体层(4’)对应于所述栅极(2)上方设有沟道区域;所述扫描线(21)上方设有监测区域;步骤2、提供一半色调掩膜板(9),所述半色调掩膜板(9)包括:对应于沟道区域设置的第一曝光区(91)、对应于监测区域设置的第二曝光区(92)、对应于待形成源极、漏极、以及数据线的区域设置的第三曝光区(93)、以及对应于除去沟道区域、监测区域、和待形成源极、漏极、以及数据线的区域以外的区域设置的第四曝光区(94);所述第一曝光区(91)与第二曝光区(92)均为半透光区域,且所述第一曝光区(91)与第二曝光区(92)的透光率均相同,所述第二曝光区(92)的尺寸大于所述第一曝光区(91);所述第三曝光区(93)为全透光区域、及不透光区域中的一种,所述第四曝光区(94)为全透光区域、及不透光区域中不同于第三曝光区(93)的另一种;步骤3、在所述第二金属层(5’)上覆盖一层光阻层(6’),利用所述半色调掩膜板(9)对所述光阻层(6’)进行曝光并显影;步骤4、对显影后监测区域内的剩余的光阻层(6’)厚度进行监测,通过监测区域内剩余的光阻层(6’)的厚度判定沟道区域中剩余的光阻层(6’)厚度是否合格;若合格则直接进行步骤5,若不合格则去除剩余的全部光阻层(6’),并返回步骤3;步骤5、利用所述剩余的光阻层(6’)图案化所述半导体层(4’)、及第二金属层(5’),形成位于所述栅极(2)上的栅极绝缘层(3)上的有源层(4)、及分别与所述有源层(4)的两端相接触的源极(51)与漏极(52)、以及与所
\t述源极(51)相连的数据线。2.如权利要求1所述的TFT基板的制作方法,其特征在于,当所述步骤4中监测到监测区域内没有光阻层(6’)剩余时,则判定沟道区域中也没有光阻层(6’)剩余,沟道区域中剩余的光阻层(6’)厚度不合格;当所述步骤4中监测到监测区域内有光阻层(6’)剩余且剩余的光阻层(6’)的颜色与待形成源极、漏极、以及数据线的区域内剩余的光阻层(6’)的颜色相同时,则判定沟道区域中剩余的光阻层(6’)过多,沟道区域中剩余的光阻层(6’)厚度不合格;当所述步骤4中监测到监测区域内有光阻层(6’)剩余且剩...
【专利技术属性】
技术研发人员:高冬子,
申请(专利权)人:深圳市华星光电技术有限公司,
类型:发明
国别省市:广东;44
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