【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本公开涉及在被测对象场存在的情况下引起经过它的光波的相移、具有感测元件的光学传感器,例如光纤电流传感器(FOCS)或磁场传感器,其包括要暴露于例如待测量电流的磁场的感测光纤,如通常用于高电压或高电流应用中的。
技术介绍
光纤电流传感器依靠盘绕电流导体的光纤中的磁光法拉第效应。电流感应磁场在光纤中生成与所施加磁场成比例的圆双折射。一种优选布置采用在感测光纤的远端的反射器,使得耦合到光纤中的光执行光纤线圈中的往返。通常,左和右圆偏振光波被注入感测光纤中,其由接合到感测光纤并且充当四分之一波延迟器(QWR)的光纤相位延迟器从两个正交线偏振光波来生成,如参考文献[1]所述。在经过光纤线圈的往返之后,两个圆形波因光纤中的圆双折射而累积了与所施加电流成比例的相对相位延迟。这个相位延迟与围绕电流导体的光纤绕组的数量、所施加电流和光纤的维尔德常数V(T, λ)成比例:维尔德常数是材料、温度和波长相关的。作为备选方案,传感器可设计为具有在感测光纤两端的四分之一波延迟器(QWR)以及在感测光纤中反向传播的圆偏振的相同意义的光波的萨格纳克类型干涉计(参见参考文献[1])。还已知的是基于普克尔斯效应(线性光电效应)[21]或者基于耦合到压电材料的光纤的使用[16、7]的电压或电场传感器。在这些传感器中,通过电场或者力或材料的折射率的各向异性变化所引起的双折射在光纤传感器中用来测量电压或电场强度。高性能电流传感器常常使用基于如也在光纤陀螺仪中应用的非交互相位调制的干涉测定技术,以便测量光学相移,参见例如参考文献[2]。采用集成光学相位调制器或压电调制器。该技术具体结合闭环检测来提 ...
【技术保护点】
一种检测感测元件(131,134)中的被测对象场所引起的光波的两个集合之间的光学相移的方法,所述方法包括下列步骤:‑ 经过所述感测元件(131,134)从光源(111)传递在非零被测对象场存在的情况下在所述感测元件(131,134)中具有不同速度的光波的所述两个集合;‑ 引入光波的所述两个集合之间的静态偏置光学相移;‑ 将包括所述静态偏置光学相移和所述被测对象场所引起的所述光学相移的总光学相移转换为至少两个检测器通道(142,143)中的相反符号(反相)的光功率变化;‑ 将所述至少两个检测器通道(142,143)中的所述光功率转换为电检测器信号;‑ 从所述至少两个检测通道(142,143)的所述电检测器信号中过滤谱分量,并且将所述谱分量或者从其中得出的归一化参数与至少一个检测器信号相结合,以产生与所述被测对象场不存在的情况下的相等光平均功率对应的归一化检测器信号;‑ 组合包括所述归一化检测器信号的所述至少两个检测通道的所述检测器信号,以产生与所述总光学相移相关但是与所述光源的强度和所述至少两个检测器通道(142,143)中的不同损耗或不同增益基本上无关的传感器信号。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种检测感测元件(131,134)中的被测对象场所引起的光波的两个集合之间的光学相移的方法,所述方法包括下列步骤:- 经过所述感测元件(131,134)从光源(111)传递在非零被测对象场存在的情况下在所述感测元件(131,134)中具有不同速度的光波的所述两个集合;- 引入光波的所述两个集合之间的静态偏置光学相移;- 将包括所述静态偏置光学相移和所述被测对象场所引起的所述光学相移的总光学相移转换为至少两个检测器通道(142,143)中的相反符号(反相)的光功率变化;- 将所述至少两个检测器通道(142,143)中的所述光功率转换为电检测器信号;- 从所述至少两个检测通道(142,143)的所述电检测器信号中过滤谱分量,并且将所述谱分量或者从其中得出的归一化参数与至少一个检测器信号相结合,以产生与所述被测对象场不存在的情况下的相等光平均功率对应的归一化检测器信号;- 组合包括所述归一化检测器信号的所述至少两个检测通道的所述检测器信号,以产生与所述总光学相移相关但是与所述光源的强度和所述至少两个检测器通道(142,143)中的不同损耗或不同增益基本上无关的传感器信号。2.如权利要求1所述的方法,其中,光波的所述两个集合包括两个不同偏振状态、具体来说是两个正交线偏振状态或者左和右圆偏振状态。3. 如权利要求1或2所述的方法,其中,所述静态偏置光学相移为大约(2n + 1) × 90°,具体在(2n + 1) × 90° ± 20°或(2n + 1) × 90 ± 5°之内,其中n为任何整数。4.如以上权利要求中的任一项所述的方法,其中,所述静态偏置光学相移使用至少一个四分之一波延迟器(144)或法拉第旋转器(144')来引入。5.如以上权利要求中的任一项所述的方法,其中,所述感测元件是电流或磁场感测元件(131)或者电压或电场感测元件(134)。6.如权利要求5所述的方法,其中,所述电流感测元件(131)是环绕电流导体(15)的光纤(131)。7.如权利要求5所述的方法,其中,所述电场或电压感测元件(134)是光电晶体(134)或者结晶或极化光电光纤(134)。8.如以上权利要求中的任一项所述的方法,其中,一个或多个偏振元件(141,145,16)用来生成具有相反符号(反相)的所述光功率变化。9.如以上权利要求中的任一项所述的方法,其中,所述经过滤的谱分量是所述检测器信号的AC或瞬变内容。10.如权利要求9所述的方法,其中,所述经过滤的AC谱分量经过时间平均。11.如权利要求10所述的方法,其中,快速傅立叶变换(FFT)和低通滤波器(LPF,LPF1)用来过滤时间平均的AC谱分量。12.如权利要求10至11中的任一项所述的方法,其中,一系列高通滤波器(HPF1)、整流器(R)和低通滤波器(LPF)用来过滤时间平均的AC谱分量。13. 如以上权利要求中的任一项所述的方法,其中,所述经过滤的谱分量处于所述被测对象场的标称频率周围的范围中,具体来说在45 Hz至65 Hz的范围中。14.如以上权利要求中的任一项所述的方法,其中,设置所述经过滤的谱分量的幅度阈值,以及低于所述阈值或者从其中所得出的归一化参数的经过滤的谱分量通过缺省值或者通过经低通滤波的信号分量来替代。15.如权利要求1至8中的任一项所述的方法,其中,所述经过滤的谱分量是经过所述检测器信号的低通滤波所得出的所述所检测信号的DC或缓慢变化内容。16.如以上权利要求中的任一项所述的方法,还包括在所述组合步骤之后向所述信号应用高通滤波器(HPF,HPF2)的步骤。17.如以上权利要求中的任一项所述的方法,还包括补偿所述感测元件和/或其他无源组件(14,16,141,144,144',145)的温度相关性的步骤。18.如以上权利要求中的任一项所述的方法,还包括具体通过考虑所述静态光学偏置相移对所述传感器信号特性的线性化。19.具体如以上权利要求中的任一项所述的方法,还包括从所述传感器信号来得出表示所述静态偏置相移的其他信号的步骤。20.如权利要求19所述的方法,其中,得出表示所述静态光学相位偏置的信号的所述步骤包括将所述传感器信号分为总相移通道和静态偏置相移通道,并且向所述静态偏置相移通道应用低通滤波器(LPF2)。21.如权利要求19或20所述的方法,其中,所述静态偏置相移指示引入所述静态偏置光学相移的组件(14,144,144...
【专利技术属性】
技术研发人员:K博内特,A弗兰克,G米勒,杨琳,
申请(专利权)人:ABB技术有限公司,
类型:发明
国别省市:瑞士;CH
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