【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种半导体整流桥焊接制备方法。
技术介绍
目前，半导体整流桥的焊接制备方法，主要是上下框架放置于定位板中定位，利用沾胶机上的探针沾取锡膏，将锡膏点于框架焊点位置，然后用探针上余的锡膏沾芯片定位于框架焊点位置，最后将框架移至焊接舟，将合模后的焊接舟放入焊接炉，使整流芯片与框架形成欧姆接触。目前国内大多采用上述生产流程工艺。这种方法的缺点是探针沾锡膏的均匀性不易控制，且用探针上余留的锡膏沾芯片定位过程中，易存在部分芯片又会被探针从框架焊点处带起来的问题，同时又因探针会实际压到芯片表面，芯片如受力过大会导致芯片表面裂纹问题，影响焊接良品率且封装后的可靠性一般，无法达到高可信赖性需求客户使用要求。
技术实现思路
为解决以上技术上的不足，本专利技术提供了一种锡膏量容易控制，及芯片利于定位的半导体整流桥焊接制备方法。本专利技术是通过以下措施实现的：本专利技术的一种半导体整流桥焊接制备方法，所述半导体整流桥包括粘结为整体的上框架、下框架和整流芯片，所述上框架和下框架均设有凸点和平台，所述整流芯片粘结在上框架和下框架之间，其制备方法依次包括如下步骤：步骤1，将上下框架分别放置在对应位置的料仓内，上下框架均设有凸点及平台；步骤2，自动网印机自动抓取框架定位于网印板下方的载板上定位，网印板与框架无缝对接，锡膏通过网印板印刷至框架焊接位置，即上下框架上的凸点及平台，然后将锡膏网印后的上下框架自动抓取至石墨板上定位；步骤3， 芯片采用具有分向功能的摇盘定位，采用吸笔利用真空负压原理将芯片从摇盘中吸取后定位于框架平台片，上下框架的平台处各放置2颗芯片；步骤4，将上下框架...
【技术保护点】
一种半导体整流桥焊接制备方法，其特征在于：所述半导体整流桥包括粘结为整体的上框架、下框架和整流芯片，所述上框架和下框架均设有凸点和平台，所述整流芯片粘结在上框架和下框架之间，其制备方法依次包括如下步骤：步骤1，将上下框架分别放置在对应位置的料仓内，上下框架均设有凸点及平台；步骤2，自动网印机自动抓取框架定位于网印板下方的载板上定位，网印板与框架无缝对接，锡膏通过网印板印刷至框架焊接位置，即上下框架上的凸点及平台，然后将锡膏网印后的上下框架自动抓取至石墨板上定位；步骤3， 芯片采用具有分向功能的摇盘定位，采用吸笔利用真空负压原理将芯片从摇盘中吸取后定位于框架平台片，上下框架的平台处各放置2颗芯片；步骤4，将上下框架合片后进炉焊接。
【技术特征摘要】
1.一种半导体整流桥焊接制备方法，其特征在于：所述半导体整流桥包括粘结为整体的上框架、下框架和整流芯片，所述上框架和下框架均设有凸点和平台，所述整流芯片粘结在上框架和下框架之间，其制备方法依次包括如下步骤：步骤1，将上下框架分别放置在对应位置的料仓内，上下框架均设有凸点及平台；步骤2，自动网印机自动抓取框架定位于网印板下方的载板上定位，网印板与框架无缝对接，锡膏通过网印板印刷至...
【专利技术属性】
技术研发人员：陈钢全，张胜君，王刚，
申请(专利权)人：山东迪一电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：山东;37
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。