火花塞制造技术

技术编号:13876484 阅读:84 留言:0更新日期:2016-10-22 12:07
本发明专利技术提供一种火花塞。其中,在绝缘体的通孔内将中心电极和端子金属配件之间连接起来的连接部具有:电阻体;以及磁性体构造物,其配置在电阻体的前端侧或后端侧的、离开电阻体的位置,且该磁性体构造物包括磁性体和导电体。将电阻体和磁性体构造物中的配置在前端侧的构件设为第一构件,将电阻体和磁性体构造物中的配置在后端侧的构件设为第二构件。连接部还包括第一导电性密封部、第二导电性密封部、第三导电性密封部。第一导电性密封部配置在第一构件的前端侧,并与第一构件接触。第二导电性密封部配置在第一构件和第二构件之间,并与第一构件和第二构件接触。第三导电性密封部配置在第二构件的后端侧,并与第二构件接触。磁性体构造物包括作为导电体的导电性物质、作为磁性体的含铁氧化物以及含硅、硼、磷中的至少一种的陶瓷。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种火花塞
技术介绍
一直以来,火花塞被应用于内燃机。另外,提出有为了抑制因点火而产生的电波噪声,在绝缘体的通孔内设置电阻体的技术。另外,还提出有在绝缘体的通孔内设置磁性体的技术。现有技术文献专利文献专利文献1:日本特开平02-284374号公报专利文献2:日本特开昭62-150681号公报专利文献3:日本特开昭61-230281号公报专利文献4:日本特开昭54-151736号公报专利文献5:日本特开昭61-135079号公报专利文献6:日本特开昭61-104580号公报专利文献7:日本特开昭61-208768号公报
技术实现思路
专利技术要解决的问题但是,实际上,针对使用电阻体和磁性体这两者来抑制电波噪声的这一点而言,并没有做到充分的研究。本专利技术提供一种能够使用电阻体和磁性体来抑制电波噪声的技术。用于解决问题的方案本专利技术公开例如以下的技术方案。[技术方案1]一种火花塞,该火花塞包括:绝缘体,其具有沿轴线的方向延伸的通孔;中心电极,其至少一部分插入于所述通孔的前端侧;端子金属配件,其至少一部分插入于所述通孔的后端侧;连接部,其在所述通孔内将所述中心电极和所述端子金属配件之间连接起来,其中,所述连接部具有:电阻体;以及磁性体构造物,其配置在所述电阻体的前端侧或后端侧的、离开所述电阻体的位置,且该磁性体构造物包括磁性体和导电体,将所述电阻体和所述磁性体构造物中的配置在前端侧的构件设为第一构件,将所述电阻体和所述磁性体构造物中的配置在后端侧的构件设为第二构件,此时,所述连接部还包括:第一导电性密封部,其配置在所述第一构件的前端侧,并与所述第一构件接触;第二导电性密封部,其配置在所述第一构件和所述第二构件之间,并与所述第一构件和所述第二构件接触;第三导电性密封部,其配置在所述第二构件的后端侧,并与所述第二构件接触,所述磁性体构造物包括:1)作为所述导电体的导电性物质;2)作为所述磁性体的含铁氧化物;以及3)含硅(Si)、硼(B)和磷(P)中的至少一种的陶瓷,在所述磁性体构造物的包括所述轴线的截面中,将以所述轴线为中心线,且与所述轴线垂直的方向上的大小为1.5mm,所述轴线的方向上的大小为2.0mm的矩形区域作为对象区域,此时,在所述对象区域中,所述导电性物质的区域包括多个粒状区域,在所述多个粒状区域中,最大粒径为200μm以上的粒状区域的数量所占的比例为40%以上,在所述对象区域中,所述导电性物质的所述区域的面积所占的比例为35%以上且65%以下。根据该结构,能够利用第一导电性密封部、第二导电性密封部、第三导电性密封部,抑制电阻体两端的电接触不良和磁性体构造物两端的电接触不良。由此,能够利用电阻体和磁性体构造物这两者来适当地抑制电波噪声。另外,通过使磁性体构造物具有特定的结构,能够适当地抑制噪声。[技术方案2]根据技术方案1所述的火花塞,其中,所述磁性体构造物的从前端到后端的电阻值为3kΩ以下。根据该结构,能够抑制磁性体构造物的发热。因此,能够抑制由磁性体构造物的发热所引起的不良(例如,磁性体的变质等)。[技术方案3]根据技术方案2所述的火花塞,其中,所述磁性体构造物的从所述前端到所述后端的电阻值为1kΩ以下。根据该结构,能够进一步抑制磁性体构造物的发热。因此,能够进一步抑制由磁性体构造物的发热所引起的不良(例如,磁性体的变质等)。[技术方案4]根据技术方案1-3中任一项所述的火花塞,其中,所述导电体包括沿所述轴线的方向贯穿所述磁性体的导电部。根据该结构,能够提高耐久性并且适当地抑制电波噪声。[技术方案5]根据技术方案1-4中任一项所述的火花塞,其中,所述磁性体构造物配置在所述电阻体的后端侧。根据该结构,能够适当地抑制电波噪声。[技术方案6]根据技术方案1-5中任一项所述的火花塞,其中,所述连接部还包括覆盖部,所述覆盖部覆盖所述磁性体构造物的外表面的至少一部分,且所述覆盖部介于所述磁性体构造物和所述绝缘体之间。根据该结构,能够抑制绝缘体和磁性体构造物直接发生接触。[技术方案7]根据技术方案1-6中任一项所述的火花塞,其中,所述磁性体使用含氧化铁的强磁性材料而形成。根据该结构,能够适当地抑制电波噪声。[技术方案8]根据技术方案7所述的火花塞,其中,所述强磁性材料为尖晶石型铁氧体。根据该结构,能够容易地抑制电波噪声。[技术方案9]根据技术方案1-8中任一项所述的火花塞,其中,所述磁性体为NiZn铁氧体或MnZn铁氧体。根据该结构,能够适当地抑制电波噪声。[技术方案10]根据技术方案1-9中任一项所述的火花塞,其中,所述导电性物质包括钙钛矿型氧化物,所述钙钛矿型氧化物用一般式ABO3来表示,所述一般式的A位点为La、Nd、Pr、Yb、Y中的至少一者。根据该结构,能够进一步适当地抑制电波噪声。[技术方案11]根据技术方案1-10中任一项所述的火花塞,其中,所述导电性物质含Ag、Cu、Ni、Sn、Fe、Cr中的至少一种金属。根据该结构,能够进一步适当地抑制电波噪声。[技术方案12]根据技术方案1-11中任一项所述的火花塞,其中,在所述磁性体构造物的所述截面上的所述对象区域中的、除了所述导电性物质的所述区域之外的剩余的区域中,气孔率为5%以下。根据该结构,能够提高磁性体构造物的耐久性。附图说明图1是第一实施方式的火花塞100的剖视图。图2是第二实施方式的火花塞100b的剖视图。图3是参考例的火花塞100c的剖视图。图4是第三实施方式的火花塞100d的剖视图。图5是磁性体构造物200d的说明图。具体实施方式A.第一实施方式:A-1.火花塞的结构:图1是第一实施方式的火花塞100的剖视图。图示的线CL表示火花塞
100的中心轴线。图示的截面为包括中心轴线CL的截面。以下,将中心轴线CL称为“轴线CL”,将平行于中心轴线CL的方向称为“轴线CL的方向”或者简单称为“轴线方向”。将以中心轴线CL为中心的圆的径向简单称为“径向”,将以中心轴线CL为中心的圆的圆周方向称为“周向”。将平行于中心轴线CL的方向中的、图1的下方称为前端方向D1,将平行于中心轴线CL的方向中的、图1的上方称为后端方向D2。前端方向D1为从后述的端子金属配件40朝向电极20、30的方向。另外,将图1中的前端方向D1侧称为火花塞100的前端侧,将图1中的后端方向D2侧称为火花塞100的后端侧。火花塞100包括绝缘体10(也称为“绝缘电瓷10”)、中心电极20、接地电极30、端子金属配件40、主体金属配件50、第一导电性密封部60、电阻体70、第二导电性密封部75、磁性体构造物200、覆盖部290、第三导电性密封部80、前端侧密封件8、滑石9、第一后端侧密封件6、第二后端侧密封件7。绝缘体10为沿着中心轴线CL延伸且呈大致圆筒状的构件,并且具有贯穿绝缘体10的通孔12(也称为“轴孔12”)。绝缘体10是烧制氧化铝而形成的(也可以采用其他绝缘材料)。绝缘体10从前端侧到后端侧依次具有腿部13、第一缩外径部15、前端侧主体部17、凸缘部19、第二缩外径部11、后端侧主体部18。凸缘部19是绝缘体10的最大外径部分。比凸缘部19靠前端侧的第一缩外径部15的外径随着从后端侧朝向前端侧去而逐渐变小。在绝缘体10的第一缩外径部15的附近(图1的本文档来自技高网
...

【技术保护点】
一种火花塞,该火花塞包括:绝缘体,其具有沿轴线的方向延伸的通孔;中心电极,其至少一部分插入于所述通孔的前端侧;端子金属配件,其至少一部分插入于所述通孔的后端侧;连接部,其在所述通孔内将所述中心电极和所述端子金属配件之间连接起来,其中,所述连接部具有:电阻体;以及磁性体构造物,其配置在所述电阻体的前端侧或后端侧的、离开所述电阻体的位置,且该磁性体构造物包括磁性体和导电体,将所述电阻体和所述磁性体构造物中的配置在前端侧的构件设为第一构件,将所述电阻体和所述磁性体构造物中的配置在后端侧的构件设为第二构件,此时,所述连接部还包括:第一导电性密封部,其配置在所述第一构件的前端侧,并与所述第一构件接触;第二导电性密封部,其配置在所述第一构件和所述第二构件之间,并与所述第一构件和所述第二构件接触;第三导电性密封部,其配置在所述第二构件的后端侧,并与所述第二构件接触,所述磁性体构造物包括:1)作为所述导电体的导电性物质;2)作为所述磁性体的含铁氧化物;以及3)含硅(Si)、硼(B)和磷(P)中的至少一种的陶瓷,在所述磁性体构造物的包括所述轴线的截面中,将以所述轴线为中心线,且与所述轴线垂直的方向上的大小为1.5mm,所述轴线的方向上的大小为2.0mm的矩形区域作为对象区域,此时,在所述对象区域中,所述导电性物质的区域包括多个粒状区域,在所述多个粒状区域中,最大粒径为200μm以上的粒状区域的数量所占的比例为40%以上,在所述对象区域中,所述导电性物质的所述区域的面积所占的比例为35%以上且65%以下。...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2013.12.25 JP 2013-2669571.一种火花塞,该火花塞包括:绝缘体,其具有沿轴线的方向延伸的通孔;中心电极,其至少一部分插入于所述通孔的前端侧;端子金属配件,其至少一部分插入于所述通孔的后端侧;连接部,其在所述通孔内将所述中心电极和所述端子金属配件之间连接起来,其中,所述连接部具有:电阻体;以及磁性体构造物,其配置在所述电阻体的前端侧或后端侧的、离开所述电阻体的位置,且该磁性体构造物包括磁性体和导电体,将所述电阻体和所述磁性体构造物中的配置在前端侧的构件设为第一构件,将所述电阻体和所述磁性体构造物中的配置在后端侧的构件设为第二构件,此时,所述连接部还包括:第一导电性密封部,其配置在所述第一构件的前端侧,并与所述第一构件接触;第二导电性密封部,其配置在所述第一构件和所述第二构件之间,并与所述第一构件和所述第二构件接触;第三导电性密封部,其配置在所述第二构件的后端侧,并与所述第二构件接触,所述磁性体构造物包括:1)作为所述导电体的导电性物质;2)作为所述磁性体的含铁氧化物;以及3)含硅(Si)、硼(B)和磷(P)中的至少一种的陶瓷,在所述磁性体构造物的包括所述轴线的截面中,将以所述轴线为中心线,且与所述轴线垂直的方向上的大小为1.5mm,所述轴线的方向上的大小为2.0mm的矩形区域作为对象区域,此时,在所述对象区域中,所述导电性物质的区域包括多个粒状区域,在所述多个粒状区域中,最大粒径为200μm以上的粒状区域的数量所占的比例为40%以上,在所述对象区域中,所述导电...

【专利技术属性】
技术研发人员:笠岛崇高冈胜哉黑泽和浩田中邦治本田稔贵黑野启一吉田治树上垣裕则
申请(专利权)人:日本特殊陶业株式会社
类型:发明
国别省市:日本;JP

网友询问留言 已有0条评论
  • 还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。

1