一种等离子体震源隔离电路制造技术

本实用新型专利技术公开了一种等离子体震源隔离电路，包括输入电路，输出电路和滤波电路，所述输入电路通过变压器T1与所述输出电路连接；所述输入电路包括二极管D1，二极管D3，电阻R5，电阻R6，MOS管Q3，电阻R7和电容C1，所述输出电路包括电阻R1，电阻R2，电阻R3，MOS管Q1，三极管Q2和二极管D2，二极管D4，所述滤波电路包括电阻R4和电容C2，本实用新型专利技术提供的等离子体震源隔离电路，采用变压器隔离方案替换现有的光耦隔离，既解决了控制信号与被控制信号间的物理隔离，又提高了控制信号的驱动能力。实现弱信号与强电系统控制信号间的隔离。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及海洋地震勘测
，特别涉及一种等离子体震源隔离电路。
技术介绍
等离子体震源因具有震源子波重复性好、能量传输效率高、安全可靠、寿命长等优点而广泛应用于海洋工程地震勘探中。根据水深、地质类型、所需地层穿透深度等要求的不同，震源的输出能量可以在几十到数千焦之间，穿透深度可达100~250m，并能达到0.3~1m的分辨率。现有海洋地震勘探测量接收系统与震源控制之间隔离侨联技术中，采用弱信号控制高电压，大电流常采用光耦隔离进行实现，这种电路简单易行，要求不高。但当被控制的信号电压、电流很大时，光耦器件极易损坏，而导致系统功能失效。
技术实现思路
有鉴于此，本技术提供一种等离子体震源隔离电路，解决现有光电耦合电路在被控制信号电压、电流较大时，光耦合器件极易损坏的技术问题。本技术通过以下技术手段解决上述问题：一种等离子体震源隔离电路，包括输入电路，输出电路和滤波电路，所述输入电路通过变压器T1与所述输出电路连接；所述输入电路包括二极管D1，二极管D3，电阻R5，电阻R6，MOS管Q3，电阻R7和电容C1，所述二极管D3正极与信号输入端连接，所述二极管D3负极通过电阻R5与所述MOS管Q3的栅极连接，所述MOS管Q3的栅极通过电阻R6接地，所述MOS管Q3的源极通过电阻R7接地，所述MOS管Q3的漏极与所述二极管D1正极连接，所述二极管D1负极通过所述电容C1接地，所述二极管D1负极与第一电源连接，所述二极管D1两端与所述变压器T1的原边并联；所述输出电路包括电阻R1，电阻R2，电阻R3，MOS管Q1，三极管Q2和二极管D2，二极管D4，所述变压器T1副边一端通过电阻R1与所述MOS管Q1栅极连接，所述变压器T1副边另一端通过电阻R2与所述三极管Q2基极连接，所述变压器T1副边另一端通过所述二极管D2与所述三极管Q2发射极连接，所述三极管Q2集电极与所述MOS管Q1栅极连接，所述MOS管Q1漏极与第二电源连接，所述MOS管Q1源极分别与所述三极管Q2发射极、所述二极管D2正极和所述二极管D4正极连接，所述二极管D4负极通过电阻R3与信号输出端连接；所述滤波电路包括电阻R4和电容C2，所述电阻R4一端与所述MOS管Q1源极连接，所述电阻R4另一端通过所述电容C2接地。进一步的，所述变压器T1为耦合变压器或脉冲变压器。进一步的，所述二极管D1，二极管D2，二极管D3型号为IN914。进一步的，所述MOS管Q1，MOS管Q3型号为TN2460T。进一步的，所述三极管Q2型号为2N222。本技术提供的等离子体震源隔离电路，采用变压器隔离方案替换现有的光耦隔离，既解决了控制信号与被控制信号间的物理隔离，又提高了控制信号的驱动能力。实现弱信号与强电系统控制信号间的隔离。附图说明图1是本技术等离子体震源隔离电路的电路图。具体实施方式以下将结合附图和优选实施例对本技术作进一步的说明。这些附图均为简化的示意图，仅以示意方式说明本技术的基本结构，因此其仅显示与本技术有关的构成，并不限制本技术与现有结构的结合。参见图1，本实施例提供一种等离子体震源隔离电路，包括输入电路，输出电路和滤波电路，所述输入电路通过变压器T1与所述输出电路连接；其中，所述输入电路包括二极管D1，二极管D3，电阻R5，电阻R6，MOS管Q3，电阻R7和电容C1，所述二极管D3正极与信号输入端连接，所述二极管D3负极通过电阻R5与所述MOS管Q3的栅极连接，所述MOS管Q3的栅极通过电阻R6接地，所述MOS管Q3的源极通过电阻R7接地，所述MOS管Q3的漏极与所述二极管D1正极连接，所述二极管D1负极通过所述电容C1接地，所述二极管D1负极与第一电源连接，所述二极管D1两端与所述变压器T1的原边并联；所述输出电路包括电阻R1，电阻R2，电阻R3，MOS管Q1，三极管Q2和二极管D2，二极管D4，所述变压器T1副边一端通过电阻R1与所述MOS管Q1栅极连接，所述变压器T1副边另一端通过电阻R2与所述三极管Q2基极连接，所述变压器T1副边另一端通过所述二极管D2与所述三极管Q2发射极连接，所述三极管Q2集电极与所述MOS管Q1栅极连接，所述MOS管Q1漏极与第二电源连接，所述MOS管Q1源极分别与所述三极管Q2发射极、所述二极管D2正极和所述二极管D4正极连接，所述二极管D4负极通过电阻R3与信号输出端连接；所述滤波电路包括电阻R4和电容C2，所述电阻R4一端与所述MOS管Q1源极连接，所述电阻R4另一端通过所述电容C2接地。在一个具体的实施方式中，所述变压器T1为耦合变压器或脉冲变压器。所述二极管D1，二极管D2，二极管D3型号为IN914。所述MOS管Q1，MOS管Q3型号为TN2460T。所述三极管Q2型号为2N222。电阻R1为 10Ω，电阻R2为10KΩ，电阻R3为100Ω，电阻R4为200Ω，电阻R5为100Ω，电阻R6为1KΩ，电阻R7为100Ω，电容C1和电容C2为0.1UF。参见图1，S_IN为信号输入端，具体可以是系统内部信号或外部弱电系统输入控制信号；S_OUT为信号输出端，具体可以是被强电系统的控制信号输入。其中，S_IN端和S_OUT端的输入信号和输出信号均为脉冲触发控制。采用变压器T1将脉冲电压控制输出端打开，形成脉冲控制信号。R4和C2形成滤波器对脉冲信号进行整形。其中，F1_GND与F1_VCC为系统内部电源系统。F2_GND与F2_VCC为系统隔离电源。本技术提供的一种等离子体震源隔离电路，采用变压器隔离方案替换现有的光耦隔离，既解决了控制信号与被控制信号间的物理隔离，又提高了控制信号的驱动能力。实现弱信号与强电系统控制信号间的隔离。最后说明的是，以上实施例仅用以说明本技术的技术方案而非限制，尽管参照较佳实施例对本技术进行了详细说明，本领域的普通技术人员应当理解，可以对本技术的技术方案进行修改或者等同替换，而不脱离本技术技术方案的宗旨和范围，其均应涵盖在本技术的权利要求范围当中。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种等离子体震源隔离电路，其特征在于，包括输入电路，输出电路和滤波电路，所述输入电路通过变压器T1与所述输出电路连接；所述输入电路包括二极管D1，二极管D3，电阻R5，电阻R6，MOS管Q3，电阻R7和电容C1，所述二极管D3正极与信号输入端连接，所述二极管D3负极通过电阻R5与所述MOS管Q3的栅极连接，所述MOS管Q3的栅极通过电阻R6接地，所述MOS管Q3的源极通过电阻R7接地，所述MOS管Q3的漏极与所述二极管D1正极连接，所述二极管D1负极通过所述电容C1接地，所述二极管D1负极与第一电源连接，所述二极管D1两端与所述变压器T1的原边并联；所述输出电路包括电阻R1，电阻R2，电阻R3，MOS管Q1，三极管Q2和二极管D2，二极管D4，所述变压器T1副边一端通过电阻R1与所述MOS管Q1栅极连接，所述变压器T1副边另一端通过电阻R2与所述三极管Q2基极连接，所述变压器T1副边另一端通过所述二极管D2与所述三极管Q2发射极连接，所述三极管Q2集电极与所述MOS管Q1栅极连接，所述MOS管Q1漏极与第二电源连接，所述MOS管Q1源极分别与所述三极管Q2发射极、所述二极管D2正极和所述二极管D4正极连接，所述二极管D4负极通过电阻R3与信号输出端连接；所述滤波电路包括电阻R4和电容C2，所述电阻R4一端与所述MOS管Q1源极连接，所述电阻R4另一端通过所述电容C2接地。...

【技术特征摘要】
1.一种等离子体震源隔离电路，其特征在于，包括输入电路，输出电路和滤波电路，所述输入电路通过变压器T1与所述输出电路连接；所述输入电路包括二极管D1，二极管D3，电阻R5，电阻R6，MOS管Q3，电阻R7和电容C1，所述二极管D3正极与信号输入端连接，所述二极管D3负极通过电阻R5与所述MOS管Q3的栅极连接，所述MOS管Q3的栅极通过电阻R6接地，所述MOS管Q3的源极通过电阻R7接地，所述MOS管Q3的漏极与所述二极管D1正极连接，所述二极管D1负极通过所述电容C1接地，所述二极管D1负极与第一电源连接，所述二极管D1两端与所述变压器T1的原边并联；所述输出电路包括电阻R1，电阻R2，电阻R3，MOS管Q1，三极管Q2和二极管D2，二极管D4，所述变压器T1副边一端通过电阻R1与所述MOS管Q1栅极连接，所述变压器T1副边另一端通过电阻R2与所述三极管Q2基极连接，所述变压器T1副边另一端通过所...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈自力，连艳红，史明星，龚云翔，
申请(专利权)人：西安虹陆洋机电设备有限公司，
类型：新型
国别省市：陕西;61