光学邻近修正方法技术

一种光学邻近修正方法，包括：提供目标图形；在目标图形上设置多个采样点，采样点位于目标图形的边或转角上；设置初始图形；获得与初始图形相对应的曝光图形；获得曝光图形的边缘位置误差；判断边缘位置误差是否大于预先设定的阈值，当边缘位置误差小于或等于预先设定的阈值时，获得修正图形；当边缘位置误差大于预先设定的阈值时，调整初始图形；对调整后的初始图形重新执行上述获得曝光图形和比较的步骤，直至曝光图形的边缘位置误差小于或等于阈值时，光学邻近修正完成，获得修正图形。本发明专利技术通过增加采样点，减少图形在光学邻近修正后发生图形畸变，能够避免由于图形畸变而引起最终获得的修正图形的特征尺寸不足的问题。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体制造领域，特别涉及一种光学邻近修正方法。
技术介绍
在半导体制造过程中，为将集成电路(Integrated Circuit,IC)的电路图案转移至半导体芯片上，需将集成电路的电路图案设计为掩模版图案，再将掩模版图案从掩模版表面转移至半导体芯片。然而随着集成电路特征尺寸(Critical Dimension,CD)的缩小，以及受到曝光机台(Optical Exposure Tool,OET)的分辨率极限(Resolution Limit)的影响，在对高密度排列的掩模版图案进行曝光制程以进行图案转移时，便很容易产生光学邻近效应(Optical Proximity Effect,OPE)，使掩模板图形转移出现缺陷。针对光学邻近效应的问题，目前业界普遍采用的一种方法为光学邻近修正(Optical Proximity Correction，OPC)，其通过改变原始版图图形的形状来减小曝光所获得的光刻图形的偏差。参考图1，示出了现有技术光学邻近修正中目标图形、光学邻近修正后的修正图形以及最终形成图形的示意图。此处，以针对形成接触孔的图形进行光学邻近修正为例进行说明。如图1所示，其中目标图形10为直角方形。所述目标图形10上设置有4个采样点20a、20b、20c和20d，直角方形每个边上设置有1个采样点。经过光学邻近修正后，获得修正图形30，为了修正光学邻近效应，所述修正图形30为长方形。对所述修正图形30进行曝光等步骤，获得最终形成在晶片上的接触孔图形40。现有光学邻近修正方法中，提供目标图形10之后，整个光学邻近修正的过程包括多个循环(interation)，每次循环均对图形进行修正获得调整后的初始图形，并计算每个采样点的边缘位置误差(Edge Placement Error，EPE)，通过判断所述边缘位置误差是否达到标准以判断修正是否完成，最终得到符合标准的修正图形30。但是现有技术中，经过光学邻近修正后，最终形成的图形往往会偏小，
会出现所形成的半导体器件无法达到设计尺寸要求的问题。
技术实现思路
本专利技术解决的问题是提供一种光学邻近修正方法，以保证所形成的半导体器件能够达到设计的尺寸要求。为解决上述问题，本专利技术提供一种光学邻近修正方法，包括如下步骤：提供目标图形，所述目标图形由多条边围成，所述目标图形的边在相交处形成转角；在所述目标图形上设置多个采样点，所述采样点位于所述目标图形的边或转角上；设置初始图形；获得与所述初始图形相对应的曝光图形；比较所述曝光图形与所述目标图形在采样点的位置差异，获得曝光图形的边缘位置误差；判断所述边缘位置误差是否大于预先设定的阈值，当所述边缘位置误差小于或等于预先设定的阈值时，光学邻近修正完成，获得修正图形；当所述边缘位置误差大于预先设定的阈值时，调整初始图形，以减小边缘位置误差与所述阈值的差异；对调整后的初始图形重新执行上述获得曝光图形和比较的步骤，直至所述曝光图形的边缘位置误差小于或等于所述阈值时，光学邻近修正完成，获得修正图形。可选的，所述目标图形中的转角为圆角。可选的，在所述目标图形上设置多个采样点的步骤包括：所述目标图形的每个边上至少设置一个采样点。可选的，在所述目标图形上设置多个采样点的步骤还包括：所述目标图形的每个转角上至少设置两个采样点。可选的，获得与所述初始图形相对应的曝光图形的步骤包括：采用仿真的方法获得与所述初始图形相对应的曝光图形。可选的，获得曝光图形的边缘位置误差的步骤包括：当所述采样点设置在图形的边上时，通过比较在采样点位置，垂直于所述边的方向上，所述曝光图形与所述目标图形之间的位置差异，获得曝光图形中相应采样点的边缘位置误差。可选的，对于设置于转角上的采样点，获得曝光图形的边缘位置误差的步骤包括：当所述采样点设置在图形的转角上时，通过比较在采样点位置，沿转角曲线径向方向上，所述曝光图形与所述目标图形之间的位置差异，获得曝光图形中相应采样点的边缘位置误差。可选的，判断所述边缘位置误差是否大于预先设定的阈值的步骤包括：根据所述曝光图形中所有采样点的边缘位置误差，获得所述曝光图形的边缘位置误差的平均值，作为平均边缘位置误差；判断所述平均边缘位置误差是否大于预先设定的阈值。可选的，当所述边缘位置误差大于所述阈值时，调整初始图形的步骤包括：根据不同采样点的边缘位置误差和所述阈值的差异大小，获得大于所述阈值的边缘位置误差所对应的采样点的位置；根据大于所述阈值的边缘位置误差所对应的采样点的位置，调整初始图形中所述采样点相对应的边，以减小边缘位置误差与所述阈值的差异，获得调整后的初始图形。可选的，获得与所述初始图形相对应的曝光图形的步骤包括：在工艺窗口限制下获得曝光图形，作为工艺窗口曝光图形；不在工艺窗口限制下以标准工艺条件获得曝光图形，作为标准曝光图形。可选的，判断所述边缘位置误差是否大于预先设定的阈值的步骤包括：判断所述标准曝光图形的边缘位置误差是否大于预先设定的标准阈值；在判断所述标准曝光图形的边缘位置误差小于或等于所述标准阈值时，判断所述工艺窗口曝光图形的边缘位置误差是否大于预先设定的工艺窗口阈值；所述工艺窗口阈值大于所述标准阈值。可选的，当所述边缘位置误差大于所述阈值时，调整初始图形的步骤包括：在判断所述标准曝光图形的边缘位置误差大于所述标准阈值时，根据不同采样点的边缘位置误差和所述标准阈值的差异大小，获得大于所述标准阈
值的边缘位置误差所对应的采样点的位置；根据大于所述标准阈值的边缘位置误差所对应的采样点的位置，调整初始图形中所述采样点相对应的边，以减小边缘位置误差与标准阈值的差异，获得调整后的初始图形。可选的，当所述边缘位置误差大于所述阈值时，调整初始图形的步骤包括：在判断所述工艺窗口曝光图形的边缘位置误差大于所述工艺窗口阈值时，根据所述工艺窗口曝光图形中不同采样点边缘位置误差和所述工艺窗口阈值的差异大小，获得大于所述工艺窗口阈值的边缘位置误差所对应的采样点的位置；根据大于所述工艺窗口阈值的边缘位置误差所对应的采样点的位置，调整初始图形中所述采样点相对应的边，以减小所述工艺窗口曝光图形的边缘位置误差与所述工艺窗口阈值的差异，获得调整后的初始图形。可选的，调整初始图形中所述采样点相对应的边的步骤包括：当所述采样点设置在图形的边上时，调整所述采样点所在的边。可选的，调整初始图形中所述采样点相对应的边的步骤包括：当所述采样点设置在转角处时，调整距离所述采样点最近的边。与现有技术相比，本专利技术的技术方案具有以下优点：本专利技术中，本专利技术通过在所述目标图形中的转角处增加采样点，获取边缘位置误差，最终通过判断每个图形上所有采样点边缘位置误差是否大于预先设定的阈值，判断光学邻近修正是否完成。采样点的增加，能够减少图形在光学邻近修正后发生图形畸变，能够避免由于图形畸变而引起的尺寸不足问题。可选方案中，由于光学邻近效应的存在，最终在晶片上所形成的图形中，直角转角不可能维持直角，通常会形成圆角。所以本专利技术通过将所述目标图形中的转角设置为圆角，减小了目标图形和初始图形之间的差异，有利于帮助光学邻近修正实现收敛，有利于缩短光学邻近修正的时间。可选方案中，本专利技术在判断边缘位置误差是否符合标准时，还引入了工艺窗口限制，通过判断边缘位置误本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种光学邻近修正方法，其特征在于，包括：提供目标图形，所述目标图形由多条边围成，所述目标图形的边在相交处形成转角；在所述目标图形上设置多个采样点，所述采样点位于所述目标图形的边或转角上；设置初始图形；获得与所述初始图形相对应的曝光图形；比较所述曝光图形与所述目标图形在采样点的位置差异，获得曝光图形的边缘位置误差；判断所述边缘位置误差是否大于预先设定的阈值，当所述边缘位置误差小于或等于预先设定的阈值时，光学邻近修正完成，获得修正图形；当所述边缘位置误差大于预先设定的阈值时，调整初始图形，以减小边缘位置误差与所述阈值的差异；对调整后的初始图形重新执行上述获得曝光图形和比较的步骤，直至所述曝光图形的边缘位置误差小于或等于所述阈值时，光学邻近修正完成，获得修正图形。

【技术特征摘要】
1.一种光学邻近修正方法，其特征在于，包括：提供目标图形，所述目标图形由多条边围成，所述目标图形的边在相交处形成转角；在所述目标图形上设置多个采样点，所述采样点位于所述目标图形的边或转角上；设置初始图形；获得与所述初始图形相对应的曝光图形；比较所述曝光图形与所述目标图形在采样点的位置差异，获得曝光图形的边缘位置误差；判断所述边缘位置误差是否大于预先设定的阈值，当所述边缘位置误差小于或等于预先设定的阈值时，光学邻近修正完成，获得修正图形；当所述边缘位置误差大于预先设定的阈值时，调整初始图形，以减小边缘位置误差与所述阈值的差异；对调整后的初始图形重新执行上述获得曝光图形和比较的步骤，直至所述曝光图形的边缘位置误差小于或等于所述阈值时，光学邻近修正完成，获得修正图形。2.如权利要求1所述的光学邻近修正方法，其特征在于，所述目标图形中的转角为圆角。3.如权利要求1所述的光学邻近修正方法，其特征在于，在所述目标图形上设置多个采样点的步骤包括：所述目标图形的每个边上至少设置一个采样点。4.如权利要求1所述的光学邻近修正方法，其特征在于，在所述目标图形上设置多个采样点的步骤还包括：所述目标图形的每个转角上至少设置两个采样点。5.如权利要求1所述的光学邻近修正方法，其特征在于，获得与所述初始图形相对应的曝光图形的步骤包括：采用仿真的方法获得与所述初始图形相对应的曝光图形。6.如权利要求1所述的光学邻近修正方法，其特征在于，获得曝光图形的边
\t缘位置误差的步骤包括：当所述采样点设置在图形的边上时，通过比较在采样点位置，垂直于所述边的方向上，所述曝光图形与所述目标图形之间的位置差异，获得曝光图形中相应采样点的边缘位置误差。7.如权利要求1所述的光学邻近修正方法，其特征在于，对于设置于转角上的采样点，获得曝光图形的边缘位置误差的步骤包括：当所述采样点设置在图形的转角上时，通过比较在采样点位置，沿转角曲线径向方向上，所述曝光图形与所述目标图形之间的位置差异，获得曝光图形中相应采样点的边缘位置误差。8.如权利要求1所述的光学邻近修正方法，其特征在于，判断所述边缘位置误差是否大于预先设定的阈值的步骤包括：根据所述曝光图形中所有采样点的边缘位置误差，获得所述曝光图形的边缘位置误差的平均值，作为平均边缘位置误差；判断所述平均边缘位置误差是否大于预先设定的阈值。9.如权利要求1所述的光学邻近修正方法，其特征在于，当所述边缘位置误差大于所述阈值时，调整初始图形的步骤...

【专利技术属性】
技术研发人员：杜杳隽，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31