聚合物、绝缘膜以及软性铜箔基板制造技术

本发明专利技术提供一种聚合物、绝缘膜以及软性铜箔基板。所述聚合物，包括至少25mol％的以式1表示的重复单元：其中Ar为衍生自含有芳香族基的四羧酸二酐的四价有机基，以及A为衍生自含有环己烷基的二胺的二价有机基，且二价有机基的碳数为8至18。本发明专利技术所提出的聚合物通过采用具特定结构及特定比例的二胺单体以及含有芳香族基的二酐单体来制造，使得聚合物及包括其的绝缘膜能够同时具有低介电常数、低介电损耗及高热稳定性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术是有关于一种聚合物、绝缘膜以及软性铜箔基板，且特别是有关于具低介电常数及低介电损耗的聚合物、包括所述聚合物的绝缘膜以及包括所述绝缘膜的软性铜箔基板。
技术介绍
随着电子产品逐渐朝向轻薄的趋势发展，软性电路板的使用需求量也大幅提升。软性电路板的主要上游材料为软性铜箔基板，其通常是通过将聚酰亚胺聚合物涂布或贴合于铜箔上而制成。目前产业中所使用的聚酰亚胺聚合物具有良好耐热性及尺寸安定性，但介电性质不佳，使得其应用范围受到限制。因此，如何降低聚酰亚胺聚合物的介电常数使其同时具有良好介电性质、热稳定性及尺寸安定性是目前此领域极欲发展的目标。
技术实现思路
本专利技术提供一种聚合物、绝缘膜以及软性铜箔基板。本专利技术提供一种聚合物，其包括结构新颖的酰亚胺重复单元且包括所述聚合物的绝缘膜具有低介电常数及低介电损耗，而所述绝缘膜适合应用于软性铜箔基板中。本专利技术的聚合物包括至少25mol％的以式1表示的重复单元：其中Ar为衍生自含有芳香族基的四羧酸二酐的四价有机基，以及A为衍生自含有环己烷基的二胺的二价有机基，且二价有机基的碳数为8至18。在本专利技术的一实施方式中，上述以式1表示的重复单元的数目在10至
2000之间。在本专利技术的一实施方式中，上述的Ar包括中的至少一种，且B包括单键、-O-、-CH2-、-C(CH3)2-、-SO2-或-CO-。在本专利技术的一实施方式中，上述的A包括中的至少一种。本专利技术的聚合物包括以式2表示的结构：其中Ar为衍生自含有芳香族基的四羧酸二酐的四价有机基、A为衍生自含有环己烷基的二胺的二价有机基，且二价有机基的碳数为8至18、Ψ为其他重复单元以及0.25≤X≤1。在本专利技术的一实施方式中，上述的Ar包括中的至少一种，且B包括单键、-O-、-CH2-、-C(CH3)2-、-SO2-或-CO-。在本专利技术的一实施方式中，上述的A包括中的至少一种。在本专利技术的一实施方式中，上述的Ψ以式3表示：其中Φ为衍生自含有芳香族基或环状脂肪族基的二胺的二价有机基、Ar包括中的至少一种，且B包括单键、-O-、-CH2-、-C(CH3)2-、-SO2-或-CO-。在本专利技术的一实施方式中，上述的Φ包括中的至少一种。在本专利技术的一实施方式中，上述的Φ包括且的摩尔比为9：1至1：9。本专利技术的绝缘膜包括前述的聚合物。在本专利技术的一实施方式中，上述的绝缘膜的介电常数为2.8至3.5、以及介电损耗为0.005至0.014。本专利技术的软性铜箔基板包括铜箔以及前述的绝缘膜。绝缘膜配置在铜箔上。在本专利技术的一实施方式中，上述软性铜箔基板还包括粘着层，配置于
铜箔与绝缘膜之间。基于上述，本专利技术所提出的聚合物通过采用具特定结构及特定比例的二胺单体以及含有芳香族基的二酐单体来制造，使得聚合物及包括其的绝缘膜能够同时具有低介电常数、低介电损耗及高热稳定性。为让本专利技术的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施方式作详细说明如下。具体实施方式在本文中，由“一数值至另一数值”表示的范围，是一种避免在说明书中一一列举该范围中的所有数值的概要性表示方式。因此，某一特定数值范围的记载，涵盖该数值范围内的任意数值以及由该数值范围内的任意数值界定出的较小数值范围，如同在说明书中明文写出该任意数值和该较小数值范围一样。在本文中，有时以键线式(skeleton formula)表示聚合物或基团的结构。这种表示法可以省略碳原子、氢原子以及碳氢键。当然，结构式中有明确示出原子或原子基团的，则以示出的为准。本专利技术的一实施方式提供一种聚合物，其包括至少25mol％的以式1表示的重复单元：在上述式1中，Ar为衍生自含有芳香族基的四羧酸二酐的四价有机基。也就是说，Ar为含有芳香族基的四羧酸二酐中除了2个羧酸酐基(-(CO)2O)以外的残基。在本文中，所述含有芳香族基的四羧酸二酐也称为二酐单体。另外，在本实施方式中，制备式1所示的重复单元时，可采用一种二酐单体或多种二酐单体。具体而言，Ar包括中的至少一种，且B包括单键、-O-、-CH2-、-C(CH3)2-、-SO2-或-CO-。也就是说，所述含有芳
香族基的四羧酸二酐例如是均苯四甲酸二酐(1,2,4,5-Benzenetetracarboxylic anhydride，简称PMDA)、3,3',4,4'-联苯四羧酸二酐(3,3',4,4'-Biphenyltetracarboxylic dianhydride，简称BPDA)、4,4'-氧双邻苯二甲酸酐(Bis-(3-phthalyl anhydride)ether，简称ODPA)、3,3',4,4'-二苯甲酮四甲酸二酐(3,3',4,4'-Benzophenonetetracarboxylic dianhydride，简称BTDA)。当式1所示的重复单元含有衍生自含有芳香族基的四羧酸二酐的四价有机基时，可得使聚合物具有高热稳定性。另外，由于上述所列的含有芳香族基的四羧酸二酐的价格便宜，故通过使用该些含有芳香族基的四羧酸二酐不但聚合物能够具有符合市场需求的性质，其制造成本也可降低，使得具有工业化价值。在上述式1中，A为衍生自含有环己烷基的二胺的二价有机基，且二价有机基的碳数为8至18，较佳为8至16。也就是说，A为含有环己烷基的二胺中除了2个氨基(-NH2)以外的残基。在本文中，所述含有环己烷基的二胺也称为二胺单体。另外，在本实施方式中，制备式1所示的重复单元时，可采用一种二胺单体或多种二胺单体。具体而言，A包括中的至少一种。也就是说，所述含有环己烷基的二胺例如是4,4'-二氨基二环己基甲烷(4,4'-Diaminodicyclohexyl methane，简称MBCHA)、1,3-二(氨甲基)环己烷(1,3-Di(aminomethyl)cyclohexane)、1,4-二(氨甲基)环己烷(1,4-Di(aminomethyl)cyclohexane)、双(氨甲基)双环[2.2.1]庚烷
(bis(aminomethyl)bicyclo[2.2.1]heptane)、二氨甲基环己基甲烷(4,4'-Methylenebis(2-methylcyclohexylamine))。值得一提的是，由于4,4'-二氨基二环己基甲烷、1,3-二(氨甲基)环己烷、1,4-二(氨甲基)环己烷、双(氨甲基)双环[2.2.1]庚烷或二氨甲基环己基甲烷具有低介电常数、低介电损耗及良好热稳定性的性质，聚合物通过包括含有衍生自4,4'-二氨基二环己基甲烷、1,3-二(氨甲基)环己烷、1,4-二(氨甲基)环己烷、双(氨甲基)双环[2.2.1]庚烷及二氨甲基环己基甲烷中的至少一种的二价有机基的式1所示的重复单元，不但可得使其具有高热稳定性，还可调控其介电常数及介电损耗。详细而言，与结构中未含有衍生自4,4'-二氨基二环己基甲烷、1,3-二(氨甲基)环己烷、1,4-二(氨甲基)环己烷、双(氨甲基)双环[2.2.1]庚烷及二氨甲基环己基甲烷的二价有机基的聚合物相比，结构中含有衍生自4,4'-二氨基二环己基甲烷、1,3-二(氨甲基)环己烷、1,4-二(氨甲基)环己烷、双(氨甲基)双环[2.2.1]庚烷及二氨甲基环己基甲烷中的至少一种的二价有机基的聚合物具有较低的介电常数及介本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种聚合物，其特征在于，包括至少25mol％的以式1表示的重复单元：其中Ar为衍生自含有芳香族基的四羧酸二酐的四价有机基；以及A为衍生自含有环己烷基的二胺的二价有机基，且所述二价有机基的碳数为8至18。

【技术特征摘要】
2015.02.10 TW 1041043661.一种聚合物，其特征在于，包括至少25mol％的以式1表示的重复单元：其中Ar为衍生自含有芳香族基的四羧酸二酐的四价有机基；以及A为衍生自含有环己烷基的二胺的二价有机基，且所述二价有机基的碳数为8至18。2.根据权利要求1所述的聚合物，其特征在于，以式1表示的重复单元的数目在10至2000之间。3.一种聚合物，其特征在于，包括以式2表示的结构：其中Ar为衍生自含有芳香族基的四羧酸二酐的四价有机基；A为衍生自含有环己烷基的二胺的二价有机基，且所述二价有机基的碳数为8至18；Ψ为其他重复单元；以及0.25≤X≤1。4.根据权利要求1或3所述的聚合物，其特征在于，Ar包括及中的至少一种，且B包括单键、-O-、-CH2-、-C(CH3)2-、-SO2-或-CO-。5.根据权利要求1或3所述的聚合物，其特征在于，A包括及中的至少一种。6...

【专利技术属性】
技术研发人员：方佾凯，洪宗泰，陈巧佩，陈昭丞，陈秋风，
申请(专利权)人：台虹科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71