本申请涉及用于单端信号限幅器的装置。本申请要解决的一个技术问题是提供改进的用于单端信号限幅器的装置。所述装置包括第一电路、第二电路和第三电路。第一电路可以被构造为(i)降低在耦合到存储器通道的数据总线的单端线路上携带的输入值的序列中的当前值，以生成当前值的版本，及(ii)降低第一参考电压，以生成第二参考电压。第二电路可以被构造为关于第一参考电压对当前值进行限幅，以生成第一中间值。第三电路可以被构造为关于第二参考电压对当前值的版本进行限幅，以生成第二中间值。第一中间值和第二中间值总体上限定当前值的限幅值。利用本实用新型专利技术，可以实现改进的用于单端信号限幅器的装置。
【技术实现步骤摘要】
本技术一般涉及信号限幅，并且更具体地，涉及用于实现具有宽输入电压范围的单端信号限幅器的装置。
技术介绍
DDR4 SDRAM(第四代双倍数据率同步动态随机存取存储器)的常规接口以高达3.2千兆位每秒的数据率操作。通道退化会造成接口的接收器侧的数据眼图闭合。印刷电路板迹线的介电和电阻损耗促成通道退化。迹线呈现依赖频率的衰减，这会造成脉冲色散和符号间干扰(ISI)。来自连接器并经由信号路径中的短截线(stub)的阻抗不连续引起反射，这会生成更多ISI并进一步降低信噪比。随着DDR4 SDRAM的数据率提高，通道损耗和反射变得显著。期望实现具有宽输入电压范围的单端信号限幅器。
技术实现思路
本技术要解决的一个技术问题是提供改进的用于单端信号限幅器的装置。本技术涉及用于单端信号限幅器的装置，所述装置包括第一电路、第二电路和第三电路的装置。第一电路被构造为(i)降低在耦合到存储器通道的数据总线的单端线路上携带的输入值的序列中的当前值，以生成当前值的版本，及(ii)降低第一参考电压，以生成第二参考电压。第二电路被构造为关于第一参考电压对当前值进行限幅以生成第一中间值。第三电路被构造为关于第二参考电压对当前值的版本进行限幅以生成第二中间值。第一中间值和第二中间值限定了当前值的限幅值。在一些实施例中，上述装置方面还包括第四电路，该第四电路被构造为响应于第一中间值和第二中间值锁存当前值的限幅值。在上述装置方面的一些实施例中，(i)第一电路包括寄存式时钟驱动器(RCD)电路中的多个传输门，(ii)第二电路包括RCD电路中的具有NMOS输入晶体管的第一限幅器，(iii)第三电路包括RCD电路中的具有PMOS输入晶体管的第二限幅器，及(iv)第四电路包括RCD电路中的锁存器。在上述装置方面的一些实施例中，RCD电路至少兼容第四代双倍数据率(DDR4)。在上述装置方面的一些实施例中，(i)第一电路、输入值的序列以及第一参考电压在第一电压域中，(ii)第二电路和第三电路在第二电压域中操作，及(iii)第一电压域具有比第二电压域更高的电压范围。在上述装置方面的一些实施例中，(i)第一电路包括被构造为接收输入值的序列和第一参考电压的多个电压钳，以及(ii)被构造为生成当前值的版本和第二参考电压的多个NMOS晶体管。在上述装置方面的一些实施例中，第二电路包括被构造为接收第一参考电压和当前值的多个本征晶体管。在上述装置方面的一些实施例中，第三电路包括多个PMOS晶体管，每个PMOS晶体管具有低阈值电压并被构造为接收第二参考电压和当前值的版本，其中低阈值电压低至电源电压的三分之一。在上述装置方面的一些实施例中，其中所述装置引入至多100皮秒的延迟。在上述装置方面的一些实施例中，数据总线是双倍数据率(DDR)存储器模块的地址/命令总线。在上述装置方面的一些实施例中，DDR存储器模块包括第四代双倍数据率(DDR4)双列直插存储器模块(DIMM)。本技术的一个有益效果是提供了改进的用于单端信号限幅器的装置。附图说明从以下详细的描述以及所附权利要求和附图，本技术的实施例将明显，其中：图1是例示了多个存储器模块的图示；图2是例示了存储器模块的框图；图3是寄存式时钟驱动器电路的接收器部分的框图；图4是决定反馈均衡电路的框图；图5是限幅器电路的框图；图6是限幅器电路的示意图；及图7是参考电压的预期操作范围的图示。具体实施方式本技术的实施例包括提供具有宽输入电压范围的单端信号限幅器，其可以(i)具有小的传播延迟，(ii)操作两个并联的限幅器，(iii)降低或消除符号间干扰，(iv)补偿通道损耗和反射，(v)接收单端信号，(vi)在存储器接口中实现，和/或(vii)在集成电路内实现。本技术的各种实施例一般提供了能够在宽输入电压范围内操作的限幅器电路。限幅器电路一般提供双限幅器结构，以覆盖宽输入电压范围。每个双限幅器可以用设计为在低核心电压域操作的设备(如晶体管)来实现，从而获得传播时序效益。可以实现传输门以最小化或防止在设备的输入节点处的潜在过电压可靠性风险。在限幅器中，NMOS输入晶体管的栅极一般用作输入节点。当数据/参考电压共模电压高于输入晶体管的开启阈值电压时，NMOS-输入限幅器可以很好地工作。当参考电压降低时(例如，为电源电压域的三分之一)，NMOS-输入限幅器一般运行得较慢。因此，其它限幅器可以将PMOS输入晶体管的栅极用作并行输入节点。虽然参考电压可以是电压域的三分之一，但是PMOS晶体管上的栅极-源极电压可 以足够大，从而采样具有短传播延迟的数据。参考图1，显示了示出多个示例电路50a-50n的图示。在示例中，电路50a-50n可以实现为存储器模块(或板)。例如，存储器模块50a-50n可以实现为第四代双倍数据率(DDR4)同步动态随机存取存储器(SDRAM)模块。存储器模块50a-50n可以包括多个块(或电路)90a-90n、块(或电路)100和/或各种其它块、电路、引脚、连接器和/或迹线。电路90a-90n可以被构造为数据缓冲器。电路100可以被实现为寄存式时钟驱动器(RCD)。在示例中，RCD电路100可以被实现为DDR4RCD电路。存储器模块50a-50n的组件的类型、布置和/或数量可以变化以满足特定实现方式的设计标准。存储器模块50a-50n被示出为连接到块(或电路)20。电路20可以是存储器控制器。电路20可以位于诸如计算引擎的另一设备中。各种连接器/引脚/迹线60可以实现为将存储器模块50a-50n连接到存储器控制器20。在一些实施例中，连接器/引脚/迹线60可以是288引脚构造。在示例中，存储器控制器20可以是计算机主板的组件。在另一个示例中，存储器控制器20可以是微处理器的组件。在又一个示例中，存储器控制器20可以是中央处理单元(CPU)的组件。在示例中，连接器/引脚/迹线60中的一些可以是存储器模块50a-50n的部分并且连接器/引脚/迹线60中的一些可以是主板和/或存储器控制器20的部分。存储器模块50a-50n可以被连接到计算机主板(例如，通过引脚、迹线和/或连接器60)以在计算设备的组件和存储器模块50a-50n之间传送数据。在示例中，存储器控制器20可以被实现在主板的北桥上和/或被实现为微处理器(例如，Intel CPU、AMDCPU、ARM CPU等)的组件。可以根据特定实现方式的设计标准来变化存储器控制器20的实现方式。在各种实施例中，存储器模块50a-50n可以是DDR4 SDRAM存储器模块。DDR4 SDRAM模块50a-50n可以具有每模块512千兆字节(GB)、太字节或更高的存储器模块密度(例如，与DDR3中的每双列直插式存储器模块(DIMM)128GB相比)。DDR4 SDRAM存 储器模块50a-50n可以在1.2-1.35伏(V)的电压以800-2133兆赫(MHz)之间的频率操作(例如，与在DDR3中的1.5-1.65伏以400-1067MHz之间的频率相比较)。在一些实施例中，存储器模块50a-50n可以实现为低电压DDR4并且在1.05V操作。例如，与DDR3存储器相比，DDR4 SDRAM存储器模块50a-5本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种用于单端信号限幅器的装置，其特征在于所述装置包括：第一电路，所述第一电路被构造为(i)降低在耦合到存储器通道的数据总线的单端线路上携带的输入值的序列中的当前值，以生成所述当前值的版本，及(ii)降低第一参考电压，以生成第二参考电压；第二电路，所述第二电路被构造为关于所述第一参考电压对所述当前值进行限幅以生成第一中间值；以及第三电路，所述第三电路被构造为关于所述第二参考电压对所述当前值的所述版本进行限幅以生成第二中间值，其中所述第一中间值和所述第二中间值限定了所述当前值的限幅值。
【技术特征摘要】
1.一种用于单端信号限幅器的装置，其特征在于所述装置包括：第一电路，所述第一电路被构造为(i)降低在耦合到存储器通道的数据总线的单端线路上携带的输入值的序列中的当前值，以生成所述当前值的版本，及(ii)降低第一参考电压，以生成第二参考电压；第二电路，所述第二电路被构造为关于所述第一参考电压对所述当前值进行限幅以生成第一中间值；以及第三电路，所述第三电路被构造为关于所述第二参考电压对所述当前值的所述版本进行限幅以生成第二中间值，其中所述第一中间值和所述第二中间值限定了所述当前值的限幅值。2.根据权利要求1所述的装置，其特征在于：所述装置还包括第四电路，所述第四电路被构造为响应于所述第一中间值和所述第二中间值锁存所述当前值的所述限幅值。3.根据权利要求2所述的装置，其特征在于：(i)所述第一电路包括寄存式时钟驱动器RCD电路中的多个传输门，(ii)所述第二电路包括所述RCD电路中的具有NMOS输入晶体管的第一限幅器，(iii)所述第三电路包括所述RCD电路中的具有PMOS输入晶体管的第二限幅器，并且(iv)所述第四电路包括所述RCD电路中的锁存器。4.根据权利要求3所述的装置，其特征在于：所述RCD电路至少兼容第四代双倍数据率DDR4。5.根据权利要...
【专利技术属性】
技术研发人员：谢毅，张原，
申请(专利权)人：综合器件技术公司，
类型：新型
国别省市：美国;US
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